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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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副邊同步后置穩(wěn)壓器為多輸出隔離電源提供精密調(diào)節(jié)和高效率
LT3710 控制器為多輸出隔離式電源應(yīng)用帶來(lái)了簡(jiǎn)單性、高效率和精準(zhǔn)的調(diào)節(jié)。LT?3710 是一款特殊的同步降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器,具有雙通道 N 溝道 ...
2023-05-08 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 2.8k 0
車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求 2、車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹
上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。貝嶺150V SGT系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)工藝,使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能;采用深溝槽、...
2025-01-03 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī) 2.8k 0
本文將介紹如何根據(jù)開(kāi)關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對(duì)開(kāi)關(guān)波形進(jìn)行分割,并使...
2025-06-12 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOSFET波形 2.8k 0
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的開(kāi)關(guān)...
2024-09-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)損耗 2.8k 0
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
電動(dòng)汽車(chē)OBC分類(lèi)及其大功率PFC技術(shù)分析
高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計(jì)CoolMOS CFD7A在硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校绕涫禽p負(fù)荷條件下具有較大改進(jìn),令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比,其...
2023-09-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET功率半導(dǎo)體 2.8k 0
MOS 管在逆變電路,開(kāi)光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn),習(xí)慣上稱(chēng)之為上管和下管,如圖Figure 1中的同步Buck 變換器,High-side MOSFE...
在選擇逆變器電路中的開(kāi)關(guān)器件時(shí),要選擇trr小的產(chǎn)品,這一點(diǎn)很重要。
FCL的基本工作原理是通過(guò)快速改變電路的阻抗來(lái)限制故障電流。它通常由電力電子器件(如IGBT、MOSFET等)及其控制電路組成。
2024-02-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 2.8k 0
本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是研究有源整流器電路。具體而言,有源整流器電路集成了運(yùn)算放大器、低閾值P溝道MOSFET和反饋環(huán)路,以合成一個(gè)正向壓降低于傳統(tǒng)PN結(jié)二極...
2023-05-29 標(biāo)簽:MOSFET整流器運(yùn)算放大器 2.8k 0
安森美EliteSiC MOSFET與柵極驅(qū)動(dòng)器在電動(dòng)汽車(chē)電力系統(tǒng)的應(yīng)用
在歐盟2035年零排放目標(biāo)等雄心勃勃的計(jì)劃推動(dòng)下,從化石燃料向電動(dòng)汽車(chē)(EV)的轉(zhuǎn)型正在加速。為了吸引消費(fèi)者,電動(dòng)汽車(chē)必須擁有足夠的續(xù)航里程,支持快速充...
2025-07-10 標(biāo)簽:MOSFET安森美電力系統(tǒng) 2.8k 0
LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例
從本文開(kāi)始將介紹在具體應(yīng)用中效率等的改善案例。LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例,下面的電路摘自實(shí)際...
2023-02-10 標(biāo)簽:led轉(zhuǎn)換器MOSFET 2.8k 0
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)
我們常說(shuō)IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)所構(gòu)成
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 2.8k 0
逆變器中MOS管和IGBT的選型對(duì)EMC有什么影響
逆變器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)或IGBT(Insula...
在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢(shì)。
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)...
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.8k 0
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新,包括鍵合...
動(dòng)態(tài)測(cè)試確認(rèn)SiC開(kāi)關(guān)頻率的準(zhǔn)確性
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅,因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受,專(zhuān)家們?nèi)圆粩鄼z查其真實(shí)性。
2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC動(dòng)態(tài)測(cè)試 2.8k 0
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