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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來(lái)和大家分享,接下來(lái)的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 4.8k 0

CMOS工藝下的BJT你了解多少?

CMOS工藝下的BJT你了解多少?

有沒(méi)有同學(xué)好奇,作為模擬芯片設(shè)計(jì)師,幾乎都在用CMOS工藝,大部分電路也是用的MOSFET,很少用BJT去設(shè)計(jì)大規(guī)模電路,那么,到底應(yīng)該對(duì)BJT這種de...

2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFETBJT模擬芯片 1.4萬(wàn) 0

Microchip推出一款全新的綜合性混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng)模塊

設(shè)計(jì)多電飛機(jī)(MEA)的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動(dòng),以減輕重量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。

2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 1.3k 0

了解穩(wěn)壓器的工作原理

了解穩(wěn)壓器的工作原理

穩(wěn)壓器產(chǎn)生預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓,無(wú)論其輸入電壓或負(fù)載條件如何變化,該輸出電壓都保持不變。有兩種類(lèi)型的穩(wěn)壓器:線性穩(wěn)壓器和開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。

2023-02-02 標(biāo)簽:電源MOSFET穩(wěn)壓器 3.6k 0

光電耦合器和MOSFET之間的差異

光電耦合器和MOSFET之間的差異

本文介紹了光電耦合器/光耦合器和固態(tài)繼電器(光電MOSFET或光耦MOSFET(OCMOS FET))在保持電隔離的同時(shí)傳輸信號(hào),但存在一些重要差異。

2023-02-01 標(biāo)簽:MOSFET耦合器光電耦合器 2.9k 0

單片式驅(qū)動(dòng)器和MOSFET技術(shù)如何改進(jìn)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

單片式驅(qū)動(dòng)器和MOSFET技術(shù)如何改進(jìn)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

隨著發(fā)展挑戰(zhàn)的不斷發(fā)展,電力行業(yè)將找到滿足相應(yīng)要求的方法。一種解決方案在單個(gè)單片芯片中集成了先進(jìn)的開(kāi)關(guān)MOSFET(穩(wěn)壓器的主要構(gòu)建模塊)及其相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)...

2023-02-01 標(biāo)簽:電源MOSFET穩(wěn)壓器 1.4k 0

以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器

以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器

當(dāng)驅(qū)動(dòng)中高功率MOSFET和IGBT時(shí),當(dāng)功率器件兩端出現(xiàn)高電壓變化率時(shí),存在米勒效應(yīng)引起的導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。電流通過(guò)柵極至漏極或柵極至集電極電容注入功率器件的...

2023-02-01 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2.2k 0

濕法和干法刻蝕圖形化的刻蝕過(guò)程討論

刻蝕是移除晶圓表面材料,達(dá)到IC設(shè)計(jì)要求的一種工藝過(guò)程??涛g有兩種:一種為圖形 化刻蝕,這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除,如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到...

2023-02-01 標(biāo)簽:MOSFETIC設(shè)計(jì)CMOS芯片 4.5k 0

專用負(fù)載器件的電氣設(shè)計(jì)考慮因素

專用負(fù)載器件的電氣設(shè)計(jì)考慮因素

以這種方式驅(qū)動(dòng)兩個(gè)或多個(gè)MOSFET時(shí),通常需要在MOSFET柵極串聯(lián)中添加小電阻以防止振蕩。差動(dòng)放大器配置進(jìn)一步擴(kuò)展,包括求和,方法是將反饋和分壓器電...

2023-01-31 標(biāo)簽:放大器MOSFET運(yùn)算放大器 1.2k 0

用LT8316簡(jiǎn)化應(yīng)用中低元件數(shù)量、高效率解決方案的設(shè)計(jì)

用LT8316簡(jiǎn)化應(yīng)用中低元件數(shù)量、高效率解決方案的設(shè)計(jì)

LT8316 采用耐熱性能增強(qiáng)型 20 引腳 TSSOP 封裝,并移除了 8316 個(gè)引腳以實(shí)現(xiàn)高電壓間隔。通過(guò)對(duì)來(lái)自第三個(gè)繞組的隔離輸出電壓進(jìn)行采樣,...

2023-01-31 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET光耦合器 5.3k 0

鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展趨勢(shì)分析

兩種最常見(jiàn)的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續(xù)供電來(lái)維持其信息。閃存是非易失性的,對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)足夠穩(wěn)定,但速度不是特別快...

