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      標(biāo)簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

      +關(guān)注149人關(guān)注

      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：7870個 瀏覽：235309次 帖子：1157個

      mosfet資訊

      從制造到封裝 精益求精的日系MOSFET的市場格局

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）MOSFET將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化，起到開關(guān)或放大等作用。因為MOSFET器件是電壓控制型器件，在應(yīng)用中容易...

      2021-10-21 標(biāo)簽：電阻MOSFET主板 3k 0

      mos管是不是三極管?

      場效應(yīng)晶體管是由p型和n型兩部分組成。當(dāng)給pn結(jié)加上正向電壓時，由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結(jié)電場中形成空間電荷層，這些空間電荷與漂移到pn區(qū)的電子...

      2022-12-09 標(biāo)簽：三極管MOSFET半導(dǎo)體器件 3k 0

      SiC MOS 、IGBT和超結(jié)MOS對比

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      在經(jīng)過多年的技術(shù)積累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強大的擊穿場和較低的損耗特性，逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前，它們主要用于以絕緣柵雙極晶...

      2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 3k 0

      Wolfspeed推出適用于電動車充電器的1200V 450A全碳化硅半橋模塊

      日前，Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半橋模塊CAB450M12XM3，該產(chǎn)品可最大限度地提高功率密度，同時最大限度地降低環(huán)路電感...

      2019-09-14 標(biāo)簽：mosfet電動車充電器 3k 0

      Vishay Siliconix發(fā)布新款N溝道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP

      日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的...

      2013-04-23 標(biāo)簽：MOSFETVishay功率器件 3k 0

      斬波電路的開關(guān)頻率由什么決定？

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      龍騰半導(dǎo)體出席第十二屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇

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      2022-02-09 標(biāo)簽：電源MOSFET半導(dǎo)體 3k 0

      華潤微今年MOSFET累計銷售額約為14億元，預(yù)計明年釋放8吋產(chǎn)能

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      2020-12-09 標(biāo)簽：MOSFET京東方華潤微電子 3k 0

      英飛凌率先提出工作柵極電壓區(qū)域的建議

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      除了其他關(guān)鍵的改進外，最近推出的1200V CoolSiC? MOSFET，即M1H，還顯示出了出色的穩(wěn)定性，并降低了漂移現(xiàn)象的影響。

      2022-06-13 標(biāo)簽：英飛凌MOSFET柵極電壓 3k 0

      傳2022年三星3納米工藝將使用MBCFET技術(shù)

      邏輯芯片產(chǎn)業(yè)正朝著晶體管結(jié)構(gòu)的根本性變革邁進。今天的晶體管，稱為FinFET，將會讓位于被稱為納米片晶體管、多橋溝道FET和柵極全能晶體管的器件。除了制...

      2021-03-07 標(biāo)簽：芯片MOSFET晶體管 3k 0

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      2023-06-02 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 3k 0

      從柵極驅(qū)動電路的器件選型到設(shè)計，提升碳化硅MOSFET性能

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      2022-11-27 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅 3k 0

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      AP4310AMTR-G1類型AP4310AMTR-G1描述AP4310AMTR-G1選擇AP4310AMTR-G1類別集成電路(IC)線性-放大器-儀...

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      溝道工藝是集成電路的核心工藝之一，它確定了場效應(yīng)晶體管的基本特性，如閾值電壓、短溝道特性、噪聲特性、穿通（Punch-througb）特性等，其目的是使...

      2022-11-16 標(biāo)簽：集成電路MOSFET電源電壓 3k 0

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      Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。

      2022-03-28 標(biāo)簽：高通mosfet 3k 0

      NP45P03QR 30V p通道增強模式MOSFET

      NP45P03QR 30V p通道增強模式MOSFET

      描述 NP45P03QR采用先進的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON)，本設(shè)備適合使用 作為負載開關(guān)或PWM應(yīng)用。 一般特征 ?VDS = -30v, i...

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        +關(guān)注
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        光立方
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