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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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浮思特 | SiC MOSFET 賦能電動(dòng)主驅(qū)逆變器:效率與動(dòng)力的雙重突破
在電動(dòng)汽車的核心動(dòng)力鏈中,主驅(qū)逆變器被譽(yù)為“動(dòng)力心臟”。它承擔(dān)著將電池直流電轉(zhuǎn)換為電機(jī)交流電的關(guān)鍵職責(zé),其性能直接決定了車輛的動(dòng)力響應(yīng)、續(xù)航能力和空間利...
2025-11-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC MOSFET 1.2k 0
基于VOMDA1271數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay Semiconductors VOMDA1271汽車用MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供從隔離柵低壓一次側(cè)紅外發(fā)射器驅(qū)動(dòng)內(nèi)部電路所需的全部電流。該款汽...
2025-11-14 標(biāo)簽:MOSFET紅外發(fā)射器MOSFET驅(qū)動(dòng) 817 0
?SiHR080N60E功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET,采用PowerPAK...
MDD MOSFET故障的快速定位與修復(fù)方法(通用電路篇)
在各類電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制電路中,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET是最常見(jiàn)的功率器件之一。由于其工作頻率高、電流大、溫升快,一旦出現(xiàn)故障,往往會(huì)造成系統(tǒng)停機(jī)...
Vishay SiRS5700DP N溝道MOSFET技術(shù)深度解析:性能優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用實(shí)踐
Vishay SiRS5700DP N溝道150V(D-S)MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET,具有非常低的R~DS~ x Q...
為EliteSiC匹配柵極驅(qū)動(dòng)器指南旨在針對(duì)各類高功率主流應(yīng)用,提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅(qū)動(dòng)器的專業(yè)指導(dǎo),同時(shí)探索減少導(dǎo)通損耗與功率損耗的有...
2025-11-13 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 592 0
?Vishay 1.5KE系列瞬態(tài)電壓抑制器應(yīng)用解析與技術(shù)指南
Vishay Semiconductors TransZorb^?^ 瞬態(tài)電壓抑制器采用玻璃鈍化芯片結(jié),耗散功率為6.5W。這些電壓抑制器具有出色的鉗位...
2025-11-12 標(biāo)簽:MOSFET電壓抑制器瞬態(tài)電壓抑制器 829 0
基于Vishay SiJK140E MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V(D-S)MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術(shù)。該MOSFET優(yōu)化了...
?基于Vishay VOFD341A光耦驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay Semiconductors VOFD341A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器是采用加長(zhǎng)SO-6封裝的緊湊型、快速開(kāi)關(guān)IGBT和MOSFET...
2025-11-11 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.8k 0
Vishay VOFD343A 大功率光耦驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器是采用加長(zhǎng)SO-6封裝的緊湊型高設(shè)計(jì)、快速開(kāi)關(guān)IGBT和M...
2025-11-11 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.9k 0
Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET? 第四代N溝道功率MOSFET技術(shù)解析
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計(jì)用于高效電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用。SiEH48...
基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析
Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET,具有100V漏源電壓。該...
選型手冊(cè):MOT6511J N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8...
選型手冊(cè):MOT2914J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
仁懋電子(MOT)推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻...
選型手冊(cè):MOT3920J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
仁懋電子(MOT)推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻...
MOSFET焊料選型避坑指南:焊材廠家研發(fā)工程師帶你看透匹配的核心邏輯
MOSFET作為高頻高效功率器件,焊料選型需遵循溫度匹配、性能平衡、工藝適配、可靠性與合規(guī)四大核心原則,這源于其結(jié)溫特性、低阻優(yōu)勢(shì)、多樣封裝及長(zhǎng)期工作需...
Vishay SiC658A集成功率級(jí)技術(shù)解析:打造高效能同步降壓解決方案
Vishay SiC658A 50A VRPower ^?^ 集成功率級(jí)具備高效率和出色的散熱性能,非常適合大電流應(yīng)用。Vishay SiC658A憑借...
基于JEDEC JEP183A標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET閾值電壓精確測(cè)量方法
閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體) 的一種基本的電學(xué)參數(shù)。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓,以建立MOSFET漏極...
選型手冊(cè):MOT4N70D N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT4N70D是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開(kāi)關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛...
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