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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則
針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu),國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開(kāi) 發(fā)實(shí)踐,多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究,一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管驅(qū)動(dòng)電路
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源設(shè)計(jì) 4k 0
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸:1)器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加,其他結(jié)構(gòu)(溝道、JFET區(qū)等)的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。
MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因...
首先說(shuō)一下電源IC直接驅(qū)動(dòng),下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過(guò)多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化...
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù),指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小,與平面柵相比,溝槽柵MOSFET...
APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊:SA111
SA111采用碳化硅(SiC)技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計(jì),突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
MOSFET的動(dòng)態(tài)性能相關(guān)參數(shù)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇,主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開(kāi)關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表...
MOSFET的絕對(duì)最大額定值相關(guān)參數(shù)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第三篇,主要介紹絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)。 主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、T...
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇,主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的,相關(guān)的參數(shù)如下表所示。
主要是關(guān)于MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí),但是發(fā)現(xiàn)看datasheet的時(shí)候還是一臉懵,有些參數(shù)好像是未曾相識(shí),所以就有了現(xiàn)在的這個(gè)補(bǔ)充內(nèi)容,話不多說(shuō)正式開(kāi)始。
電壓轉(zhuǎn)電流電路的工作原理與設(shè)計(jì)示例
電壓轉(zhuǎn)電流的電路常見(jiàn)于工業(yè)場(chǎng)合,接下來(lái)介紹其工作原理與設(shè)計(jì)示例。
2023-05-01 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器運(yùn)放 5.1k 0
升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在功率電子領(lǐng)域非常重要,但是電感值的選擇并不總是像通常假設(shè)的那樣簡(jiǎn)單。
2023-05-02 標(biāo)簽:二極管MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 1.4k 0
Flyback反激變換器的三種工作模式和參數(shù)設(shè)計(jì)
過(guò)去幾年,由于USB Type-C PD充電協(xié)議的廣泛使用,加之GaN技術(shù)的普及,使得基于GaN的PD適配器具有更廣泛的兼容性和更便攜的形態(tài),小功率電源...
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