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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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選型手冊:VS3508AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝,適配低壓電源的高側(cè)開關(guān)...
2025-12-24 標(biāo)簽:MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體 1.1k 0
驅(qū)動(dòng)IC兩級(jí)關(guān)斷(2LTO)確立為碳化硅MOSFET短路保護(hù)最佳配置的機(jī)理解析
驅(qū)動(dòng)IC兩級(jí)關(guān)斷(2LTO)確立為碳化硅MOSFET短路保護(hù)最佳配置的物理機(jī)制與工程原理深度研究報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功...
2025-12-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)IC短路保護(hù) 1.3k 0
浮思特 | 至信微 650V SiC MOSFET 如何提升光伏逆變器效率?
在光伏行業(yè)快速發(fā)展的今天,高效、可靠、緊湊的逆變器設(shè)計(jì)已成為提升系統(tǒng)整體性能的關(guān)鍵。隨著第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù)的成熟,光伏逆變器的設(shè)計(jì)迎來了新...
芯導(dǎo)科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進(jìn)
在手機(jī)快充、新能源汽車電驅(qū)、光伏逆變器等電力電子設(shè)備中,藏著一個(gè)關(guān)鍵“電子開關(guān)”——功率MOSFET。它的核心使命是快速控制電流的通斷,而“開關(guān)頻率”直...
新潔能 NCE3080K MOSFET:低阻高速,功率電路的可靠 MOS 管之選
在電子設(shè)備的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)或高頻電路中,一個(gè)性能可靠的開關(guān)元件至關(guān)重要。南山電子代理的新潔能NCE3080K就是這樣一款設(shè)計(jì)精良的N溝道功率MOSF...
瞻芯電子G2 650V SiC MOSFET的魯棒性驗(yàn)證試驗(yàn)
瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型,對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進(jìn)行了魯棒性驗(yàn)證試驗(yàn)(Robustness-Valida...
關(guān)于0.42mΩ超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場應(yīng)用與挑戰(zhàn)
在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)(BMS)設(shè)計(jì)中,MOSFET作為開關(guān)元件,扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生,因此低...
2025-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電池管理系統(tǒng)MOS 448 0
從USB到MOSFET柵極:雷卯電子拆解智能割草機(jī)全鏈路EMC防護(hù)方案
行業(yè)圖譜EMC保護(hù)方案大全國外品牌替代表EMC行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)雷卯實(shí)驗(yàn)室免費(fèi)測試?yán)酌a(chǎn)品規(guī)格書講解請點(diǎn)擊以上內(nèi)容了解更多割草機(jī)器人核心構(gòu)成割草機(jī)器人是一款能自主...
BMS設(shè)計(jì)中如何選擇MOSFET——關(guān)鍵考慮因素與最佳實(shí)踐
在電池管理系統(tǒng)(BMS)設(shè)計(jì)中,辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為開關(guān)元件,負(fù)責(zé)電池充放電、均衡、過流保護(hù)和溫度控制等功能的實(shí)現(xiàn)。MOSFET的性能直接影響系統(tǒng)...
碳化硅 (SiC) MOSFET 短路保護(hù)隔離驅(qū)動(dòng) IC 研究報(bào)告:基于兩級(jí)關(guān)斷 (2LTO) 機(jī)制的競品分析與技術(shù)對比
碳化硅 (SiC) MOSFET 短路保護(hù)隔離驅(qū)動(dòng) IC 研究報(bào)告:基于兩級(jí)關(guān)斷 (2LTO) 機(jī)制的競品分析與技術(shù)對比 傾佳電子(Changer Te...
2025-12-14 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅隔離驅(qū)動(dòng) 3k 0
選型手冊:VSD950N70HS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSD950N70HS是一款面向700V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器...
選型手冊:VS3622AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流...
新潔能功率MOSFET NCE2060K詳解:一款適用于高頻開關(guān)場景的20V/60A器件
在功率開關(guān)電路設(shè)計(jì)中,MOSFET的選擇往往直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。南山電子代理品牌新潔能(NCE)推出的NCE2060K,便是一款在中等電壓...
2025-12-09 標(biāo)簽:MOSFETMOS高頻開關(guān) 1k 0
深入解析 onsemi NCx57080y/NCx57081y 高電流單通道 IGBT/MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器
在高功率應(yīng)用領(lǐng)域,工程師們一直在尋找能夠提升系統(tǒng)效率和可靠性的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCx57080y 和 NCx57081y 高電流單通道 IG...
深入解析NCx57090y, NCx57091y:高性能IGBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)器
在電力電子領(lǐng)域,IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其驅(qū)動(dòng)電路的性能對整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來詳細(xì)探討一下安森...
2025-12-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2.2k 0
深入解析 onsemi NTHL045N065SC1 SiC MOSFET
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天我們就來詳細(xì)解析 onsemi 的 NTHL045N065S...
探索NCV7546:FLEXMOS可編程半橋MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器的卓越性能
在電子工程領(lǐng)域,高效且可靠的MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器對于各類應(yīng)用至關(guān)重要。今天,我們將深入探討ON Semiconductor的NCV7546,一款屬于FL...
Onsemi NTMFS3D2N10MD N溝道功率MOSFET深度解析
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們來詳細(xì)探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET,看看它在實(shí)...
Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N065SC1的性能剖析與應(yīng)用指南
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為工程師們的首選。今天我們就來詳細(xì)剖析Onsemi的一款650V、44毫歐的N溝道碳化...
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