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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET 日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOS...
寬帶隙半導(dǎo)體是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)
摘要:傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟,正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好,能夠提高M(jìn)OSFET的性能,是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技...
近些年,伴隨著MOSFET的發(fā)展趨勢(shì),在低輸出功率快速開(kāi)關(guān)行業(yè),MOSFET正逐漸取代三極管,領(lǐng)域主要生產(chǎn)廠(chǎng)家對(duì)三極管的研發(fā)投入也逐漸降低;此外,面對(duì)三...
大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于Diodes產(chǎn)品的65W ACF Type-C PD3.0充電器方案
大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于達(dá)爾科技(Diodes)AP3306+APR347+AP43771的65W ACF Type-C PD3.0充電器解決方案。
ACS AMI:通過(guò)襯底集成和器件封裝協(xié)同設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs
原創(chuàng):Xoitec 異質(zhì)集成XOI技術(shù) 來(lái)源:上海微系統(tǒng)所,集成電路材料實(shí)驗(yàn)室,異質(zhì)集成XOI課題組 1 工作簡(jiǎn)介 超寬禁帶氧化鎵是實(shí)現(xiàn)超高壓、大功率、...
“微型”是相對(duì)于傳統(tǒng)的集中式逆變器而言的。傳統(tǒng)的光伏逆變方式是將所有的光伏電池在陽(yáng)光照射下生成的直流電全部串并聯(lián)在一起,再通過(guò)一個(gè)逆變器將直流電逆變成交...
意法半導(dǎo)體最新智能驅(qū)動(dòng)高邊開(kāi)關(guān)可設(shè)置兩個(gè)限流值
意法半導(dǎo)體最新的智能驅(qū)動(dòng)高邊開(kāi)關(guān)IPS2050H和IPS2050H-32可設(shè)置兩個(gè)限流值,適用于啟動(dòng)電流很大的容性負(fù)載。
WBG技術(shù)在現(xiàn)代大功率器件中的應(yīng)用
盡管這些模塊可能會(huì)保留其硅基前身的外形尺寸,但幾乎內(nèi)部設(shè)計(jì)的每個(gè)方面都將需要進(jìn)行更改以采用新器件的特性。
2022-05-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器安森美半導(dǎo)體 2.8k 0
NP2307MR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2307MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢(shì),SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開(kāi)關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)
SiC 碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料
引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍...
飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L,該器件經(jīng)專(zhuān)門(mén)設(shè)...
2011-05-18 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFETPowerTrench 2.8k 0
東芝推出五款新型MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器IC
?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設(shè)備等移動(dòng)設(shè)備的五款新品。該系列...
2022-06-09 標(biāo)簽:MOSFET東芝柵極驅(qū)動(dòng)器 2.8k 0
ROHM推出適用于FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備的Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出非常適用于FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的共計(jì)24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)...
2020-12-26 標(biāo)簽:MOSFET機(jī)器人場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.8k 0
電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)-SiC模塊篇
壓縮機(jī)是汽車(chē)空調(diào)的一部分,它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體,再流經(jīng)冷凝器,節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱,實(shí)現(xiàn)車(chē)內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車(chē)以發(fā)動(dòng)機(jī)為動(dòng)力,通過(guò)皮帶...
TI推出三款集成高低側(cè)MOSFET最新48V同步降壓穩(wěn)壓器
TI宣布面向單輸出及多輸出電源推出三款集成高低側(cè) MOSFET 的最新 48V 同步降壓穩(wěn)壓器。Fly-Buck 轉(zhuǎn)換器與 TI 獲獎(jiǎng)的 WEBENCH...
2013-03-12 標(biāo)簽:MOSFETTI同步降壓穩(wěn)壓器 2.8k 0
了解MOSFET安全工作區(qū)域SOA如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。在這...
2022-05-11 標(biāo)簽:MOSFET 2.8k 0
電源設(shè)計(jì)說(shuō)明:SPICE熱模型
溫度連接用作電壓節(jié)點(diǎn)并與電氣部件電隔離。模型可能具有這些參數(shù)中的一些,而不一定是全部。通常,結(jié)溫包含在模型中,因此用戶(hù)只需定義“外殼溫度”和環(huán)境溫度。其...
2022-08-03 標(biāo)簽:電阻MOSFET電源設(shè)計(jì) 2.8k 0
有限的電池壽命會(huì)損害智能手機(jī)用戶(hù)的自主權(quán)。盡管它們的尺寸很大,但最新的智能手機(jī)電池非常出色,但無(wú)論它們多么重要,它們的尺寸仍然有限。制造商試圖讓手機(jī)越來(lái)...
2022-07-27 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETusb 2.8k 0
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