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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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電機(jī)的典型驅(qū)動(dòng)方法包括電壓驅(qū)動(dòng)、電流驅(qū)動(dòng)以及PWM驅(qū)動(dòng)。本文將介紹采用PWM驅(qū)動(dòng)方式的恒流工作。首先介紹的是什么是PWM驅(qū)動(dòng)的電機(jī)恒流工作,其次是PWM...
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFETPWM驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2.9k 0
浪涌抑制器簡(jiǎn)化了MIL-STD-1275D合規(guī)性
MIL-STD-1275D 合規(guī)性可以通過(guò)蠻力實(shí)現(xiàn),使用笨重的無(wú)源元件將高能級(jí)分流到地面。這種方法不能保證向下游電子設(shè)備供電,并且可能需要在工作時(shí)更換損...
ARK(方舟微)DMZ6005E在PD快充方案中的應(yīng)用說(shuō)明
待機(jī)零功耗是未來(lái)電源管理方案的發(fā)展趨勢(shì),各大PD快充方案均有待機(jī)低功耗解決方案,但選擇DMZ6005E(ARK(方舟微)DMMOS ?系列產(chǎn)品之一,耗盡...
上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSF...
MOS管怎么用?從認(rèn)識(shí)米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手
要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。
光電耦合器是由輸入側(cè)的LED和輸出側(cè)的光電探測(cè)器組合在一起的產(chǎn)物。光電耦合器產(chǎn)品因輸出側(cè)光電探測(cè)器的類型而異。其主要品種包括晶體管輸出光電耦合器、IC輸...
柵極驅(qū)動(dòng)ic和源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)ic選型看哪些參數(shù)
一、柵極驅(qū)動(dòng)IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色,它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。 功能差異 : 柵極驅(qū)動(dòng)IC :柵極驅(qū)動(dòng)...
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中,必須防止電流過(guò)大,以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì)導(dǎo)致電...
2023-03-13 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器MOSFET 2.9k 0
在射頻功率放大器中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的選擇對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率放大至關(guān)重要。雖然射頻功率放大器的設(shè)計(jì)可能涉及多種不同類型...
代對(duì)于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢?
對(duì)于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢?
說(shuō)到電容器,應(yīng)該是全民皆知的器件了。它在電子技術(shù)領(lǐng)域有著許多重要的應(yīng)用,無(wú)論是“超級(jí)電容”還是“固態(tài)電容”,本職工作依然離不開充電、放電以及存儲(chǔ)電量。
作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大; 干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相...
三相正弦波逆變器瞬態(tài)的共同導(dǎo)通問(wèn)題設(shè)計(jì)方案
在三相正弦波逆變器瞬中瞬態(tài)共同導(dǎo)通往往是被忽略的問(wèn)題,因?yàn)樗矐B(tài)過(guò)程很難捕捉。本文以半橋變換器為例,就這個(gè)問(wèn)題進(jìn)行討論并給出相應(yīng)方案。
ADI技術(shù)文章 - 電池充電器的反向電壓保護(hù)
負(fù)載和充電器雖與反向電壓隔離,但是起保護(hù)作用的 MOSFET 現(xiàn)在面臨的一大問(wèn)題是功耗過(guò)高。
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
柵極驅(qū)動(dòng)器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電...
2025-04-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 2.9k 0
高耐壓600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器WD0412引腳參數(shù)與電路應(yīng)用
WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動(dòng)器,具有高低邊兩路輸出,可以單獨(dú)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IG...
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