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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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SK海力士將以90億美元收購Intel的NAND內(nèi)存與儲存業(yè)務(wù)

TrendForce數(shù)據(jù)顯示，SK海力士與Intel在今年第二季的營收市占率為11.7%及11.5%，分別位于第四名及第六名。若以產(chǎn)品競爭力詳細(xì)區(qū)分，以...

2020-10-20 標(biāo)簽：NAND 三星電子 3D 2.7k 0

美國最大記憶芯片廠美光本季財測高于市場預(yù)期

據(jù)經(jīng)濟日報報道，周三（6月30日）美國最大記憶芯片廠美光（Micron）公布的本季財測高于市場預(yù)期，顯示計算機與手機的資料儲存半導(dǎo)體需求強健。美光先前預(yù)...

2021-07-02 標(biāo)簽：DRAM NAND 智慧手機 2.7k 0

英特爾與美光64層3D NAND備受關(guān)注，或?qū)⒓せ瓘S爭奪96層3D NAND技術(shù)

上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單...

2018-08-22 標(biāo)簽：英特爾 NAND SSD 2.7k 0

pSLC 閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存...

2023-08-02 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲 2.7k 0

NAND Flash控制器價格或面臨調(diào)漲

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處調(diào)查顯示，受限于上游臺積電（TSMC）與聯(lián)電（UMC）等晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，及下游封測產(chǎn)能緊缺，包含Ph...

2020-12-22 標(biāo)簽：控制器 NAND 晶圓 2.7k 0

關(guān)于不同NAND閃存的種類對比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC...

2018-12-17 標(biāo)簽：閃存 NAND 2.7k 0

西數(shù)：下一代能量輔助技術(shù)的HDD硬盤使用NAND閃存作為緩存空間

HDD硬盤的市場空間目前正在日益受到SSD硬盤的侵蝕，除了超大容量的HDD硬盤之外，SSD在筆記本、電腦及數(shù)據(jù)中心市場幾乎可以完美取代HDD。

2020-09-19 標(biāo)簽：閃存 nand 硬盤 2.7k 0

卓越存儲方案：杰理AC7916搭配MK米客方德SD NAND

通過與MK米客方德SD NAND的適配，AC7916為市場提供了一個高效、可靠的存儲解決方案，并已經(jīng)在單詞機等產(chǎn)品上實現(xiàn)了成功的應(yīng)用和量產(chǎn)。

2024-08-13 標(biāo)簽：芯片 mcu NAND 2.7k 0

MXIC 19nm SLC NAND 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb 可滿足工控市場小容量FLASH短缺需求

MXIC 19nm SLC NAND 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb 可滿足工控市場小容量FLASH短缺需求一、MXIC 19nm SLC NAND ...

2020-03-23 標(biāo)簽：NAND FlaSh slc 2.7k 0

KIOXIA鎧俠助力中國市場進入存儲新時代

從隨身攜帶的手機U盤，到PC筆記本中的硬盤，存儲產(chǎn)品是很多人日常生活中不可缺少的設(shè)備，縱覽整個存儲市場，品牌也是五花八門，今年以來，“鎧俠”這個品牌正頻...

2020-11-13 標(biāo)簽：NAND 存儲器 PC 2.7k 0

SK海力士聲明未出現(xiàn)新冠肺炎病例且沒有下調(diào)DRAM和NAND產(chǎn)能的計劃

最近幾周由于三星與LG不少DRAM工廠處于停工或者半停工狀態(tài)，極大影響了市場的供需狀態(tài)。相比2個月前，內(nèi)存的價格幾乎上漲了6成，SSD的價格也同樣水漲船...

2020-03-05 標(biāo)簽：DRAM NAND SK海力士 2.7k 0

2018年NAND Flash市場供過于求 NAND Flash顆粒/Wafer合約價跌幅顯著

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年NAND Flash市場全年供過于求。由于筆記本電腦及智能手機OEM庫存皆已備足，...

2018-11-06 標(biāo)簽：NAND TLC 2.7k 0

三星西安廠計劃將NAND工藝升級為236層明年初更換設(shè)備

據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴大到236段（v8）。三星決定從明...

2023-11-03 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 2.7k 0

FORESEE微存儲產(chǎn)品線推出的新品：SLC Parallel NAND

最近幾年，物聯(lián)網(wǎng)的概念特別火，各種便攜式電子產(chǎn)品層出不窮，無人機、WiFi路由器、掃地機器人、兒童手表等電子產(chǎn)品更新特別快。這類電子產(chǎn)品對存儲產(chǎn)品的需求...

2020-11-30 標(biāo)簽：NAND 物聯(lián)網(wǎng) 2.7k 0

東芯半導(dǎo)體亮相elexcon 2025深圳國際電子展

2025年8月26-28日，深圳國際電子展在深圳會展中心即將圓滿落幕。本次展會集中展示AI與算力芯片、存儲、嵌入式AI、電源及能源電子、高性能電子元器件...

2025-09-05 標(biāo)簽：NAND 存儲芯片東芯半導(dǎo)體 2.6k 0

內(nèi)存與存儲在數(shù)據(jù)為王的時代扮演著至關(guān)重要的角色

數(shù)字經(jīng)濟已成為社會發(fā)展的關(guān)鍵組成部分，以數(shù)據(jù)為核心的智能化升級惠及千行百業(yè)，每一家企業(yè)都在試圖從中獲取有效的數(shù)據(jù)洞察。麥肯錫預(yù)計，數(shù)據(jù)將在全球范圍內(nèi)創(chuàng)...

2021-07-02 標(biāo)簽：NAND 數(shù)據(jù)PC 2.6k 0

存儲器市場價格走勢預(yù)測：2024年回升

據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析，即便上半年市場終端需求有所下滑，原廠對DRAM和NAND Flash的價格調(diào)整仍保持溫和態(tài)勢，以便應(yīng)對傳統(tǒng)旺季時供應(yīng)更加緊張的情況。他們...

2024-02-20 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲器 2.6k 0

群聯(lián)64層3D QLC NAND Flash控制芯片出貨，單顆容量即可達128GB

快閃存儲器（NANDFlash）控制芯片及儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布，搭載美系國際原廠最新QLC規(guī)格64層3DNANDFlash之的SSD控制芯...

2018-09-11 標(biāo)簽：NAND 存儲器 2.6k 0

江波龍FORESEE品牌持續(xù)發(fā)力搶占大容量嵌入式芯片市場

近日，作為國內(nèi)存儲龍頭企業(yè)，深圳市江波龍電子有限公司（江波龍）宣布，旗下FORESEE品牌嵌入式存儲芯片業(yè)務(wù)，在過去三年間，已實現(xiàn)累積銷售1.5億顆，銷...

2018-08-16 標(biāo)簽：nand 存儲江波龍 2.6k 0

與DRAM領(lǐng)域不同長江存儲在NAND領(lǐng)域取得了進展

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2019-04-18 標(biāo)簽：DRAM NAND 2.6k 0

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云儲存

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
LPDDR4

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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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