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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵控制及400W CCM PFC中的效率比較
基于電荷平衡技術(shù)的超級(jí)結(jié)MOSFET在降低導(dǎo)通電阻和寄生電容方面提供了出色的性能,這通常需要權(quán)衡取舍。
IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義
本應(yīng)用筆記介紹了IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義。本文檔介紹了基本額定值和特性,例如溫度,能量,機(jī)械數(shù)據(jù)以及電流和電壓額定值。它還簡(jiǎn)要介紹...
淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù),驅(qū)動(dòng)器的類(lèi)型,隔離技術(shù)以及MOSFET / IGB...
2021-05-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 4.3k 0
在系統(tǒng)中采用低端驅(qū)動(dòng)器的常見(jiàn)應(yīng)用介紹
NPN/ PNP圖騰柱具有由PWM輸出驅(qū)動(dòng)的同相配置。該電路可防止雙極性階段的直通,因?yàn)橐淮沃挥幸粋€(gè)圖騰柱器件可以正向偏置。
線性功率MOSFETS的輸出特性和應(yīng)用設(shè)計(jì)
電子負(fù)載,線性穩(wěn)壓器或A類(lèi)放大器等應(yīng)用程序在功率MOSFET的線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行,這需要高功耗能力和擴(kuò)展的正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA)特性。這種工作模式...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET線性穩(wěn)壓器漏極電壓 5.2k 0
電源系統(tǒng)中的恒定電流源,固態(tài)繼電器,電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET,當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí),該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器電源系統(tǒng) 1.0萬(wàn) 0
非隔離式LED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)方案介紹
變壓器的匝數(shù)比為18:6:1。初級(jí)電感為800μH,額定電流為750mA(峰值),占空比始終小于50%。
影響線性模式下溝槽MOSFET器件熱不穩(wěn)定性條件的因素分析
多年來(lái),半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展已取得了令人矚目的成果。當(dāng)今的設(shè)備具有顯著改善的性能,特別是在降低漏源導(dǎo)通狀態(tài)電阻,降低柵極電荷和提高開(kāi)關(guān)速度方面。整個(gè)系統(tǒng)的低...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體技術(shù) 5.2k 0
無(wú)線能量傳輸中eGaN? FET高效率設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)方案
ZVS D 類(lèi)和 E 類(lèi)放大器都將在 6.78 MHz 下按照 A4WP 3 類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試,并降低阻抗范圍以確定固有的工作范圍限制。
2021-05-31 標(biāo)簽:放大器MOSFET無(wú)線電力傳輸 1.8k 0
淺談汽車(chē)PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動(dòng)器IC的作用分析
分立式電路的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù),而柵極驅(qū)動(dòng)器IC集成了對(duì)于確??深A(yù)測(cè)和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)非常重要的功能。
2021-05-31 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開(kāi)關(guān) 5.6k 0
基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT...
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 5.8k 0
淺談金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
通過(guò)將柵極放置在絕緣氧化層上來(lái)控制 MOSFET 溝道區(qū)的導(dǎo)電性。作為跨絕緣介電層電容感應(yīng)的電場(chǎng)的結(jié)果,溝道的電導(dǎo)率由施加到柵極的電壓控制。
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7k 0
功率 MOSFET類(lèi)別 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET結(jié)構(gòu)
N 溝道增強(qiáng)模式最常用于電源開(kāi)關(guān)電路,因?yàn)榕c P 溝道器件相比,它的導(dǎo)通電阻低。
2021-06-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET雙極晶體管 5.7k 0
關(guān)于太赫茲開(kāi)關(guān)速度晶體管的研究分析
半導(dǎo)體技術(shù)的最新進(jìn)展推動(dòng)了開(kāi)關(guān)速度大于 1 太赫茲或每秒 1 萬(wàn)億周期的晶體管的概念更接近現(xiàn)實(shí)。晶體管本質(zhì)上是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān),可以控制電流或電壓——這...
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFET逆變器半導(dǎo)體技術(shù) 2.6k 0
MOS的概念、工作原理、分類(lèi)以及相關(guān)應(yīng)用詳解
Hi,大家好。歡迎來(lái)到我們【半導(dǎo)體概念科普】系列文章,本系列會(huì)針對(duì)半導(dǎo)體重要且基礎(chǔ)的概念做一些科普,輔助一些技術(shù)報(bào)告/文章的閱讀和理解。 集成電路按照所...
同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS54302的功能特性及應(yīng)用范圍
TPS54302 是一款輸入電壓范圍為4.5V至28V的3A同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件包含兩個(gè)集成式開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 并且具備內(nèi)部回路補(bǔ)償和 5...
2020-10-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet半導(dǎo)體 5.1k 0
Linear的DC/DC控制器LT3790的性能特點(diǎn)及作用分析
Linear的同步降壓-升壓型 DC/DC 控制器LT3790,采用單個(gè)器件就可提供高達(dá) 250W 功率。LT3790 的 4.7V 至 60V 輸入電...
碳化硅有哪些優(yōu)勢(shì)?能應(yīng)用在那些方面
電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流,但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。
選擇IC需考慮控制器的架構(gòu)和內(nèi)部元件 以期高能效指標(biāo)
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實(shí)際應(yīng)用中無(wú)法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率,但是,一個(gè)高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平,效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC 的...
2020-10-14 標(biāo)簽:電源MOSFET開(kāi)關(guān)電源 4.2k 0
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