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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS管,是MOSFET的縮寫,全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,翻譯過來是金屬-...
PicoScope示波器在IGBT動態(tài)性能測試中的應用
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是功率半導體的一種,它可以被簡化的看作為一個能夠快速切換的開關,可以被用來通過低壓脈沖來控制高壓信號的通斷。IGBT具有三個...
低Vth加濕器MOS管解決方案與設計電路圖 100V耐壓MOS管 N溝道
惠海半導體中低壓場效率管(MOSFET) MOS管型號:HC160N10LS 絲印:HC510 參數(shù):100V5A(5N10) 內(nèi)阻:145mR(VGS...
英飛凌實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析
以對稱的布板設計來實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián),給出了實際的測量結果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳...
H 橋(全橋)驅(qū)動器在驅(qū)動有刷直流電機等負載中非常流行,廣泛用于機器人和工業(yè)。使用 H 橋驅(qū)動器的主要優(yōu)點是效率高、旋轉(zhuǎn)方向改變和制動電機。在這篇文章/...
新型固體圖像傳感器LBCAST JFET的內(nèi)部結構特點及功能分析
尼康公司的D2H單反數(shù)字相機中使用了一種新型的固體圖像傳感器LBCAST JFET。該器件在讀數(shù)方式、內(nèi)部結構等方面有了較大改進,與CCD、CMOS圖像...
一種適用于自舉供電的SiC MOSFET可靠驅(qū)動方案
碳化硅場效應晶體管(SiC MOSFET)憑借高速開關特性,大幅降低開關損耗,目前已在各行業(yè)應用中加速滲透。然而,其器件特性所伴隨的高 dV/dt(電壓...
當我們對于用實際組件來實現(xiàn)轉(zhuǎn)換器有更加深入的了解時,這個波形變得復雜了很多。不斷困擾開關轉(zhuǎn)換器的一個特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用...
2023-04-15 標簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 6.1k 0
如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效
作者:Bill Schweber 在各種電源應用領域,例如工業(yè)電機驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等,人們不遺余力...
東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET,新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業(yè)都講求高效率的年代,還有什么是高效率不能解決的呢?
準諧振反激轉(zhuǎn)換器的峰值功率能力及如何處理峰值功率要求
然而,某些應用并非從電源汲取恒定功率。例如,當打印機的打印頭處于工作狀態(tài)或處理打印紙時,打印機以脈沖方式消耗功率。在此特殊案例中,轉(zhuǎn)換器的散熱設計并非針...
2021-03-12 標簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 6.1k 0
MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件,需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇。這些關鍵指標中,以靜態(tài)特性和動態(tài)特性更為重要,本文主要討論動態(tài)特性。...
MOS柵結構是MOSFET的重要組成部分,一個典型的N溝道增強型結構示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個平面內(nèi),半導體的另一個平面可以稱為體...
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