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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

支持電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1...

2018-11-03 標(biāo)簽:MOSFETLittelfuse 5.7k 0

MOSFET放大器的概念、工作過程及類型

MOSFET放大器的概念、工作過程及類型

放大器是一種電子設(shè)備,用于增強(qiáng)輸入信號(hào)的幅度,它是唱片播放器或CD播放器等音頻源以及均衡器、前置放大器和揚(yáng)聲器等其他設(shè)備的重要組成部分。放大器的子類別是...

2022-09-12 標(biāo)簽:放大器MOSFETBJT 5.6k 0

從事開發(fā)近20年的工程師,談電源技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用

從事開發(fā)近20年的工程師,談電源技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用

基于客戶對(duì)該產(chǎn)品的電性要求極其苛刻且產(chǎn)品要快速進(jìn)入市場(chǎng),經(jīng)過長(zhǎng)達(dá)1個(gè)多月的日夜奮戰(zhàn),對(duì)產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)的研究和測(cè)試,最終實(shí)現(xiàn)了相關(guān)技術(shù)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的應(yīng)用和突...

2019-01-15 標(biāo)簽:電源電子元器件MOSFET 5.6k 0

mos管的功耗看哪個(gè)參數(shù)?功率管上面的參數(shù)是什么意思?

mos管的功耗看哪個(gè)參數(shù)?功率管上面的參數(shù)是什么意思? MOS管又稱金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),是一種用來控制電流的半導(dǎo)體器件,被廣泛...

2023-09-02 標(biāo)簽:MOSFETMOS管散熱器 5.6k 0

智創(chuàng)無界,芯向未來:深圳爭(zhēng)妍微參與2026 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)大會(huì)

智創(chuàng)無界,芯向未來:深圳爭(zhēng)妍微參與2026 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)大會(huì)

2026 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)大會(huì)暨 2025 年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商-電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌頒獎(jiǎng)盛典圓滿舉行,深圳爭(zhēng)妍微電子有限公司亮相展會(huì)并斬獲...

2026-04-11 標(biāo)簽:MOSFET可控硅IGBT 5.6k 0

東芝推出了一款以小型貼片式MOSFET為主導(dǎo)的產(chǎn)品—XPN3R804NC

東芝推出了一款以小型貼片式MOSFET為主導(dǎo)的產(chǎn)品—XPN3R804NC

MOSFET是電路中最基本的元器件,其憑借著開關(guān)速度快、導(dǎo)通電壓低、電壓驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在各個(gè)電子領(lǐng)域之中,其中不乏汽車電子領(lǐng)域方面。 眾所周...

2021-08-16 標(biāo)簽:MOSFET元器件汽車電子 5.6k 0

LRC 樂山無線電代理_二極管、三極管、MOSFET_貞光科技授權(quán)代理

LRC 樂山無線電代理_二極管、三極管、MOSFET_貞光科技授權(quán)代理

各位貞朋友好,今日推薦貞光科技代理品牌,優(yōu)秀原廠——LRC樂山無線電,貞光科技主要代理樂山無線電的TVS保護(hù)管、ESD管、二極管、三極管和MOSFET等...

2023-04-18 標(biāo)簽:三極管二極管MOSFET 5.6k 0

傳動(dòng)管理系統(tǒng)車載MOSFET關(guān)鍵性能指標(biāo)與選型要點(diǎn)解析

標(biāo)簽:車載MOSFET、傳動(dòng)管理系統(tǒng) 傳動(dòng)管理系統(tǒng)作為汽車動(dòng)力傳遞的核心環(huán)節(jié),對(duì)車載MOSFET提出了高可靠性和瞬時(shí)大電流耐受的嚴(yán)苛要求。本文將解析該場(chǎng)...

2026-05-11 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng) 5.5k 0

合科泰P溝道MOSFET AO3401在智能手表中的應(yīng)用

在智能手表PCB板的方寸之間,電源管理系統(tǒng)面臨微型化與低功耗的兩大挑戰(zhàn)。這么小的地方,需要集成數(shù)十個(gè)電子元件,因此電源開關(guān)器件的體積、功耗與可靠性直接決...

