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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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基于電流采樣運(yùn)放的DCDC電源輸出線損補(bǔ)償電路的詳細(xì)推導(dǎo)計(jì)算
本文以LMR14030和INA213為例,給出了線損補(bǔ)償?shù)脑敿?xì)推導(dǎo)。當(dāng)客戶需要更改電路器件(例如使用不同的DCDC或電流采樣運(yùn)放)或更改電路參數(shù)(例如要...
門驅(qū)動(dòng)的欠壓保護(hù)功能及其注意事項(xiàng)
IGBT/MOSFET等全控型開關(guān)器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日趨廣泛,相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)芯片集成度也越來越高,其中欠壓保護(hù)功能由于可以防止開關(guān)管在門極電壓較...
基于IRFP240和IRFP9240MOSFET的100W功率放大器電路
此處顯示了基于 IRFP240 和 IRFP9240 MOSFET 的 100W MOSFET 功率放大器電路。該放大器采用+45/-45 V DC雙電...
mosfet與igbt對(duì)比優(yōu)缺點(diǎn)
在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中,MOSFET由于具有較快的開關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。
碳化硅MOSFET在汽車動(dòng)力逆變器中的優(yōu)勢(shì)有哪些呢?
新型電子研發(fā)組件在不斷發(fā)展,也隨之而來的是取得的成果。公司不斷嘗試開發(fā)越來越多的性能設(shè)備,特點(diǎn)是更高的效率和更好的電氣特性。
2023-04-01 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 3.8k 0
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
討論了汽車應(yīng)用基本電源中電源路徑的典型框圖。本文介紹如何將有源限壓器集成到該基本電源設(shè)計(jì)中。描述了集成限壓器的好處。Maxim的幾個(gè)有源限壓器就是這種設(shè)...
本應(yīng)用筆記介紹了一種保護(hù)n溝道功率MOSFET免受低壓和高電壓影響的電路。它包括一個(gè)高端開關(guān)驅(qū)動(dòng)器 IC 和快速響應(yīng)的 3 晶體管過壓檢測(cè)器。
2023-03-31 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器晶體管 1.4k 0
國內(nèi)企業(yè)逐步切入,國產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)
在車載充電器領(lǐng)域,碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機(jī)控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。
提高電源可靠性的關(guān)鍵在于降低功率元件的熱、電壓和電流應(yīng)力,這主要是輸入電壓和所需功率的函數(shù)。不過,您可選擇有助于減輕這些應(yīng)力的拓?fù)洹?/p>
交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2023-03-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2.1k 0
智能天窗設(shè)計(jì)為車內(nèi)乘客提供了大量優(yōu)勢(shì)。在貼膜狀態(tài)下,它可減少熱量傳遞并防止眩光,在貼膜和透明狀態(tài)下,它可減少紫外線和紅外線。控制貼膜著色水平允許用戶針對(duì)...
2023-03-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET晶體管 1.8k 0
電機(jī)控制:終端應(yīng)用需要考慮的具體注意事項(xiàng)
本文主要討論特定終端應(yīng)用需要考慮的具體注意事項(xiàng),首先從終端應(yīng)用中將用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的FET著手。電機(jī)控制是30V-100V分立式MOSFET的一個(gè)龐大且快速...
在離線應(yīng)用中采用UCC28056來優(yōu)化效率和待機(jī)功耗
隨著產(chǎn)品法規(guī)持續(xù)要求在這些關(guān)鍵領(lǐng)域提高性能,效率和待機(jī)功耗已成為離線應(yīng)用中關(guān)注的重點(diǎn)。這種關(guān)注需要采用復(fù)雜的功率策略以滿足這些要求,例如在低功耗模式下關(guān)...
2023-03-30 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 2.6k 0
增強(qiáng)性能的100符柵極驅(qū)動(dòng)器提升先進(jìn)通信電源模塊的效率
UCC27282 120V半橋驅(qū)動(dòng)器具有多項(xiàng)新特性和參數(shù)改進(jìn),有助于實(shí)現(xiàn)更高水平的電源模塊性能和穩(wěn)健性。EN引腳上的低電平信號(hào)可禁用驅(qū)動(dòng)器,將UCC27...
2023-03-30 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2.1k 0
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2023-03-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 4.4k 0
作為Matter的積極參與者,Qorvo率先打造出符合Matter標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品——QPG7015M和QPG6105,然后基于公司獨(dú)特的Concurrent...
2023-03-29 標(biāo)簽:電源MOSFET物聯(lián)網(wǎng) 1.9k 0
使用高壓電容進(jìn)行電路保護(hù):該做法通常將耐壓至少為1.5KV的陶瓷電容放置在I/O連接器或者關(guān)鍵信號(hào)的位置,同時(shí)連接線盡可能的短,以便減小連接線的感抗。若...
ME8133是一款高性能,高效率電流模式PWM控制器,內(nèi)封650V/4A功率MOSFET,功率最高可達(dá)30W(220VAC)。
使用高壓電子設(shè)計(jì)?這些規(guī)范知識(shí)你應(yīng)該知道的
對(duì)于將設(shè)計(jì)時(shí)間花在個(gè)位數(shù)、低壓世界的工程師來說,“高壓”一詞可能會(huì)讓人聯(lián)想到兩位數(shù)的電壓,可能高達(dá) 24V 或 48V DC,甚至是三位數(shù)的電壓域120...
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