2023-01-30 標(biāo)簽:MOSFETDRAM存儲(chǔ)器 4.3k 0

采用碳化硅SiC技術(shù)封裝設(shè)計(jì)的SA111

SA111采用碳化硅(SiC)技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計(jì),突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

2023-01-30 標(biāo)簽:MOSFET直流轉(zhuǎn)換器PFC 1.5k 0

自舉電路如何計(jì)算

自舉電路如何計(jì)算

自舉電路,就是每路的高壓側(cè)MOSFET用自舉電容供電,整個(gè)電路(半橋或者H橋或者三相橋)的MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片只用一個(gè)電源就可以了,并且這種方法大大減少...

2023-01-30 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 7.6k 0

惡劣環(huán)境下的開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

惡劣環(huán)境下的開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

本文介紹了工程師在將模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器設(shè)計(jì)成惡劣環(huán)境中使用的模塊時(shí)面臨的挑戰(zhàn),并提供了電路設(shè)計(jì)人員可用于保護(hù)脆弱部件的通用解決方案的建議。它還引入了一...

2023-01-29 標(biāo)簽:ESDMOSFET多路復(fù)用器 4.5k 0

兩個(gè)單片式DC/DC轉(zhuǎn)換器縮小電池供電應(yīng)用

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當(dāng)相對(duì)較高的電壓軌(12V)必須降壓到相對(duì)較低的電平時(shí) (3.3V,1.8V),傳統(tǒng)的首選轉(zhuǎn)換器是DC/DC開(kāi)關(guān)控制器,用于驅(qū)動(dòng) 外部 MOSFET。在...

2023-01-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 1.7k 0

兩個(gè)寬輸入范圍單片式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器簡(jiǎn)化轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

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LT?3957 和 LT3958 是高功率單片式開(kāi)關(guān) 可產(chǎn)生正輸出或負(fù)輸出的穩(wěn)壓器 從寬輸入電壓范圍。LT3957 可工作 輸入范圍為 3V 至 40V...

2023-01-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 2.2k 0

低IQ高效率雙輸出控制器適用于寬范圍的輸入和輸出電壓

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盡管電流折返和鎖存在短路事件期間都提供了額外的保護(hù)級(jí)別,但 LTC3857 / LTC3858 基本上受到其電流模式架構(gòu)的保護(hù)。電流比較器始終處于活動(dòng)狀...

2023-01-29 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 3.4k 0

示波器數(shù)學(xué)函數(shù)有助于熱插拔電路分析

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數(shù)字示波器是大多數(shù)工程實(shí)驗(yàn)室的常態(tài),但您可能還沒(méi)有充分探索它們的功能。數(shù)字示波器更有趣的功能之一是“數(shù)學(xué)”通道,它可以以新穎的方式應(yīng)用于簡(jiǎn)化和擴(kuò)展熱插拔...

2023-01-29 標(biāo)簽:MOSFET示波器熱插拔 2.1k 0

減小隔離式同步柵極驅(qū)動(dòng)器的尺寸和復(fù)雜性

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設(shè)計(jì)具有同步整流功能的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的傳統(tǒng)方法是使用光耦合器或脈沖變壓器進(jìn)行隔離,并將它們與柵極驅(qū)動(dòng)器IC配接在一起。本文將說(shuō)明光耦合器和脈沖變...

2023-01-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器變壓器 1.9k 0

通過(guò)自動(dòng)限流調(diào)節(jié)保護(hù)您的集成式FET功率開(kāi)關(guān)

通過(guò)自動(dòng)限流調(diào)節(jié)保護(hù)您的集成式FET功率開(kāi)關(guān)

在電源及其負(fù)載之間放置開(kāi)關(guān)和保險(xiǎn)絲可以控制和保護(hù)電源。對(duì)簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)和保險(xiǎn)絲的改進(jìn)是集成電路,它在單個(gè)封裝中實(shí)現(xiàn)相同的功能,無(wú)需移動(dòng)部件,也無(wú)需維修。本文將...

2023-01-17 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.4k 0

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    四軸飛行器
    +關(guān)注
    四軸飛行器,又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī),簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器(Quadrotor)是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu),十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力,從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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