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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展
近日,西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展,相
Littelfuse發(fā)布IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
近日,Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 標(biāo)簽:MOSFETLittelfuse柵極驅(qū)動(dòng)器 1.8k 0
安建半導(dǎo)體推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)
安建半導(dǎo)體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái),融合國(guó)內(nèi)尖端技術(shù)與設(shè)計(jì),開創(chuàng)功率密度新高度,在開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵參數(shù)方面...
2025-02-07 標(biāo)簽:MOSFET安建半導(dǎo)體 1.8k 0
UnitedSiC推出UJ3C1200系列 基于UnitedSiC的第三代SiC晶體管技術(shù)
功率因數(shù)校正(PFC)、主動(dòng)前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以通過使用來自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅(S...
Diodes推出高效率單繞組電感 500V降壓LED驅(qū)動(dòng)器
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出AL1678 LED驅(qū)動(dòng)器系列,適合驅(qū)動(dòng)那些毋須符合功率因數(shù)高於0.7的通用照明產(chǎn)品內(nèi)...
2015-08-28 標(biāo)簽:MOSFETDiodesLED驅(qū)動(dòng)器 1.8k 0
為什么MOSFET是自動(dòng)平衡超級(jí)電容器泄漏的最佳選擇
設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)現(xiàn)在正在將超級(jí)電容器用于能量收集、辦公自動(dòng)化、備份系統(tǒng)等領(lǐng)域的一系列新產(chǎn)品。這些超級(jí)電容器電池提供高效的存儲(chǔ),可以根據(jù)需要快速釋放能量。為確保最...
寶礫微MOS管 PL0807N10 DFN5*6 100V/74.4A N溝道MOSFET
應(yīng)用領(lǐng)域: DC-DC轉(zhuǎn)換 SMPS中的同步整流 硬開關(guān)和高速電路 電動(dòng)工具 電機(jī)控制 概述: PL0807N10是寶礫微推出的漏源電壓100V的N溝道...
雖然SiC在電子應(yīng)用中的使用可以追溯到1900年代初,但它作為半導(dǎo)體材料的使用直到1990年代才開始真正獲得關(guān)注。正是在這一點(diǎn)上,它首次用于肖特基二極管...
2023-02-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET半導(dǎo)體 1.8k 0
富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享(五):SiC MOSFET 相關(guān)應(yīng)用中的EMI改善方案
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方案,進(jìn)而縮短產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第...
英飛凌推出新一代OptiMOS? MOSFET技術(shù)封裝
全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC,該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù),專為滿足汽車...
SiC MOSFET的溝槽柵(Trench)物理與可靠性研究
SiC MOSFET的溝槽柵(Trench)物理與可靠性研究 1. 緒論:功率半導(dǎo)體物理的范式轉(zhuǎn)移 全球能源結(jié)構(gòu)的電氣化轉(zhuǎn)型,從電動(dòng)汽車(EV)的牽引逆...
2026-02-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管逆變器 1.8k 0
安世半導(dǎo)體擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布擴(kuò)充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。...
安森美與佛瑞亞海拉深化長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作
安森美今日宣布,公司與佛瑞亞海拉(FORVIA HELLA)深化長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作,將在其先進(jìn)汽車平臺(tái)全面采用安森美的PowerTrench T10 MOSF...
2025-12-17 標(biāo)簽:MOSFET安森美汽車系統(tǒng) 1.8k 0
泰矽微發(fā)布國(guó)內(nèi)超小封裝車規(guī)級(jí)全集成微馬達(dá)驅(qū)動(dòng)TCM33x系列芯片
隨著汽車智能化的發(fā)展,越來越多的智能化功能被整合到汽車中,例如自動(dòng)駕駛、智能導(dǎo)航、語音控制等。
2024-03-08 標(biāo)簽:MOSFET步進(jìn)電機(jī)熱管理 1.8k 0
8月18日,蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司(股票簡(jiǎn)稱鍇威特,股票代碼“688693”)成功登陸上海證券交易所科創(chuàng)板。
2023-08-18 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體科創(chuàng)板 1.8k 0
SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET
為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(S...
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產(chǎn)品列表
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產(chǎn)品是基于傳統(tǒng)溝槽式MOSFET的改進(jìn)版本,其出色的導(dǎo)通電阻、品質(zhì)因子和快速硬開關(guān)能力...
固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器時(shí)代將至
機(jī)電繼電器和斷路器作為一種成熟的技術(shù)已廣為人知,大量應(yīng)用在各種場(chǎng)合,但是它們?nèi)匀淮嬖谝恍┕逃腥毕?。盡管采用基于半導(dǎo)體的固態(tài)技術(shù)可以解決這些問題,但設(shè)計(jì)中...
2024-07-11 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器斷路器 1.8k 0
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