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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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實現(xiàn)電池化成分容技術要點:電池測試單元的功率變換部分
電池測試單元的功率部分主要包括模擬控制器,半橋驅(qū)動,MOSFET,輸入輸出保護器。電能變換拓撲最常用的就是半橋整流的Buck/Boost變換電路,主要是...
MAX1864為低成本、多輸出轉(zhuǎn)換器,由開關降壓電路和兩個正線性穩(wěn)壓器組成。雖然該IC的基本應用電路提供低成本、多輸出電源,但需要更低噪聲的應用可以從本...
2023-03-21 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器 1.6k 0
前言:不對稱諧振半橋反激變換器(AHB)應用在隔離型的直流轉(zhuǎn)直流領域,通過占空比調(diào)整半橋開關的高端開關的占空比實現(xiàn)對輸出電壓的控制,通過使用占空比調(diào)節(jié)方...
隨著能夠取代白熾燈泡的大功率LED的出現(xiàn),產(chǎn)生了對將LED與可用電源(電池、汽車電氣系統(tǒng)等)有效匹配的電路的需求。電路還應該能夠調(diào)節(jié)和控制LED光輸出,...
淺談MOSFET柵極驅(qū)動電路設計的關鍵細節(jié)
該電容器的用途是吸收柵電流(Cgd·dVDS/dt),以便降低柵極電阻器產(chǎn)生的柵極電壓,從而降低自開通電壓。
MOSFET等開關器件可能會受各種因素影響而失效。因此,不僅要準確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導致失效的因素。本系列文章將介...
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導體器件,廣泛應用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領域。
簡單的PSPICE模型可預測MAX8546的穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應
MAX8546為低成本、寬輸入電壓范圍、降壓型控制器,具有折返電流限制。其 300kHz 開關頻率非常適合與低成本外部元件(如鐵粉電感器和鋁電解電容器)...
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