全球閃存芯片競爭格局分析

時至今日，在全球手機(jī)芯片市場，華為、聯(lián)發(fā)科兩家中國企業(yè)順利搶下近半數(shù)份額，擁有了一定的話語權(quán)。

2021-01-18 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 2.7k 0

英特爾7納米制程技術(shù)的發(fā)展進(jìn)展詳細(xì)說明

英特爾方面表示，“經(jīng)過慎重考慮，董事會得出結(jié)論，現(xiàn)在是進(jìn)行領(lǐng)導(dǎo)層變革的恰當(dāng)時機(jī)，在英特爾轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時期，利用Pat的技術(shù)和工程專長。董事會相信，Pat和...

2021-01-17 標(biāo)簽：英特爾NAND5G 5.6k 0

長江存儲計劃今年將產(chǎn)量提高一倍

此前4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。這標(biāo)志著國內(nèi)3D NAND...

2021-01-17 標(biāo)簽：控制器NAND長江存儲 3.6k 0

長江存儲打破閃存芯片技術(shù)壁壘

NAND Flash是全球最重要的存儲芯片之一，中國需求量最高。2019年，中國地區(qū)NAND閃存市場銷售額全球第一，占比37%。但全球NAND閃存市場卻...

2021-01-16 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 5.6k 0

計劃今年將產(chǎn)量提高一倍：長江存儲辟謠

日經(jīng)亞洲評論日前報道稱，長江存儲計劃今年將產(chǎn)量提高一倍，并開始率先生產(chǎn)192層3D NAND閃存。 對此消息，長江存儲發(fā)布公告指出，近日發(fā)現(xiàn)個別境外媒體...

2021-01-14 標(biāo)簽：NAND3D長江存儲 2.4k 0

回顧長江存儲3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前，有媒體報道稱，消息人士透露，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓，并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層...

2021-01-13 標(biāo)簽：閃存控制器NAND 6.2k 0

長江存儲或?qū)?021年存儲芯片產(chǎn)量提高一倍

據(jù)媒體報道，長江存儲計劃今年把產(chǎn)量提高一倍，計劃到下半年將每月的存儲芯片產(chǎn)量提高到10萬片晶圓，并準(zhǔn)備試產(chǎn)192層NAND快閃記憶體晶片，最快將于202...

2021-01-12 標(biāo)簽：芯片控制器NAND 6.2k 0

2021年半導(dǎo)體行業(yè)的市場走向展望

由于疫情的蔓延、全球經(jīng)濟(jì)景氣周期、疊加大國之間的關(guān)系降到冰點(diǎn)等因素，過去的魔幻2020年不管是對于個人或是企業(yè)來說都是動蕩不安的，放眼電子信息技術(shù)的角度...

2021-01-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體元器件NAND 8.7k 0

車用芯片短缺導(dǎo)致豐田等主流汽車制造商減產(chǎn) 美光看好汽車業(yè)務(wù)的需求增長

據(jù)臺灣媒體報道，全球范圍內(nèi)車用芯片短缺，正在迫使大型汽車制造商復(fù)蘇步伐受阻，只能停止或減緩汽車生產(chǎn)。繼本田(Honda)傳出減產(chǎn)消息，豐田汽車(Toyo...

2021-01-11 標(biāo)簽：芯片NAND豐田 6k 0

全球六大廠商壟斷競爭，長江存儲有望打破壟斷

NAND Flash作為全球最為重要的存儲芯片之一，目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競爭，中國NAND Flash廠商長江存儲（YMTC）已在2020年第一季...

2021-01-11 標(biāo)簽：閃存控制器nand 4.9k 0

MCU成為兆易創(chuàng)新的新增長點(diǎn)

近期大眾造車缺“芯”的新聞沸沸揚(yáng)揚(yáng)，雖然大眾公司為了穩(wěn)定情緒不斷辟謠，但整個芯片行業(yè)及各類電子元器件偏于緊俏已經(jīng)成為了不爭的事實。需求高企外加國產(chǎn)替代化...

2021-02-15 標(biāo)簽：芯片mcuNAND 4.5k 0

整體NAND Flash市場仍處于供過于求的狀態(tài)

群聯(lián)董事長潘健成9日表示，客戶需求樂觀，已與季節(jié)性變化脫鉤，但代工廠產(chǎn)能持續(xù)吃緊，情況可能延續(xù)至5月，因應(yīng)成本墊高、供給吃緊，已對客戶調(diào)漲NAND Fl...

2021-01-10 標(biāo)簽：芯片pcbNAND 2.3k 0

19nm SLC閃存還沒迎來落幕

由于成本上的優(yōu)勢，目前市場上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費(fèi)級市場上幾乎消失了。

2021-01-08 標(biāo)簽：閃存NANDSLC 2.8k 0

全球LED整體需求將觸底反彈，2021年產(chǎn)值或達(dá)157億美元

12月22日，據(jù)TrendForce旗下半導(dǎo)體研究處的最新報告，受限于上游臺積電與聯(lián)電等晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，及下游封測產(chǎn)能緊缺，包含Phison與Sil...

2021-01-04 標(biāo)簽：led控制器nand 2.5k 0

明年SSD主控芯片的價格最高將上漲15~20%

盡管研究機(jī)構(gòu)此前曾預(yù)測由于三星、SK 海力士、英特爾和長江存儲將提高產(chǎn)量，明年 NAND 閃存的平均價格將下降 10~15%，但根據(jù)集邦咨詢 （Tren...

2020-12-28 標(biāo)簽：芯片NAND三星電子 3.3k 0

DRAM、NAND和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析

最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技...

2020-12-24 標(biāo)簽：嵌入式DRAMNAND 2k 0

ROM分為幾類 有什么區(qū)別

存儲器分為兩大類：RAM和ROM，RAM就不講了，主要討論ROM。 ROM最初是不能編程的，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。 后來出現(xiàn)了PROM，可...

2020-12-22 標(biāo)簽：NANDFlaShEEPROM 8k 0

NAND Flash控制器價格或面臨調(diào)漲

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處調(diào)查顯示，受限于上游臺積電（TSMC）與聯(lián)電（UMC）等晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，及下游封測產(chǎn)能緊缺，包含Ph...

2020-12-22 標(biāo)簽：控制器NAND晶圓 2.7k 0