2025-08-12 標(biāo)簽:MOSFET電源管理智能手表 5.5k 0

以PFC電路說明如何選擇最佳二極管

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在具有感性負(fù)載的硬開關(guān)應(yīng)用中,續(xù)流二極管會(huì)在電源開關(guān)的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換期間造成高損耗。

2021-06-11 標(biāo)簽:二極管MOSFETIGBT 5.5k 0

MOSFET2019年價(jià)格預(yù)估有衰退可能 英飛凌提及擴(kuò)大委外代工鞏固主要營(yíng)收市場(chǎng)

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市場(chǎng)普遍認(rèn)為,MOSFET 在 2019 年價(jià)格預(yù)估有衰退可能,原因來自全球 MOSFET 需求吃緊狀況減緩,以及中國(guó)自有 12 吋廠功率半導(dǎo)體逐步放量...

2019-04-08 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET 5.5k 0

重慶公布SiC重大項(xiàng)目 三安2個(gè)工廠即將點(diǎn)亮投產(chǎn)

重慶公布SiC重大項(xiàng)目 三安2個(gè)工廠即將點(diǎn)亮投產(chǎn)

昨天,“行家說三代半”報(bào)道了三安在重慶的2個(gè)碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展(.點(diǎn)這里.),今天,三安又公布了最新的項(xiàng)目消息

2024-02-21 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 5.5k 0

國(guó)產(chǎn)SiC MOS又添新軍,性能媲美國(guó)際大廠

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據(jù)介紹,他們的新一代產(chǎn)品是基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開發(fā),主要有4款新產(chǎn)品(K3M040120-R、K3M040120-R4、K3M080120-R以及K3...

2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 5.5k 0

mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別

mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種現(xiàn)代電子器件,常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它...

2023-11-22 標(biāo)簽:MOSFETJFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5.5k 0

東芝TLP5814H 具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“ TLP5814H ”,具備...

2025-03-06 標(biāo)簽:MOSFET光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng) 5.5k 0

igbt和逆變器的關(guān)系是什么?

igbt和逆變器的關(guān)系是什么?? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和逆變器是電力電子器件中非常重要的兩個(gè)組...

2023-08-25 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBT 5.5k 0

2021年半導(dǎo)體產(chǎn)能全面吃緊 硅晶圓缺貨效應(yīng)會(huì)延續(xù)到明年

2021年半導(dǎo)體產(chǎn)能全面吃緊 硅晶圓缺貨效應(yīng)會(huì)延續(xù)到明年

2021年半導(dǎo)體產(chǎn)能全面吃緊,業(yè)界看好硅晶圓供不應(yīng)求且價(jià)格逐季調(diào)漲,法人預(yù)期包括環(huán)球晶(6488)、臺(tái)勝科(3532)、合晶(6182)、嘉晶(3016...

2021-02-04 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體硅晶圓 5.5k 0

大晶磊半導(dǎo)體最新研發(fā)的針對(duì)中高壓碳化硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)解決方案

目前,大晶磊半導(dǎo)體可以為市場(chǎng)提供通過90kV BIL測(cè)試的碳化硅驅(qū)動(dòng)模塊。而且此驅(qū)動(dòng)模塊可以將碳化硅MOSFET的開關(guān)頻率提升到500kHz,而耦合電容...

2019-04-11 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體碳化硅 5.4k 0

USB PD+TYPE -C快充電源中MOSFET選型

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USBPD全稱為USBPowerDelivery,是由USB-IF組織制定的一種快速充電協(xié)議,也是目前市場(chǎng)非常看好的一種協(xié)議,可以支持輸出功率高達(dá)100...

2023-09-22 標(biāo)簽:電源MOSFETusb 5.4k 0

MOSFET的關(guān)鍵指標(biāo)

在高溫下,溫度系數(shù)會(huì)顯著改變擊穿電壓。例如,一些600V電壓等級(jí)的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的,在接近最高結(jié)溫時(shí),溫度系數(shù)會(huì)讓這些MOSFET變得...

2021-03-11 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻p溝道 5.4k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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