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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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逆變器是將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC)的電力設(shè)備,由于光伏組件或電化學(xué)儲(chǔ)能電池組輸出的是直流電,而現(xiàn)代電網(wǎng)又是以交流電形式傳輸
基于電流采樣運(yùn)放的DCDC電源輸出線損補(bǔ)償電路的詳細(xì)推導(dǎo)計(jì)算
本文以LMR14030和INA213為例,給出了線損補(bǔ)償?shù)脑敿?xì)推導(dǎo)。當(dāng)客戶需要更改電路器件(例如使用不同的DCDC或電流采樣運(yùn)放)或更改電路參數(shù)(例如要...
關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)MOSFET提供了巨大的新特性和功能,但同時(shí)也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET,同時(shí)克服了驅(qū)動(dòng)...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動(dòng)器 4.9k 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效...
A6862主要特性和優(yōu)勢(shì)_汽車(chē)三相固態(tài)繼電器MOSFET驅(qū)動(dòng)方案
Allegro MicroSystems公司的A6862是N溝功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,具有三個(gè)獨(dú)立的浮置柵極驅(qū)動(dòng)輸出,集成的電荷泵控制器穩(wěn)壓器在電源電壓...
2018-04-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 4.9k 0
600W MOSFET功率放大器電路圖及PCB設(shè)計(jì)
這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚(yáng)聲器提供超過(guò) 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級(jí)使用6個(gè)N溝...
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí),自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離...
電焊機(jī)是指為焊接提供一定特性的電源的電器,使用電能源,將電能瞬間轉(zhuǎn)換為熱能。電焊機(jī)適合在干燥的環(huán)境下工作,不需要太多要求,因體積小巧、操作簡(jiǎn)單、使用方便...
2024-08-07 標(biāo)簽:電源MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 4.9k 0
有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)H橋電路:輸出狀態(tài)的切換
本文將介紹有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的H橋的實(shí)際控制(切換)。 H橋電路:輸出狀態(tài)的切換 在上一篇文章中我提到過(guò)在向電機(jī)的兩個(gè)端子施加電壓時(shí)有四種連接方式: ①兩...
2021-03-18 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器直流電機(jī) 4.9k 0
關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護(hù)設(shè)計(jì)
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...
MAX17633同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器的功能特點(diǎn)介紹
This video provides an introduction to the MAX17633 family of parts (MAX1763...
2018-10-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfetmaxim 4.8k 0
回到 ENIAC 時(shí)代,計(jì)算機(jī)本質(zhì)上更多是模擬的,并且使用的數(shù)字 IC 很少。今天,Joe 的計(jì)算機(jī)一般可以在多個(gè)電壓等級(jí)下工作,看過(guò) CPU SMPS...
2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電平轉(zhuǎn)換器微處理器 4.8k 0
從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析
由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來(lái)和大家分享,接下來(lái)的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...
在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個(gè)主要區(qū)域組成。依照其“通道...
選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
Balogh還指出了其他需要考慮的問(wèn)題,例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開(kāi)關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn),這些都會(huì)對(duì)功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。
2022-08-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 4.8k 0
淺談MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)及工作原理
JFET工作電流很小,適合于模擬信號(hào)放大,分為N溝道和P溝道兩種。與雙極型晶體管中的NPN和PNP類(lèi)似,N溝道和P溝道僅是工作電流的方向相反。 而...
2023-11-04 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 4.8k 0
探析在ON狀態(tài)下的MOSFET和三極管有何區(qū)別
本篇文章主要介紹了在ON狀態(tài)下,MOSFET和三極管的區(qū)別。并對(duì)其中的一些細(xì)節(jié)進(jìn)行了深入的分析和講解。希望大家在閱讀過(guò)本篇文章之后能對(duì)著兩種晶體管在ON...
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