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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

MOSFET的熱阻相關(guān)參數(shù)

主要是關(guān)于MOSFET的基礎(chǔ)知識，但是發(fā)現(xiàn)看datasheet的時候還是一臉懵，有些參數(shù)好像是未曾相識，所以就有了現(xiàn)在的這個補充內(nèi)容，話不多說正式開始。

2023-04-26 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體電路板 5.9k 0

半導(dǎo)體行業(yè)制造工藝解析

使用重離子可以形成源/漏擴(kuò)展(SDE)淺結(jié)(見下圖),通常PMOSSDE使用BF；,而NMOSSDE管使用Sb+重離子或As+。

2023-08-07 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 半導(dǎo)體 5.9k 0

MOS管驅(qū)動電路原理與電路布線設(shè)計

一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G S兩級之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。

2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 PWM 5.9k 1

三菱電機SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用（2）

三菱電機于1997年將DIPIPM正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機開發(fā)了集...

2025-07-19 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 IGBT 5.9k 0

MOSFET參數(shù)的理解

EAS 表示單脈沖雪崩擊穿能量，如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力...

2023-12-11 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體無刷電機 5.9k 0

深度解析車身控制系統(tǒng)的演變過程

智能配電盒一般會將E-fuse和繼電器組合的電氣盒與車身控制器（BCM）集成在一個總的控制單元上，這樣能夠大大減少傳統(tǒng)設(shè)計中BCM和配電盒之間大量的導(dǎo)線...

2023-06-03 標(biāo)簽：MOSFET 控制器車身控制系統(tǒng) 5.9k 0

屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡介

繼上一篇超級結(jié)MOSFET技術(shù)簡介后，我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。

2024-12-27 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 5.9k 0

開關(guān)電源的電路組成及原理詳解

開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)...

2022-11-14 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源濾波電路 5.9k 0

電源輸入端口防止Inrush電流電路

我們?nèi)粘Ｉ钪锌倳佑|到很多充電設(shè)備，如筆記本，拓展塢等，在這些設(shè)備中為了保證電源的穩(wěn)定性會使用比較多的電容，這能夠保證設(shè)備電源穩(wěn)定，但同時也會帶來問題...

2023-02-28 標(biāo)簽：電源三極管 MOSFET 5.9k 0

功率MOSFET常見的幾種電流感知方法介紹

20世紀(jì)70年代出現(xiàn)了世界性的能源危機，電力電子技術(shù)實現(xiàn)對電能的高效能變換和控制，其發(fā)展為節(jié)約能源做出了巨大貢獻(xiàn)。在電能傳輸與轉(zhuǎn)換（包括綠色電源產(chǎn)品）中...

2020-08-14 標(biāo)簽：集成電路 mosfet 開關(guān)電源 5.8k 0

晶體管的誕生及應(yīng)用介紹

硅晶體管的發(fā)展導(dǎo)致更多基于硅的晶體管的發(fā)明，例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。第一個 MOSFET由貝爾實驗室研究員 John Atalla ...

2022-08-05 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 5.8k 0

1000字搞懂MOSFET規(guī)格書中體二極管的關(guān)鍵參數(shù)以及電路設(shè)計關(guān)注點

Part 01 前言上一篇文章我們介紹了MOSFET的體二極管，我們知道了MOSFET體二極管在MOSFET中是廣泛存在的，并且MOSFET經(jīng)過了幾十...

2024-12-08 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電路設(shè)計 5.8k 0

IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高功率半導(dǎo)體器件，具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于...

2023-09-12 標(biāo)簽：MOSFET IGBT BJT 5.8k 0

igct工作原理_igct的構(gòu)成

IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor，集成門控晶閘管）的工作原理是通過對內(nèi)部PN結(jié)區(qū)域施加正向電壓，將PN...

2023-02-28 標(biāo)簽：MOSFET 晶閘管 IGCT 5.8k 0

什么是同步整流器？開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？

同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電...

2017-04-27 標(biāo)簽：二極管 mosfet 整流器 5.8k 0

這篇讓你快速搞懂IGBT的靜態(tài)特性

IGBT的靜態(tài)特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。

2023-11-27 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 靜態(tài)特性 5.8k 0

驅(qū)動電路的必要組成部分有哪些驅(qū)動電路和控制電路的區(qū)別和聯(lián)系

將控制信號進(jìn)行放大，以能夠提供足夠的功率和電流來驅(qū)動執(zhí)行器。功率放大器通常采用晶體管、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）等高功率開關(guān)元件。

2023-09-27 標(biāo)簽：MOSFET 功率放大器晶體管 5.8k 0

基于GaN晶體管的500W電機驅(qū)動方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系

電機是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動的電機驅(qū)動系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個市場非常保守，適應(yīng)新技術(shù)的速度很...

2021-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵碳化硅 5.8k 0

基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動光耦合器設(shè)計方案

本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT...

2021-06-14 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 柵極驅(qū)動器 5.8k 0

SiC MOSFET必不可少的可靠性測試

在功率器件半導(dǎo)體領(lǐng)域，越來越需要高頻高功率耐高溫的功率器件，隨著時間發(fā)展，硅材料在功率器件領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了材料性能的極限，碳化硅憑借其材料的優(yōu)越特性開始大放異彩

2022-10-18 標(biāo)簽：MOSFET SiC 5.8k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
海思

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STM32F103C8T6

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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計算機市場行情；制定計算機組裝計劃；能夠選購組裝需要的硬件設(shè)備，并能合理配置、安裝計算機和外圍設(shè)備；安裝和配置計算機軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備；清晰描述出現(xiàn)的計算機軟硬件故障。
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UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機技術(shù)上最為普遍，目前已有不少廠商推出了UHD超高清電視。
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Proteus軟件是英國Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機及外圍器件。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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在眾多的51系列單片機中，要算國內(nèi)STC 公司的1T增強系列更具有競爭力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機內(nèi)部就自帶高達(dá)60K FLASHROM，這種工藝的存儲器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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步進(jìn)驅(qū)動器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動器接收到一個脈沖信號，它就驅(qū)動步進(jìn)電機按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動一個固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運行的。可以通過控制脈沖個數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時可以通過控制脈沖頻率來控制電機轉(zhuǎn)動的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計理念以生命。
CD4046

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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
服務(wù)機器人

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服務(wù)機器人是機器人家族中的一個年輕成員，到目前為止尚沒有一個嚴(yán)格的定義。不同國家對服務(wù)機器人的認(rèn)識不同。
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四軸飛行器

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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機，簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個螺旋槳都是電機直連的簡單機構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運動原理”中講述。
SDK

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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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靜電防護(hù)

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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