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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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2019年Q4季度NAND閃存芯片出貨量增長(zhǎng)，2020年價(jià)格可能上漲

2月25日消息報(bào)道，NAND閃存芯片去年第四季度的出貨量環(huán)比有明顯增長(zhǎng)，整體行業(yè)的營(yíng)收也有提升。

2020-02-26 標(biāo)簽：芯片 nand 3k 0

閃存和其他相關(guān)技術(shù)的未來(lái)將充滿希望

Coughlin Associates公司總裁Tom Coughlin對(duì)此表示同意，隨著設(shè)備使用更薄的層和層字符串技術(shù)，層數(shù)將繼續(xù)增加。但是，這些層的薄...

2020-05-13 標(biāo)簽：閃存 NAND 3k 0

SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存集成PUC技術(shù)研發(fā)

與浮柵將電荷存儲(chǔ)在導(dǎo)體中不同，CTF將電荷存儲(chǔ)在絕緣體中，消除了電池之間的干擾，提高了讀寫性能，同時(shí)與浮柵技術(shù)相比，減少了單位電池面積。

2021-01-06 標(biāo)簽：NAND 三星電子 SK海力士 3k 0

DRAM和NAND閃存價(jià)格出現(xiàn)暴跌?

市場(chǎng)跟蹤數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存相關(guān)產(chǎn)品在10月份的價(jià)格暴跌，韓國(guó)科技媒體THE ELEC指出，出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因可能在于美國(guó)對(duì)華為的制裁生效。

2020-11-02 標(biāo)簽：芯片 NAND 服務(wù)器 3k 0

解讀致鈦SSD、3D NAND的故事

這是因?yàn)?，Xtacking架構(gòu)將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離，從這一程度上講，利用Xtacking技術(shù)可以更容易地調(diào)整優(yōu)化閃存陣列的工藝...

2020-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 3D閃存 3k 0

Intel大連公司破記錄 QLC 3D NAND存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量突破1000萬(wàn)

自2018年底以來(lái)，Intel公司的中國(guó)大連工廠已經(jīng)累計(jì)生產(chǎn)QLC NAND芯片超過(guò)1000萬(wàn)個(gè)。

2020-03-03 標(biāo)簽：NAND intel 存儲(chǔ)芯片 3k 0

SK海力士宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議

韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在...

2020-10-21 標(biāo)簽：英特爾 NAND SK海力士 3k 0

NOR閃存前景不妙，SPI NOR閃存困境獲勝

今年NOR閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。NAND閃存已經(jīng)成為手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品所青睞的存儲(chǔ)解決方案。甚至在NOR...

2013-04-10 標(biāo)簽：閃存 NAND NOR 3k 0

SK海力士完成176層NAND閃存開發(fā)；聯(lián)發(fā)科CEO：明年Q1發(fā)布全新5G旗艦芯片…

12月8日消息，華為在北京發(fā)布了其首款商用臺(tái)式機(jī)——HUAWEIMateStationB515，該產(chǎn)品搭載8核7nmAMD銳龍?zhí)幚砥?，集成RadeonG...

2020-12-10 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科 NAND 3k 0

衡宇科技完成新一輪融資潛心發(fā)展嵌入式NAND Flash控制芯片等

據(jù)悉，衡宇科技于2012年2月創(chuàng)立，可為用戶提供應(yīng)用于通訊、消費(fèi)電子及數(shù)據(jù)處理行業(yè)的閃存主控芯片產(chǎn)品，主要業(yè)務(wù)為嵌入式NAND Flash控制芯片等，衡...

2019-01-22 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 控制芯片 3k 0

SK海力士搶先量產(chǎn)128層4D NAND Flash

全球第一！

2019-06-27 標(biāo)簽：NAND SK海力士 3k 0

武漢發(fā)布重大項(xiàng)目計(jì)劃表,涵蓋多個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目

10月底，湖北武漢發(fā)改委發(fā)布2020年市級(jí)重大項(xiàng)目計(jì)劃表，包括162個(gè)重大在建項(xiàng)目計(jì)劃、90個(gè)重大新開工項(xiàng)目計(jì)劃、以及49個(gè)重大前期項(xiàng)目計(jì)劃，涵蓋多個(gè)集...

