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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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IGBT的概念和發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理 IGBT市場規(guī)模分析
功率半導(dǎo)體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制...
MRigidCSP 技術(shù):移動(dòng)設(shè)備電池管理應(yīng)用的突破
AOS的 MRigidCSP 技術(shù)專為電池管理應(yīng)用而定制。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)旨在降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)增強(qiáng)機(jī)械強(qiáng)度。AOS 初提供 MRigidCSP 及其 AO...
IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶...
碳化硅晶圓是晶體通過切割,粗磨,精磨,粗拋,精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...
N通道雙MOSFET的低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì),以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,...
2023-10-05 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)表面貼裝 3.3k 0
集成在電池包中時(shí),電量計(jì)需要使用非易失性存儲(chǔ)器來存儲(chǔ)電池信息。電源路徑中的MOSFET監(jiān)測充電/放電電流,保護(hù)電池免于遭受危險(xiǎn)狀況。MAX17330 是...
隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器—穩(wěn)壓與非穩(wěn)壓的具體應(yīng)用
低功率隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器尺寸小巧,適用于通信設(shè)備、儀器儀表和工業(yè)電子領(lǐng)域,可以為對空間要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景提供理想的解決方案。
應(yīng)用于太陽能存儲(chǔ)系統(tǒng)的完整解決方案
電源是所有電子產(chǎn)品的基礎(chǔ),為了滿足不同應(yīng)用在功率、交直流轉(zhuǎn)換上的各種要求,便需要各式各樣的功率元器件、模塊,來提供合適、安全的電源,使系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運(yùn)作。...
2023-09-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器太陽能 2.6k 0
雖然車上的電器的供電由保險(xiǎn)絲盒提供,一般情況下,當(dāng)車上的電器發(fā)生短路時(shí),保險(xiǎn)絲盒的保險(xiǎn)絲會(huì)熔斷,切斷電源,起到保護(hù)電器以及電路的作用。
第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
太陽能光伏系統(tǒng):為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低系統(tǒng)成本,太陽能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加,從600V增加到1,500V。
2023-09-19 標(biāo)簽:MOSFET光伏系統(tǒng)半導(dǎo)體器件 706 0
MOS場效應(yīng)晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件,圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖,即在P型硅基片上有兩個(gè) N+擴(kuò)散區(qū),其中一個(gè)稱源,用S表示,...
現(xiàn)代家長都希望自己的孩子能夠贏在起跑線上,為未來的學(xué)習(xí)和事業(yè)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。幼兒啟蒙裝備市場早已興起,互動(dòng)、點(diǎn)讀、故事、音樂、語數(shù)英教育為一身的認(rèn)讀機(jī)、...
DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)技巧分享
了解您所面臨的設(shè)計(jì)權(quán)衡非常重要。為了幫助你,在降壓設(shè)計(jì)中開發(fā)了一個(gè)“影響什么”的矩陣
2023-09-18 標(biāo)簽:MOSFET示波器降壓轉(zhuǎn)換器 1k 0
mosfet的三個(gè)電極怎么區(qū)分 mos管三個(gè)極電壓關(guān)系
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)有三個(gè)主要電極,分別是柵極(Gate)、漏極(Source)和源極(Drain)。這三個(gè)電極的區(qū)分方法如下
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