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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2022-11-02 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 6.4k 0
都說酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無與倫比的性能...
基于東芝產(chǎn)品的掃地機(jī)器人設(shè)計(jì)方案
清晨7點(diǎn),當(dāng)咖啡機(jī)開始工作,掃地機(jī)器人已悄然完成全屋清掃——這不再是科幻電影的場(chǎng)景,而是當(dāng)代家庭的日常。Statista數(shù)據(jù)顯示,2024年全球清潔機(jī)器...
ROHM 有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC解決方案
ROHM擁有超過220款機(jī)型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC,而且擁有豐碩的市場(chǎng)業(yè)績(jī)。涵蓋的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC包括有刷直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、單相無刷直流電機(jī)、三相無刷直流電機(jī)...
2020-12-18 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 6.4k 0
氣味傳感器的實(shí)戰(zhàn)設(shè)計(jì)應(yīng)用
把學(xué)到的運(yùn)放的知識(shí)用來在實(shí)際原理圖的設(shè)計(jì)中進(jìn)行運(yùn)用。對(duì)于運(yùn)放來講,用哪種的輸入形態(tài)是根據(jù)我們的實(shí)際項(xiàng)目的需要所進(jìn)行的。
深度剖析MOSFET的構(gòu)造/工作原理/驅(qū)動(dòng)電路
要了解功率MOSFET及其驅(qū)動(dòng)電路,首先了解一下MOSFET的構(gòu)造和工作原理是很有用的。功率MOSFET與其他MOSFET一樣,基本上是一種電壓控制器件...
2023-05-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 6.4k 0
開關(guān)電源作為電子設(shè)備中的重要組成部分,其輸出電壓的穩(wěn)定性和調(diào)節(jié)性直接關(guān)系到整個(gè)設(shè)備的運(yùn)行效率和安全性。在實(shí)際應(yīng)用中,有時(shí)需要降低開關(guān)電源的輸出電壓以滿足...
2024-07-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電子設(shè)備 6.4k 0
一文解析SiC MOSFET短路特性及技術(shù)優(yōu)化
電流互感器也是一種較為常見的電流檢測(cè)方法, 使用時(shí)使流過負(fù)載電流的導(dǎo)線或走線穿過電流互感器, 進(jìn)而在電流互感器輸出端輸出與負(fù)載電流成一定比例的感應(yīng)電流。
基于SiC材料的MOSFET的性能及SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求
如何驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性
雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo),那么什么是雪崩耐量呢?即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收...
功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)源來驅(qū)動(dòng),為了提高關(guān)斷的速度,實(shí)現(xiàn)快速的關(guān)斷降低關(guān)斷損耗提高系統(tǒng)效率,在很多ACDC電源、手...
2020-06-07 標(biāo)簽:MOSFETEMI驅(qū)動(dòng)電路 6.3k 0
脈沖 I-V 測(cè)試在 MOSFET 器件表征中的應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)
在晶體管器件的研發(fā)階段,制造商通常需要對(duì)設(shè)計(jì)原型進(jìn)行電學(xué)特性評(píng)估。直流(DC)測(cè)試是最常見的方法,但對(duì)于許多半導(dǎo)體器件而言,只有脈沖或短時(shí)導(dǎo)通(開關(guān))激...
Nexperia均流技術(shù)的并行MOSFET設(shè)計(jì)應(yīng)用
多年來,功率MOSFET一直是高功率應(yīng)用的支柱,能夠可靠地提供大電流。然而,隨著功率應(yīng)用技術(shù)的進(jìn)步,需要極高水平的電流。這些應(yīng)用已達(dá)到功率水平要求,而一...
電源產(chǎn)品設(shè)計(jì),如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理
我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始...
飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型解讀
如果有足夠的時(shí)間,大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為工程師,您想多久了解一次電路應(yīng)用中每個(gè)部分的行為?是的-檢查。半導(dǎo)體公司的模型通常能真正代表電路應(yīng)用條...
本應(yīng)用筆記介紹了使用帶有內(nèi)部雙通道比較器的電流檢測(cè)放大器來監(jiān)視和防止電池電壓過低和電池電流過高。雖然是為鉛酸電池編寫的,但電路和概念可以擴(kuò)展到NiCd,...
采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)雙電壓mosfet驅(qū)動(dòng)電路
自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是,在輸入端IN輸入一個(gè)方波信號(hào),利用電容Cboot將A點(diǎn)電壓抬升至高于VDD的電平,這樣就可以在B...
2016-08-04 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)電路 6.2k 0
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