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簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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圣邦微電子推出60W全集成升降壓充電芯片SGM41574和SGM41575

圣邦微電子推出 SGM41574 和 SGM41575 兩款高集成度升降壓電池充電及系統(tǒng)電源路徑管理芯片。兩個(gè)器件均內(nèi)置四顆功率開關(guān) MOSFET 和一...

2025-11-20 標(biāo)簽：MOSFET 圣邦微電子充電芯片 1.8k 0

傾佳電子基于SiC碳化硅MOSFET的15-125kW三相T型混合逆變器設(shè)計(jì)深度研究報(bào)告

傾佳電子基于基本半導(dǎo)體B3M010C075Z與B3M013C120Z的15-125kW三相T型混合逆變器設(shè)計(jì)深度研究報(bào)告：顛覆性影響與技術(shù)路徑分析傾佳...

2025-11-20 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC 1.7k 0

第三代半導(dǎo)體碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料 | 二維氮化硼導(dǎo)熱絕緣墊片

引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍...

2025-11-19 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 IGBT 2.1k 0

楊杰科技MOSFET功率器件在低空經(jīng)濟(jì)中的應(yīng)用

隨著"低空經(jīng)濟(jì)"首次被寫入2024年政府工作報(bào)告，中國低空經(jīng)濟(jì)正式進(jìn)入規(guī)?；l(fā)展階段。這一以真高1000米以下空域?yàn)楹诵牡慕?jīng)濟(jì)形態(tài)，...

2025-11-19 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件低空經(jīng)濟(jì) 1.4k 0

新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4回流焊封裝

新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiCMOSFET...

2025-11-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 回流焊 1.5k 0

青銅劍技術(shù)和基本半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)雙通道驅(qū)動(dòng)板BSRD-2427

由青銅劍技術(shù)和基本半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)聯(lián)合研發(fā)的驅(qū)動(dòng)板BSRD-2427，是一款專門針對(duì)34mm碳化硅MOSFET半橋模塊設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、強(qiáng)適應(yīng)性...

2025-11-17 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅青銅劍科技 1.6k 0

芯導(dǎo)科技功率MOSFET在綠聯(lián)速顯充160W多口氮化鎵充電器的應(yīng)用

近日，綠聯(lián)新推出了一款速顯充160W多口氮化鎵充電器，這款充電器具備4個(gè)USB-C接口和1個(gè)USB-A接口，總輸出功率為160W。機(jī)身一側(cè)設(shè)有LCD屏幕...

2025-11-17 標(biāo)簽：MOSFET 充電器芯導(dǎo)科技 1.7k 0

ROHM推出適用于AI服務(wù)器的寬SOA范圍5 mm×6 mm小尺寸MOSFET

ROHM（羅姆半導(dǎo)體）宣布，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸（5.0mm×...

2025-11-17 標(biāo)簽：MOSFET AI服務(wù)器 549 0

安世半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET入圍2025年度行家說極光獎(jiǎng)評(píng)選

行家說極光獎(jiǎng)，作為聚焦于第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的專業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)，以其嚴(yán)謹(jǐn)?shù)漠a(chǎn)業(yè)洞察與技術(shù)前瞻性，已成為衡量企業(yè)創(chuàng)新深度與市場(chǎng)價(jià)值的重要風(fēng)向標(biāo)。它旨在表彰那些具有行業(yè)...

2025-11-17 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅安世半導(dǎo)體 1k 0

派恩杰PCB嵌入式功率模塊的性能優(yōu)勢(shì)

傳統(tǒng)Si基功率模塊大多采用引線鍵合實(shí)現(xiàn)芯片的二維平面封裝，鍵合線連接芯片頂部與陶瓷基板，以實(shí)現(xiàn)芯片頂部電極的互連，該封裝方案以其低成本、工藝成熟等特點(diǎn)，...

2025-11-14 標(biāo)簽：pcb MOSFET 功率模塊 1.4k 0

AMEYA360 | ROHM推出適用于AI服務(wù)器的寬SOA范圍5×6mm小尺寸MOSFET

2025年11月11日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1 范圍的100V 耐壓功率MOSFET“...

2025-11-13 標(biāo)簽：MOSFET Rohm AI服務(wù)器 643 0

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11月10日，為期四天的第四屆中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨展覽會(huì)、中國電源學(xué)會(huì)第二十八屆學(xué)術(shù)年會(huì)（CPEEC&CPSSC 2025）在深圳國際會(huì)...

2025-11-12 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體派恩杰 1.5k 0

龍騰半導(dǎo)體亮相2025中國電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)

11月7日至10日，第四屆中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨展覽會(huì)&中國電源學(xué)會(huì)第二十八屆學(xué)術(shù)年會(huì)（CPEEC & CPSSC 2025）在深...

2025-11-12 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 1.2k 0

飛虹MOS管FHP170N8F3A在高頻開關(guān)電源及逆變器設(shè)計(jì)的應(yīng)用

FHP170N8F3A作為一款高性能N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220封裝，具備優(yōu)異的電氣特性與可靠性，可廣泛適用于各類DC/DC電源、DC...

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傾佳電子碳化硅MOSFET逆變器應(yīng)用中體二極管特性的臨界性分析：性能、可靠性及規(guī)格書解讀傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...

2025-11-12 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器碳化硅 1.3k 0

中微愛芯高速柵極驅(qū)動(dòng)器AiP4420/AiP4429介紹

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2025-11-07 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 1.8k 0

上海貝嶺榮獲2025金輯獎(jiǎng)最佳技術(shù)實(shí)踐應(yīng)用獎(jiǎng)

2025年10月30日，由蓋世汽車主辦的第七屆金輯獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)盛典在上海圓滿落幕。上海貝嶺憑借車規(guī)級(jí)特高壓MOSFET BLQ3N100E/BLQ3N120，...

2025-11-07 標(biāo)簽：MOSFET 汽車產(chǎn)業(yè)上海貝嶺 1k 0

揚(yáng)杰科技2025越南代理商合作交流會(huì)圓滿落幕

時(shí)值十一月，越南風(fēng)和日麗，碩果盈枝。在這惠風(fēng)和暢、充滿希望的季節(jié)里，揚(yáng)杰科技于11月5日在越南工廠迎來了來自日韓東南亞的數(shù)十位國際代理商代表，大家齊聚一...

2025-11-06 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 2.6k 0

泰科天潤碳化硅器件在不同充換電場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用

從南國云南到內(nèi)蒙古礦區(qū)，從東海寧波到香港特別行政區(qū)，由泰科天潤自主研發(fā)的碳化硅功率器件，正在全國各地充換電設(shè)施中穩(wěn)定運(yùn)行，見證著國產(chǎn)芯片在技術(shù)上有重大突破。

2025-11-06 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件碳化硅 950 0

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體榮獲第八屆“藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)”創(chuàng)新突破獎(jiǎng)

10月28日至30日，由深圳市電子商會(huì)主辦的“深圳國際電子元器件及物料采購展覽會(huì)”暨第八屆“藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)盛典在深圳國際會(huì)展中心舉辦。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體憑借...

2025-11-04 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體分立器件 585 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中，尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn)，選型及應(yīng)用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
光立方

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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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