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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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CSD17579Q5A 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET深度解析
CSD17579Q5A 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其...
2026-03-05 標(biāo)簽:MOSFET功率器件CSD17579Q5A 276 0
CSD19535KTT 100V N - Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析
CSD19535KTT 100V N - Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率 MOSFET 是至關(guān)...
2026-03-05 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)CSD19535KTT 326 0
深度剖析CSD22204W -8 V P-Channel NexFET? Power MOSFET
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探索CSD18536KCS 60V N-Channel NexFET? Power MOSFET:高效能與可靠性的完美結(jié)合
探索CSD18536KCS 60V N-Channel NexFET? Power MOSFET:高效能與可靠性的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域,功率MOSF...
2026-03-05 標(biāo)簽:MOSFET電子工程CSD18536KCS 323 0
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CSD25484F4 -20-V P-Channel FemtoFET? MOSFET技術(shù)解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的電子元件,其性能直...
2026-03-05 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)CSD25484F4 305 0
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CSD25480F3 -20-V P-Channel FemtoFET? MOSFET技術(shù)解析 一、引言 在當(dāng)今的電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,對(duì)于小型化、高性能的需...
2026-03-05 標(biāo)簽:MOSFET電子應(yīng)用CSD25480F3 305 0
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CSD23280F3 -12-V P-Channel FemtoFET? MOSFET技術(shù)解析 在電子設(shè)備日益小型化和高性能化的今天,MOSFET作為關(guān)...
2026-03-05 標(biāo)簽:MOSFET電子元件CSD23280F3 301 0
CSD17382F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET:小尺寸大能量
CSD17382F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET:小尺寸大能量 在電子設(shè)計(jì)的世界里,不斷追求更小尺寸、更高性能的器件...
2026-03-05 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)CSD17382F4 271 0
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CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET? MOSFET:小身材大能量 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,我們常常面臨著在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能...
2026-03-05 標(biāo)簽:MOSFET通用開(kāi)關(guān)工業(yè)負(fù)載開(kāi)關(guān) 302 0
CSD18541F5 60-V N-Channel FemtoFET? MOSFET技術(shù)剖析
CSD18541F5 60-V N-Channel FemtoFET? MOSFET技術(shù)剖析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用...
2026-03-05 標(biāo)簽:MOSFETCSD18541F5工業(yè)負(fù)載開(kāi)關(guān) 307 0
探究CSD15380F3 20 - V N - Channel FemtoFET? MOSFET:特性、應(yīng)用及設(shè)計(jì)要點(diǎn)
探究CSD15380F3 20 - V N - Channel FemtoFET? MOSFET:特性、應(yīng)用及設(shè)計(jì)要點(diǎn) 電子工程師在進(jìn)行硬件設(shè)計(jì)時(shí),對(duì)于...
2026-03-05 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)CSD15380F3 224 0
面對(duì)高效、緊湊的電力電子系統(tǒng)需求,功率器件的選型已成為設(shè)計(jì)核心。當(dāng)前,SiC MOSFET與硅基IGBT是兩大主流技術(shù)路線,各具性能與成本優(yōu)勢(shì)。厘清二者...
AI數(shù)據(jù)中心高壓中間母線轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選型
本白皮書(shū)將重點(diǎn)圍繞實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)的轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體技術(shù)展開(kāi)探討。 內(nèi)容主要聚焦于原邊的拓?fù)溥x擇與半導(dǎo)體器件;副邊假定采用低壓硅基 MOSFET , ...
2026-03-02 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET半導(dǎo)體 3.8k 0
AI數(shù)據(jù)中心高壓中間母線轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用選型
隨著AI數(shù)據(jù)中心向更高功率密度和更高效能源分配演進(jìn) ,高壓中間母線轉(zhuǎn)換器 ( HV IBC) 正逐漸成為下一代云計(jì)算供電架構(gòu)中的關(guān)鍵器件。
2026-03-02 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET安森美 2.9k 0
通過(guò)特定方法驗(yàn)證T2PAK封裝散熱設(shè)計(jì)的有效性
盡管這些方案能有效降低PCB熱阻,但因需增加額外的制造工序而成本較高。相比之下,頂面散熱的T2PAK封裝可直接通過(guò)器件頂部高效散熱,無(wú)需額外的高成本制造...
新潔能NCEP0218G:200V低損耗功率MOSFET,為高頻開(kāi)關(guān)而生
在DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,功率MOSFET的導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗往往是系統(tǒng)效率的關(guān)鍵瓶頸。新潔能(NCEPower)推出的NCEP02...
2026-02-12 標(biāo)簽:MOSFETMOS高頻開(kāi)關(guān) 3.5k 0
LLC電源設(shè)計(jì)的核心原理與詳細(xì)步驟
提到高性能的DC-DC變換器,LLC絕對(duì)是繞不開(kāi)的話題。它能輕松實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的零電壓開(kāi)通(ZVS),大幅降低開(kāi)關(guān)損耗,使得電源的效率和功率密度再上一個(gè)臺(tái)階。
2026-02-11 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)零電壓開(kāi)關(guān) 1.6萬(wàn) 0
基于東芝產(chǎn)品的無(wú)繩電動(dòng)工具解決方案
無(wú)繩電動(dòng)工具日益普及,卻面臨續(xù)航短、動(dòng)力弱的核心挑戰(zhàn)。關(guān)鍵時(shí)刻的“罷工”或高負(fù)荷下的“疲軟”,背后是電池管理、電機(jī)控制與功耗設(shè)計(jì)的復(fù)雜博弈。
2026-02-10 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體電動(dòng)工具 560 0
MAX16128/MAX16129:負(fù)載突降/反極性電壓保護(hù)電路的卓越之選
MAX16128/MAX16129:負(fù)載突降/反極性電壓保護(hù)電路的卓越之選 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,電源保護(hù)至關(guān)重要。尤其是在汽車、工業(yè)、航空電子以及電信等...
2026-02-10 標(biāo)簽:MOSFET電源保護(hù)MAX16128/MAX16129 271 0
BTP1521P構(gòu)建SiC碳化硅MOSFET門(mén)極隔離驅(qū)動(dòng)電源供電方案的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)...
2026-02-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)電源 1.1k 0
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