完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:7866個 瀏覽:235279次 帖子:1157個
CE系列高壓MOSFET:專為消費(fèi)類電子和照明而生
英飛凌CE系列CoolMOS 是英飛凌公司專為消費(fèi)類電子產(chǎn)品和照明產(chǎn)品推出的高壓功率MOSFET。##該案例為一款全球輸入范圍的15W充電器。##接下來...
利用SiC CJFET替代超結(jié)MOSFET以及開關(guān)電源應(yīng)用
碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何...
2026-04-24 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源SiC 5k 0
隨著能源效率成為全球關(guān)注的焦點,半導(dǎo)體行業(yè)迎來了技術(shù)革新的浪潮。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)便是這一背景下的產(chǎn)物,其通過電場效應(yīng)調(diào)控導(dǎo)電...
帶保護(hù)環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 A.Kanale和B.J.Baliga,“加強(qiáng)短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
正激式開關(guān)電源的工作原理相對復(fù)雜但高效,其工作原理主要涉及能量的轉(zhuǎn)換、傳輸和控制。
2024-08-19 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)管正激式開關(guān)電源 5k 0
Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度
來源:C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度(LER)指的是柵極圖案邊緣的隨機(jī)變化,即印刷圖案邊緣的粗糙度。當(dāng)最小特征尺寸減小到幾十...
功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動相關(guān)的損耗
損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動器電壓或者實測,或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)柵極驅(qū)動 5k 0
基于FPS的離線反激式轉(zhuǎn)換器的分步設(shè)計
本應(yīng)用筆記介紹了使用飛兆半導(dǎo)體電源開關(guān)(FPS)的離線反激式轉(zhuǎn)換器的分步設(shè)計程序和指南。使用包含本文中使用的所有方程式的FPSdesign輔助軟件,可以...
2021-05-21 標(biāo)簽:變壓器MOSFET反激式轉(zhuǎn)換器 5k 1
GaN MOSFET(氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率器件,具有高功率密度、高效率和快速開關(guān)速度等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比...
繼上一篇“兩相雙極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動”之后,本文將從兩相單極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動電路,兩相單極步進(jìn)電機(jī)的兩相勵磁PWM驅(qū)動波形兩個方面來介紹“兩相單極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)...
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動電路 5k 0
FET 恒流源使用 JFET 和 MOSFET 來提供負(fù)載電流,盡管負(fù)載電阻或電源電壓發(fā)生變化,但仍保持恒定。
MOSFET如何定義 MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)詳解
功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu),如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorol...
如何將SiC庫導(dǎo)入LTspice并對其進(jìn)行仿真
碳化硅 (SiC)是一種越來越重要的半導(dǎo)體材料:用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫,這些組件現(xiàn)在在...
感應(yīng)加熱的基本原理 感應(yīng)加熱中的功率半導(dǎo)體
感應(yīng)加熱是一種強(qiáng)大的熱處理技術(shù),它利用感應(yīng)電流在導(dǎo)電材料內(nèi)產(chǎn)生的電阻加熱來快速加熱金屬物體。
2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管感應(yīng)加熱 4.9k 0
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |