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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)(包括太陽的,燙的和風(fēng)力)、EV/HEV動力系統(tǒng),以及電動火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。
許多工程師第一次使用模擬開關(guān),往往會把模擬開關(guān)完全等同于機械開關(guān)。其實模擬開關(guān)雖然具備開關(guān)性,但和機械開關(guān)有所不同,它本身還具有半導(dǎo)體特性:
2023-02-06 標簽:MOSFET半導(dǎo)體模擬開關(guān) 6.5k 0
帶保護環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 A.Kanale和B.J.Baliga,“加強短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-06 標簽:MOSFETSBDSiC-MOSFET 3.6k 0
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢,如低損耗、高速開關(guān)、高溫...
開關(guān)電源芯片U321 是一款高性能低成本PWM控制功率器,適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合,外電路簡單、器件個數(shù)少。
特別是對于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動器IC必須將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗(包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量)降至最低。
在介紹MOSFET之前,我們先來了解一下FET的工作原理。FET又叫做場效應(yīng)管,有N溝道和P溝道兩種(溝道就是其中載流子流過的通道)
2023-02-06 標簽:MOSFET場效應(yīng)管FET 4.1k 0
**半導(dǎo)體是如何實現(xiàn)導(dǎo)電的?** 物質(zhì)能否導(dǎo)電取決于構(gòu)成物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)中是否存在自由電子(負電荷)或者空穴(正電荷),統(tǒng)稱為載流子。導(dǎo)電能力的大小...
STripFET F8 MOSFET在汽車配電系統(tǒng)的作用
汽車電動化和數(shù)字化的大趨勢包括區(qū)域控制架構(gòu)、功率芯片驅(qū)動數(shù)字化、電池管理系統(tǒng)、功率電子和電源/能源管理。
2023-02-06 標簽:MOSFET電源管理電池管理系統(tǒng) 2.5k 0
隨著芯片制造商尋找維持驅(qū)動電流的新方法,鐵電體(Ferroelectric)重新獲得關(guān)注。
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
負載瞬態(tài)通常使用電子負載(E-Load)進行測試,前面提到,負載的跳變斜率(Slew Rate)將對測試結(jié)果產(chǎn)生關(guān)鍵影響,然而受設(shè)備內(nèi)部電路限制,常規(guī)電...
2023-02-03 標簽:測試轉(zhuǎn)換器MOSFET 3.7k 0
在DCDC電源測試中,負載瞬態(tài)測試(Load Transient Test)是十分重要的一環(huán),利用負載瞬態(tài)測試,可以快速評估所測電源的穩(wěn)定性與快速性,而...
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