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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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用于電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的反激式開(kāi)關(guān)
Power Integrations 的新型 InnoSwitch?3-AQ 采用表面貼裝 InSOP 封裝,是一款符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的反激式...
2022-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET振蕩器 1.8k 0
GaN材料MOSFET管測(cè)試對(duì)高帶寬高壓差分探頭要求
GaN材料主要應(yīng)用于偏低壓應(yīng)用例如800V以下的應(yīng)用,像高功率密度DC/DC電源的40V-200V增強(qiáng)性高電子遷移率異質(zhì)節(jié)晶體管(HEMT)和600V ...
電源開(kāi)關(guān)非常重要。它們的運(yùn)行決定了產(chǎn)品的可靠性和效率。為了提高開(kāi)關(guān)電路的性能,在電源開(kāi)關(guān)之間放置抑制器以抑制電壓峰值并抑制開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)電路電感引起的振蕩。...
2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)電源開(kāi)關(guān) 1.6k 0
電源設(shè)計(jì)說(shuō)明:讓我們使用SiC MOSFET構(gòu)建雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
隨著高效蓄能器(電池和超級(jí)電容器)的大量使用,趨勢(shì)是朝著更好的電流管理方向發(fā)展。雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可以保持電池健康并延長(zhǎng)其使用壽命。
2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)升壓轉(zhuǎn)換器 1.4k 0
通過(guò)測(cè)試和認(rèn)證確保GaN的可靠性
該 氮化鎵產(chǎn)業(yè) 的目的是證明氮化鎵的解決方案至少有相同的預(yù)期壽命為硅MOSFET,理想,美好的生活。該行業(yè)和 JEDEC JC-70 委員會(huì)正在努力為 ...
并聯(lián)MOSFET應(yīng)用中的均流技術(shù)
為了實(shí)現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計(jì),傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過(guò)篩選——基于它們的閾值電壓相似,以確保它們同時(shí)導(dǎo)通。然而,屏蔽 MOSFET 會(huì)增加成本和復(fù)雜性...
電源設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):如何選擇 MOSFET
MOSFET 是主要用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用的半導(dǎo)體元件,具有高電壓和高電流的特點(diǎn)。它們?cè)诟咚傧碌母咝屎透唛_(kāi)關(guān)容量使它們成為電源設(shè)計(jì)的最佳選擇。讓我們看看一些...
2022-08-04 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)邏輯電平 1.6k 0
如何消除SiC MOSFET——柵極電路設(shè)計(jì)中的錯(cuò)誤及其對(duì)穩(wěn)健性的影響
為什么需要關(guān)注 SiC MOSFET 柵極?盡管具有傳統(tǒng)的 SiO 2柵極氧化物,但該氧化物的性能比傳統(tǒng) Si 基半導(dǎo)體中的經(jīng)典 Si-SiO 2界面更...
SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路及其影響因素
兩個(gè)重要變量(例如閾值電壓和結(jié)溫)之間的現(xiàn)有關(guān)系為變化,因?yàn)橛^察到 Lss' 上的電壓發(fā)生了變化。由于 SiC MOSFET 的開(kāi)爾文源和電源...
SiC MOSFET 短路測(cè)試下的引線鍵合應(yīng)力分析
電力電子技術(shù)在日常生活中越來(lái)越普遍,尤其是現(xiàn)在,當(dāng)我們正經(jīng)歷一場(chǎng)由寬帶隙 (WBG) 材料引發(fā)的革命時(shí)。 ? WBG 材料在 SiC MOSFET 和 ...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2.2k 0
用于ANPC拓?fù)涞腃oolSiC MOSFET,采用Easy 2B封裝帶有改進(jìn)的Si二極管
未來(lái)的儲(chǔ)能應(yīng)用將需要能夠處理高功率的解決方案。在上一屆PCIM期間,英飛凌科技推出了該公司 1200 V 系列的新型 EasyPACK? 2B 模塊。該...
碳化硅 MOSFET 取代電動(dòng)汽車(chē)雙向充電器中的 IGBT
電動(dòng)汽車(chē) (EV) 以及更普遍的電動(dòng)汽車(chē)的成功在很大程度上取決于為電池充電所需的時(shí)間。長(zhǎng)期以來(lái),電動(dòng)汽車(chē)一直被認(rèn)為是弱點(diǎn)之一,充電時(shí)間逐漸縮短,采用快速...
碳化硅嵌入式漏極 MOSFET 助力“登月火星”任務(wù)
晶圓鍵合是一種廣泛用于開(kāi)發(fā)和成功生產(chǎn)微機(jī)械傳感器和執(zhí)行器 (MEMS) 的工藝。由于它能夠通過(guò)多個(gè)晶片的精確和牢固附著來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的微納米結(jié)構(gòu),因此它肯定...
電源設(shè)計(jì)說(shuō)明:SPICE熱模型
溫度連接用作電壓節(jié)點(diǎn)并與電氣部件電隔離。模型可能具有這些參數(shù)中的一些,而不一定是全部。通常,結(jié)溫包含在模型中,因此用戶只需定義“外殼溫度”和環(huán)境溫度。其...
2022-08-03 標(biāo)簽:電阻MOSFET電源設(shè)計(jì) 2.8k 0
Microchip 的新 SiC 產(chǎn)品系列通過(guò)采用具有更少部件和更簡(jiǎn)單控制方案的兩電平拓?fù)淇朔?IGBT 的困難。沒(méi)有開(kāi)關(guān)限制,功率轉(zhuǎn)換單元可以減小尺...
根據(jù)實(shí)際測(cè)量的柵極電流計(jì)算柵極漏電流是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。柵極電容器的充電和放電瞬態(tài)過(guò)程支配著柵極電流。電感器引入了二階振鈴,這使得計(jì)算過(guò)程更加復(fù)雜。上述挑戰(zhàn)的解...
電源設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):比較不同設(shè)備的效率
MOSFET 開(kāi)始流行,因?yàn)樗鼈兪茈妷嚎刂贫皇请娏骺刂?。MOSFET 不受熱漂移的影響,開(kāi)關(guān)損耗較低。因此,它是電源轉(zhuǎn)換器中最常用的組件。IGBT 在...
2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)電源電路 1.3k 0
碳化硅 (SiC) 是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料,用于制造用于高壓應(yīng)用的功率器件,例如電動(dòng)汽車(chē) (EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器。與傳統(tǒng)的硅基功率...
中國(guó)視角下MOSFET行業(yè)供應(yīng)狀況簡(jiǎn)析
近期,由于東南亞持續(xù)爆發(fā)新冠病毒疫情,全球IDM(Integrated Devices Manufactures)工廠紛紛調(diào)整晶圓廠產(chǎn)能,減少消費(fèi)類電子...
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