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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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20世紀70年代出現(xiàn)了世界性的能源危機,電力電子技術(shù)實現(xiàn)對電能的高效能變換和控制,其發(fā)展為節(jié)約能源做出了巨大貢獻。在電能傳輸與轉(zhuǎn)換(包括綠色電源產(chǎn)品)中...
2020-08-14 標簽:集成電路mosfet開關(guān)電源 5.8k 0
采用MOSFET器件實現(xiàn)模擬平方根計算裝置的設(shè)計
在儀表和測量系統(tǒng)中廣泛使用了平方根計算電路,例如:用于計算任意波形rms (均方根)等任務(wù)。因此,設(shè)計師需要有一種高效的模擬平方根計算裝置。由于制造商常...
去數(shù)十年來,電子產(chǎn)品的發(fā)展可謂一日千里。以個人通信設(shè)備為例,由最初的奢侈品到現(xiàn)在的廣泛普及,電子產(chǎn)品無論從重量、體積還是效率,都有了翻天覆地的變化。但是...
2020-08-07 標簽:轉(zhuǎn)換器mosfet封裝 925 0
微控制器PWM外設(shè)及其目標負載的同步與防止相位延遲方案
大多數(shù)微控制器至少有一個脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 外設(shè),以方波形式生成多個波形。這些 PWM 輸出可用于驅(qū)動同步負載,例如機械系統(tǒng)中的步進電機和電源轉(zhuǎn)換...
部分耗盡SOI器件新體接觸技術(shù)可有效克服MOSFET中的浮體效應(yīng)
SOI技術(shù)帶來器件和電路性能提高的同時也不可避免地帶來了不利的影響,其中最大的問題在于部分耗盡SOI器件的浮體效應(yīng)。當器件頂層Si膜的厚度大于最大耗盡層...
基于ADC進行數(shù)字控制的低噪聲APD偏置電路實現(xiàn)案例
雪崩光電二極管(APD)被作為接收器探頭用于光通信中。APD的高靈敏度和高帶寬受到了設(shè)計者的廣泛認可。
2020-08-08 標簽:MOSFET接收器升壓轉(zhuǎn)換器 4.8k 0
在高級開關(guān)電源設(shè)備中采用絕緣柵雙極型晶體管降低成本
隨著國際汽油價格的不斷攀升,運輸成本和所有其他能源生產(chǎn)成本也隨著石油價格的上漲而不斷增大。同時,人們對電力的需求也達到了一個前所未有的高度。同樣糟糕的是...
2020-07-31 標簽:mosfet開關(guān)電源晶體管 1.3k 0
高速低端MOSFET驅(qū)動器FAN3XXX系列產(chǎn)品的特點與典型應(yīng)用電路分析
FAN3XXX系列是飛兆公司(FAIRCHILD)2007年10月推出的新產(chǎn)品,是一種高速低端MOSFET驅(qū)動器系列。該系列各種驅(qū)動器與PWM控制器及功...
采用兩只MOSFET進行串聯(lián)替代普通繼電器實現(xiàn)應(yīng)用
普通的機電式繼電器具有低成本和低導通電阻的優(yōu)點,經(jīng)常用于大負載電流的通斷切換,以及不需要按比例控制負載電流或電壓的情況。低成本和低導通電阻是它們在工業(yè)中...
在導通數(shù)據(jù)中,原本2,742μJ的開關(guān)損耗變?yōu)?,690μJ,損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2,039μJ降至1,462μJ,損耗減少了約30%。
英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品的參數(shù)分析與研究
在上篇文章中,介紹了功率MOSFET的基本參數(shù)Rds(on)、VBR(DSS)、Qgs、和Vgs。為了更深入的理解功率MOSFET的其它一些參數(shù),本文仍...
在應(yīng)用中功率MOSFET器件的基本參數(shù)分析
數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。對于前者,在任何情況下都 不能超過,否則器件將永久損害;對于后者,一般以最小值、最大值、和典型值的形式...
單鍵實現(xiàn)單片機開關(guān)機設(shè)計案例
單片機工作后,將最先進行IO口初始化,IO1設(shè)為輸入狀態(tài),啟用內(nèi)部上拉;IO2設(shè)為輸出狀態(tài),輸出高電平。這時Q2、Q3導通,LED1發(fā)光,7805能夠正...
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