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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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碳化硅 (SiC) MOSFET 短路保護隔離驅(qū)動 IC 研究報告:基于兩級關(guān)斷 (2LTO) 機制的競品分析與技術(shù)對比
碳化硅 (SiC) MOSFET 短路保護隔離驅(qū)動 IC 研究報告:基于兩級關(guān)斷 (2LTO) 機制的競品分析與技術(shù)對比 傾佳電子(Changer Te...
浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開關(guān)解決方案
電子設(shè)備正逐漸融入越來越多的產(chǎn)品中。無論產(chǎn)品是便攜式還是固定式,大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此,采用了電力電...
2025-07-02 標簽:MOSFETIGBT電力開關(guān) 3k 0
ROHM開發(fā)出第4代SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界先進的低導(dǎo)通電阻
ROHM于2015年世界上第一家成功地實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 標簽:MOSFET逆變器低導(dǎo)通電阻 3k 0
根據(jù)負載的電流大小,可以分為大/小電流用電器,30A是汽車單顆智能MOSFET行業(yè)的標準閾值。根據(jù)用電器的控制方式,可以劃分為開關(guān)控制和功率調(diào)節(jié)控制兩類。
在電子電路設(shè)計中,MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率器件,具有高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動功耗等優(yōu)點。然而,如果MOSFE...
2024-08-01 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管功率器件 3k 0
AI數(shù)據(jù)中心高壓中間母線轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用選型
隨著AI數(shù)據(jù)中心向更高功率密度和更高效能源分配演進 ,高壓中間母線轉(zhuǎn)換器 ( HV IBC) 正逐漸成為下一代云計算供電架構(gòu)中的關(guān)鍵器件。
2026-03-02 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET安森美 3k 0
?TPS61183 白光LED驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
TPS61183器件為筆記本電腦LCD背光提供高度集成的白光LED (WLED)驅(qū)動器解決方案。該器件具有內(nèi)置高效升壓穩(wěn)壓器,集成了 2A、40V 功率...
電流檢測電阻與開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)的放置決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流(連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值)和平均輸出電流。檢測電阻...
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗...
傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)(即碳化硅)已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由...
今天和大家分享一下MOSFET的設(shè)計參數(shù),MOSFET在電路設(shè)計中應(yīng)用非常廣泛,尤其是模擬電路中,各種電源變換,電機控制中都會看到MOSFET的身影,而...
開關(guān)電源芯片SF1538DP的主要特性及其主引腳說明
工程師們在開關(guān)電源適配器的新產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計過程中,通常會為所設(shè)計的新產(chǎn)品添加一些保護措施,以此來避免開關(guān)電源適配器在使用過程中出現(xiàn)短路或元件損壞、使其工作...
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