2020-11-08 標(biāo)簽：集成電路 NAND 存儲(chǔ)器 2.9k 0

SD NAND焊盤脫落原因分析

SDNAND焊盤脫落現(xiàn)象在使用SDNAND的過(guò)程，難免有個(gè)芯片會(huì)出現(xiàn)焊盤脫落，如下圖：從這個(gè)焊盤的放大圖可以明顯的看到焊盤有明顯的拉扯痕跡，可以看出焊盤...

2023-10-11 標(biāo)簽：NAND SD 焊盤 2.9k 0

新華三半導(dǎo)體宣布即將發(fā)布全球領(lǐng)先的路由交換機(jī)400G芯片

近日，由知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)業(yè)媒體IPRdaily與專利檢索分析公司合享智泉聯(lián)合發(fā)布了“2020年前三季度中國(guó)企業(yè)專利授權(quán)量及發(fā)明專利授權(quán)量排行榜（TOP50）”。

2020-11-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 NAND 2.9k 0

Microchip推出PCIe第五代NVMe固態(tài)硬盤控制器

隨著對(duì)數(shù)據(jù)處理的需求不斷發(fā)展，云基礎(chǔ)設(shè)施需要的解決方案應(yīng)具備：高帶寬、低延遲并且針對(duì)高效利用資源進(jìn)行了優(yōu)化。Microchip Technology I...

2022-03-17 標(biāo)簽：控制器 NAND 固態(tài)硬盤 2.9k 0

三星的閃存技術(shù)在全球閃存市場(chǎng)中的地位了解

以聲音和文字為核心的數(shù)據(jù)通信時(shí)代已經(jīng)過(guò)去，我們迎來(lái)了海量數(shù)據(jù)流通的5G和大數(shù)據(jù)時(shí)代，與之相應(yīng)，大容量存儲(chǔ)設(shè)備的重要性與日俱增。因此，閃存在第四次工業(yè)革命...

2021-06-30 標(biāo)簽：nand 大數(shù)據(jù)三星 2.9k 0

一種用于3D TLC NAND的彈性糾錯(cuò)方案

　　通過(guò)實(shí)施上述 LPDC ECC 序列，在 NAND 控制器上終止強(qiáng)大的 RAID 功能，UDInfo相信，未來(lái)基于 3D TLC NAND 的設(shè)備可...

2022-08-17 標(biāo)簽：控制器 NAND SSD 2.9k 0

Q4存儲(chǔ)芯片持續(xù)降價(jià) 價(jià)格跌幅達(dá) 15%-20%

　　近日，TrendForce 集邦咨詢發(fā)布報(bào)告稱，稱NAND Flash目前供過(guò)于求。自今年下半年以來(lái)，買家一直專注于去庫(kù)存和大幅減少采購(gòu)。銷售商為了...

2022-09-27 標(biāo)簽：芯片 NAND 2.9k 0

東芝停電事件后續(xù) 三座晶圓廠尚未完全復(fù)工7月零售市場(chǎng)預(yù)計(jì)要漲價(jià)10-15%

6月15日，日本四日市市發(fā)生停電事件，盡管斷電后13分鐘即恢復(fù)供電，但由于東芝在該市擁有五座NAND Flash工廠，因此依然引發(fā)了業(yè)界對(duì)東芝復(fù)工情況以...

2019-06-26 標(biāo)簽：東芝 Nand 2.9k 0

盤點(diǎn)2020年存儲(chǔ)行業(yè)十大事件

2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日，長(zhǎng)...

2021-02-05 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 2.9k 0

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云儲(chǔ)存

云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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3D NAND Flash

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4K視頻

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Arasan

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SQL Server

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手機(jī)內(nèi)存

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嵌入式閃存

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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