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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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開關(guān)管的驅(qū)動器及驅(qū)動電路設(shè)計
電源常用的開關(guān)器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN,這幾種器件均為電壓驅(qū)動型器件,不同類型器件的驅(qū)動電路也不完全相同
新型應(yīng)用中有4大要素在推動汽車電子功率器件的演進:足夠的關(guān)斷電壓等級 (Bvdss)、 系統(tǒng)功率要求、系統(tǒng)智能性/生存能力 (Survivability)。
功率因數(shù)校正(Power Factor Correction,PFC)技術(shù)分為無源功率因校正數(shù)和有源功率因數(shù)校正兩種,其中有源功率因數(shù)校正方式應(yīng)用最為廣泛。
MOSFET驅(qū)動器的工作原理 MOSFET作為開關(guān)的作用
當我們使用 MCU(微控制器)制作產(chǎn)品或者搭建電路時,有時候希望通過 MCU 控制某些外設(shè)。外設(shè)可能是一個需要極小電流的設(shè)備,比如 LED,或者是大功率...
? 隨著我們尋求更強大、更小型的電源解決方案,碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行,特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域,如汽車驅(qū)動...
除牽引逆變器外,輔助轉(zhuǎn)換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器尤其受益于SiC功率模塊帶來的開關(guān)頻率提升。開關(guān)頻率的增加通常允許減小無源元件(如變壓器、...
隨著科技的不斷發(fā)展,功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率,封測企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等...
具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC? MOSFET M1H
其中,溝道電阻Rch可以由下式描述。式中,L是溝道長度,W是溝道寬度,μn是電子遷移率,Cox是柵極氧化層電容,VGS(on)是導通狀態(tài)柵極電壓,VGS...
半導體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對器件參數(shù)的影響
當n型半導體與p型半導體接觸時,電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴散,稱為擴散運動。當電子進入p型區(qū)域,空穴進入n型區(qū)域后,即與對方多子復合,留下了固定...
蘋果在2020年的秋季新聞發(fā)布上,突然宣布取消附贈標準5V/1A手機適配器,這一變化催生了零部件市場大功率適配器需求的再次繁榮。
2023-10-13 標簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動電路 1.2k 0
美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET
美格納半導體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。MXT MV ...
2023-10-12 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管漏極 2.5k 0
氫能的四大應(yīng)用場景 燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈簡介
除了介紹經(jīng)典的功率二極管、晶閘管外,還重點介紹了MOSFET、IGBT等現(xiàn)代功率器件,頗為難得的是收入了近年來有關(guān)功率半導體器件的OO成果,如SiC,G...
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