SK海力士宣布推出最新一代的3D NAND

據(jù)報道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAN...

2020-12-08 標(biāo)簽：閃存控制器NAND 3.1k 0

預(yù)計Q4季度NAND閃存市場漲幅10%，三星計劃增大投資

在連跌7個季度之后，NAND閃存市場將在今年底迎來轉(zhuǎn)機，Q3季度閃存價格下跌幅度已經(jīng)大幅收窄，預(yù)計Q4季度會由跌轉(zhuǎn)漲，漲幅約為10%。

2019-10-14 標(biāo)簽：閃存nand三星電子 3.1k 0

紫光國芯宣布推出12nm工藝的GDDR6存儲控制器和物理接口IP

根據(jù)紫光國芯介紹，這個GDDR6 MC/PHY IP包括一個可配置的內(nèi)存控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標(biāo)準(zhǔn)，并允許設(shè)計工...

2020-11-19 標(biāo)簽：NAND控制器芯片紫光國芯 3.1k 0

NAND閃存從去年開始降價,今年以來依然是“跌跌不休”

“現(xiàn)在長江存儲國產(chǎn)的芯片逐漸量產(chǎn)，但是國際上的芯片價格下降比較厲害，國際上是不是有打壓中國芯片崛起的意圖？”

2019-04-04 標(biāo)簽：閃存NAND 3.1k 0

2018年NAND Flash市場經(jīng)歷全年供過于求 供需失衡態(tài)勢難止

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）指出，2018年NAND Flash市場經(jīng)歷全年供過于求，且2019年筆記本電腦、智能手機、服務(wù)器...

2019-01-11 標(biāo)簽：DRAMNAND 3.1k 0

美光擴大在新加坡的研發(fā)業(yè)務(wù)，致力于制造3D NAND閃存

半導(dǎo)體行業(yè)巨頭美光在新加坡的新工廠破土動工，該工廠將致力于制造3D NAND Flash。

2018-08-01 標(biāo)簽：閃存NAND美光 3.1k 0

聚焦 | 2019年Q1存儲產(chǎn)值環(huán)比減少27%,同比重摔30%

第一季存儲產(chǎn)業(yè)持續(xù)受到外部總體經(jīng)濟因素的干擾，終端需求持續(xù)不振

2019-05-22 標(biāo)簽：NAND存儲 3.1k 0

3D NAND未來五年需求大好 但紫光在技術(shù)上仍存在瓶頸

全球 3D NAND 價格近來快速崩跌，紫光集團旗下的長江存儲肩負打破國內(nèi)“零”存儲自制率之重任，以”光速”的氣勢加入這場存儲世紀(jì)大戰(zhàn)。除了武漢 12 ...

2018-11-30 標(biāo)簽：NAND存儲紫光 3.1k 0

我國存儲芯片達國際領(lǐng)先水平，中國制造再鑄輝煌

據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片，這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)。

2020-05-04 標(biāo)簽：NAND存儲芯片 3.1k 0

NAND初創(chuàng)公司Fadu進行蘋果供應(yīng)商資格審查

據(jù)韓媒報道，有業(yè)內(nèi)人士透露，韓國本土半導(dǎo)體初創(chuàng)企業(yè)Fadu正在進行蘋果公司的供應(yīng)商資格認證。

2020-04-19 標(biāo)簽：NAND蘋果 3k 0

供應(yīng)過剩 三星縮減DRAM庫存量

為了因應(yīng)截至去(2018)年第3季為止的半導(dǎo)體絕佳需求，三星將半導(dǎo)體庫存量維持在1.5-3個月左右水準(zhǔn)。

2019-02-05 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 3k 0

紫光成都建設(shè)基地，打造12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線

根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建...

2018-10-16 標(biāo)簽：NAND存儲器紫光 3k 0

鎧俠和西部數(shù)據(jù)推出第六代162層3D閃存技術(shù)

新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3...

2021-02-24 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲器 3k 0

從下游需求結(jié)構(gòu)看國內(nèi)存儲芯片市場局勢

下游需求結(jié)構(gòu)來看，手機、服務(wù)器、PC三大應(yīng)用消耗了絕大部分存儲器芯片。主流存儲器市場以DRAM及NANDFlash為主，立基型存儲器則以EEPROM、小...

2018-07-27 標(biāo)簽：DRAMNANDSSD 3k 0

長江存儲發(fā)布容量1920GB的SSD，終闖進企業(yè)級市場

這兩年，長江存儲的NAND閃存突飛猛進，產(chǎn)品商用也越來越廣泛，除了消費級的第三方品牌、自家品牌致鈦，還終于進入了高標(biāo)準(zhǔn)嚴要求的企業(yè)級市場。d

2020-09-26 標(biāo)簽：閃存NANDSSD 3k 0

諾獎 ＂選擇性失憶”? 存儲技術(shù)研究總成遺珠

1960 年時代，當(dāng)時主流的存儲技術(shù)為磁圈記憶體，但磁圈記憶體的體積大又耗電，拖累計算機的效能表現(xiàn)，那時施敏在貝爾實驗室的同事美籍韓裔科學(xué)家姜大元先研發(fā)...

2019-03-19 標(biāo)簽：NAND存儲技術(shù)核心技術(shù) 3k 0

3D NAND Flash技術(shù)發(fā)展到極限，5年內(nèi)利潤空間恐壓縮至零

日前SK海力士（SK Hynix）預(yù)料，3D NAND Flash發(fā)展到200層左右將達可生產(chǎn)性極限，5年內(nèi)利潤空間恐壓縮至零，需業(yè)界合作開發(fā)新材料因應(yīng)。

2018-08-01 標(biāo)簽：NANDSK海力士 3k 0

NAND Flash實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，即將跨入128層時代

日前，美光發(fā)布第二季度財報，其在電話會議中美光透露，即將開始批量生產(chǎn)其基于公司新的RG（replacement gate）架構(gòu)的第四代3D NAND存儲設(shè)備。

2020-04-07 標(biāo)簽：閃存NAND華秋DFM 3k 0