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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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德州儀器LM74912Q1EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
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?XTR111精密電壓-電流轉(zhuǎn)換器技術(shù)文檔總結(jié)
XTR111 是一款精密電壓電流轉(zhuǎn)換器,專為標(biāo)準(zhǔn) 0mA 至 20mA 或 4mA 至 20mA 模擬信號而設(shè)計,并提供高達 32mA 的信號源。輸入電...
UCC27332-Q1高速低側(cè)柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments UCC27332-Q1單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器可有效驅(qū)動MOSFET和GaN電源開關(guān)。UCC27332-Q1具有9A...
2025-08-13 標(biāo)簽:MOSFET單通道電源開關(guān) 1.1k 0
UCC27444-Q1高速低側(cè)柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments UCC27442-Q1雙通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器可有效驅(qū)動MOSFET和GaN電源開關(guān)。UCC 27442-Q1的典型...
2025-08-13 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)雙通道 1.1k 0
LM74722-Q1理想二極管控制器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LM74722-Q1理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背N溝道MOSFET,以模擬具有電源路徑開和關(guān)控制以及過壓保...
CSD95410 NexFET?智能功率級技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD95410 NexFET? 智能功率級是一種高度優(yōu)化的設(shè)計,適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)...
2025-08-12 標(biāo)簽:MOSFET高功率同步降壓轉(zhuǎn)換器 1.3k 0
TPS2295x-Q1汽車級負載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS2295x-Q1單通道負載開關(guān)具有受控導(dǎo)通功能。該器件包含一個N溝道MOSFET,可支持最大5A的連續(xù)電流,并...
2025-08-12 標(biāo)簽:MOSFET負載開關(guān)單通道 873 0
TPS552872/TPS552872-Q1轉(zhuǎn)換器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS552872/TPS552872-Q1全集成降壓-升壓式轉(zhuǎn)換器經(jīng)過優(yōu)化,可將電池電壓適配器電壓轉(zhuǎn)換為電源軌。T...
2025-08-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET降壓-升壓 1.4k 0
Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動器技術(shù)解析
Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動器是一款高速低側(cè)柵極驅(qū)動器,可有效驅(qū)動MOSFET和IGBT功率開關(guān)。該驅(qū)動器在12V...
德州儀器LM74930-Q1理想二極管控制器技術(shù)解析
Texas Instruments LM74930-Q1理想二極管控制器是一款帶斷路器的汽車類理想二極管浪涌抑制器。 該集成電路驅(qū)動和控制外部背靠背N...
德州儀器LM2104半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)解析
Texas Instruments LM2104半橋柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET,具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅(qū)動器在GVD...
基于SiC MOSFET的T型三電平數(shù)據(jù)中心UPS高效設(shè)計方案
以下是基于B3M010C075Z(750V)和B3M013C120Z(1200V)SiC MOSFET的 T型三電平數(shù)據(jù)中心UPS高效設(shè)計方案 ,融合多...
2025-08-10 標(biāo)簽:MOSFETUPS數(shù)據(jù)中心 1.4k 0
三菱電機SiC MOSFET在電動汽車中的應(yīng)用(2)
隨著市場需求的不斷增長,SiC MOSFET在電動汽車中的應(yīng)用日益廣泛,已經(jīng)成為推動電動汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機SiC...
三菱電機SiC MOSFET在電動汽車中的應(yīng)用(1)
隨著市場需求的不斷增長,SiC MOSFET在電動汽車中的應(yīng)用日益廣泛,已經(jīng)成為推動電動汽車高效能的重要技術(shù)之一。本章節(jié)主要帶你探究三菱電機的SiC M...
LM63460-Q1/LM63440-Q1 汽車級同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器技術(shù)解析
Texas Instruments LM63460-Q1/LM64460-Q1同步降壓式轉(zhuǎn)換器屬于汽車類同步降壓式直流/直流轉(zhuǎn)換器系列,具有卓越的效率和...
2025-08-08 標(biāo)簽:MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換器直流-直流轉(zhuǎn)換器 1.1k 0
LM2101 107V半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instrument LM2101半橋柵極驅(qū)動器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。...
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Texas Instruments TPS22999導(dǎo)通電阻負載開關(guān)是一款單通道負載開關(guān),旨在實現(xiàn)快速導(dǎo)通時間和較低的浪涌電流。該負載開關(guān)具有N溝道MO...
2025-08-08 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負載開關(guān) 1.4k 0
?CSD96371Q5M 同步降壓NexFET?功率級芯片總結(jié)
CSD96371Q5M NexFET 功率級采用優(yōu)化設(shè)計,可用于高功率高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了柵極驅(qū)動器IC和功率MOSFET,以完成功率級開...
2025-08-08 標(biāo)簽:MOSFET封裝同步降壓轉(zhuǎn)換器 1k 0
CSD43301Q5M NexFET? 智能同步整流器數(shù)據(jù)手冊
CSD43301Q5M NexFET 智能同步整流器是一款 高度優(yōu)化的設(shè)計,用于在高功率高密度 DC/DC 中進行二次同步整流 轉(zhuǎn)爐。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動I...
CSD95372BQ5M 60A 同步降壓 NexFET? 智能功率級數(shù)據(jù)手冊
CSD95372BQ5M NexFET? 智能功率級是一種高度優(yōu)化設(shè)計,用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。本產(chǎn)品集成了驅(qū)動 IC 和功率 MOSFET,...
2025-08-07 標(biāo)簽:MOSFET封裝同步降壓轉(zhuǎn)換器 1.1k 0
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