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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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開關(guān)電源芯片U321 是一款高性能低成本PWM控制功率器,適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合,外電路簡單、器件個數(shù)少。
使用MOSFET和額外的肖特基二極管的電路設(shè)計可最大限度地減少干擾
在負(fù)載點(POL)降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域,同步變化的高邊和低邊有源開關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關(guān)的此類電路。與使用無源肖特基二極管作為低邊開關(guān)的架構(gòu)相...
2020-11-09 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 4.8k 1
MOSFET管柵極為什么放置一個約100Ω串聯(lián)電阻
在一周前看到在公眾號“電機控制設(shè)計加油站”的一篇推文,“Why 100Ω? 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡單結(jié)論背后不簡單的問題”(點擊加黑文字可以跳轉(zhuǎn)到該推文),對...
2022-07-25 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻MOSFET柵極 4.8k 0
MOSFET柵極電路的常見作用 PNP加速關(guān)斷驅(qū)動電路
首先說一下電源IC直接驅(qū)動,下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動電路未做過多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時要盡量進(jìn)行優(yōu)化。
淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個重要瓶頸:1)器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級相應(yīng)增加,其他結(jié)構(gòu)(溝道、JFET區(qū)等)的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。
同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器TPS54061的主要特性及應(yīng)用
TI公司的TPS54061是集成了高邊和低邊MOSFET的60V 200mA同步降壓DC / DC轉(zhuǎn)換器,采用電流模式控制,簡化了外部補償和靈活選擇元件...
2021-03-12 標(biāo)簽:傳感器轉(zhuǎn)換器mosfet 4.8k 0
基于ADC進(jìn)行數(shù)字控制的低噪聲APD偏置電路實現(xiàn)案例
雪崩光電二極管(APD)被作為接收器探頭用于光通信中。APD的高靈敏度和高帶寬受到了設(shè)計者的廣泛認(rèn)可。
2020-08-08 標(biāo)簽:MOSFET接收器升壓轉(zhuǎn)換器 4.8k 0
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種利用電場效應(yīng)控制半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的電子器件。它在電子電路、信號處理、功率...
2024-05-24 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 4.8k 0
PWM整流和相控整流是電力電子領(lǐng)域中兩種重要的整流技術(shù),它們在不同的應(yīng)用場景中各自發(fā)揮著重要作用。
SiC FET由UnitedSiC率先制造,現(xiàn)已推出第四代產(chǎn)品。第四代產(chǎn)品改進(jìn)了單元密度以降低單位面積的導(dǎo)通電阻(RDS.A),運用銀燒結(jié)粘接和晶圓減薄...
前篇對MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性:在功率轉(zhuǎn)換中,MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開關(guān)特性 4.7k 0
第一因素是誤差放大器。在電壓反饋環(huán)路中,補償網(wǎng)絡(luò)的誤差放大器充當(dāng)了低通濾波器的作用,從而拉長了變換器對輸出電壓變化的響應(yīng)時間。
2021-01-27 標(biāo)簽:MOSFET低通濾波器DC-DC轉(zhuǎn)換器 4.7k 0
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