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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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日本團(tuán)隊(duì)公布金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展
早稻田大學(xué)和 Power Diamonds Systems (PDS) 開發(fā)了一種結(jié)構(gòu),其中金剛石表面覆蓋有氧化硅終端(C-Si-O 終端),當(dāng)柵極電壓...
2024-01-02 標(biāo)簽:MOSFETMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2k 0
近日,清純半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元Pre-B輪融資,這是清純半導(dǎo)體繼今年4月份完成數(shù)億元A+輪融資以來的又一融資進(jìn)展。
麥瑞半導(dǎo)體推出N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC5019
麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel Inc.)(納斯達(dá)克股票代碼:MCRL)今天推出了一款帶集成電荷泵的小型高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC5019,該器件是為在...
2012-12-13 標(biāo)簽:MOSFET電源芯片麥瑞半導(dǎo)體 2k 0
安建半導(dǎo)體推出全新150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái),平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì),提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,從而實(shí)現(xiàn)了高...
2024-01-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器安建半導(dǎo)體 2k 0
RS瑞森半導(dǎo)體在電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)板上的應(yīng)用
瑞森RS40N130G型號(hào)及低壓MOSFET-SGT系列?在電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)板上的應(yīng)用
2022-10-28 標(biāo)簽:MOSFET電動(dòng)工具保護(hù)板 2k 0
碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用
SiC肖特基勢(shì)壘二極管不使用反并聯(lián)硅二極管,可集成到系統(tǒng)中。硅基二極管有反向恢復(fù)電流,會(huì)造成開關(guān)損耗(以及產(chǎn)生電磁干擾,或EMI),而SiC二極管的反向...
2021-04-27 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體SiC 2k 0
SOT-23貼片KP3111LGA必易微非隔離PWM轉(zhuǎn)換器IC
KP3111LGA 是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關(guān),適用于降壓型和升降壓型電路。采用高壓?jiǎn)尉A工藝,在同一片晶圓上集成有 500V 高...
2023-11-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETPWM 2k 0
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...
三菱電機(jī)開始提供集成SBD的SiC-MOSFET模塊樣品
2023年5月8日,三菱電機(jī)宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品,該半橋模塊額定電壓為3.3kV,絕緣...
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米 CMOS 制程上取得進(jìn)展,成功制造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出,中國(guó)本土設(shè)計(jì)與制造的...
傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì)
傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的...
2025-09-21 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)碳化硅 2k 0
增強(qiáng)型M1H CoolSiC MOSFET的技術(shù)解析及可靠性考量
碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅,如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對(duì)的首要問題,英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiCMO...
AH86991作為一款高性能開關(guān)模式電源切換器芯片,在低功耗離線應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。它的高擊穿電壓MOSFET和可變的開關(guān)頻率使其能夠適應(yīng)不同的電...
半導(dǎo)體器件中性能最好的是什么?? 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中最為重要的組成部分之一,是連接芯片和外部電路的中間介質(zhì)。通常,半導(dǎo)體器件的性能被評(píng)價(jià)的標(biāo)準(zhǔn)是...
電力MOSFET的反向電阻工作區(qū) 電力MOSFET在很多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用,例如電源、驅(qū)動(dòng)電路、LED控制等。MOSFET是一種基于場(chǎng)效應(yīng)管的晶體...
2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFETLED控制驅(qū)動(dòng)電路 2k 0
新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹
超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級(jí)結(jié)”單元,通過電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件,其核...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 2k 0
特瑞仕推出功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R
特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社(日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理:木村 岳史,以下簡(jiǎn)稱“特瑞仕”)開發(fā)了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09...
開關(guān)電源項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)解析
PCB的元器件封裝,標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)里面的按實(shí)際情況需要更改,貼片元件焊盤加大;插件元件的孔徑比元件管腳大0.3mm,焊盤直徑大于孔0.8mm以上,焊盤大些方便焊...
2022-12-16 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電解電容 2k 0
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