三星擬放緩2019年記憶體增產(chǎn) 有助降低DRAM跌價速度

美中貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致市場不確定性大增，記憶體大廠三星傳出將調(diào)降明年DRAM及NAND Flash位元出貨量，若隨著產(chǎn)出減少，有助于明年跌價壓力趨緩，對臺記憶體...

2019-01-02 標(biāo)簽：DRAMNand三星電子 1.2k 0

在物聯(lián)網(wǎng)的推動下 市場對于SSD的需求與日俱增

在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推動下，市場對于固態(tài)硬盤（SSD）的需求與日俱增。為了回應(yīng)現(xiàn)下的趨勢，三星電子（Samsung Electronics）正在首爾南方...

2018-12-29 標(biāo)簽：NAND三星電子SSD 1.5k 0

三星在手機(jī)市場遭遇一定挫折 卻在NAND Flash市場成為大贏家

三星在手機(jī)市場遭遇一定挫折，不過由于全球手機(jī)的出貨量成長以及對更大容量的內(nèi)存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家，據(jù)TrendForc...

2018-12-29 標(biāo)簽：NAND三星電子 1.3k 0

DRAM價格壟斷調(diào)查轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售

先前反壟斷局針對DRAM三大業(yè)者，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)展開反壟斷嫌疑...

2018-12-29 標(biāo)簽：NAND存儲器 4.4k 0

今年一直在跌價的NAND閃存，預(yù)計三星本季度盈利會下滑7.6%

持續(xù)上漲兩年多的DRAM內(nèi)存價格在今年Q4季度終于由漲轉(zhuǎn)跌了，三星、SK Hynix及美光三大內(nèi)存芯片供應(yīng)商都在想方設(shè)法應(yīng)對即將到來的降價周期，這三家公...

2018-12-28 標(biāo)簽：閃存NAND內(nèi)存芯片 3.5k 0

三星/SK海力士/美光紛紛減產(chǎn) 存儲器行業(yè)或?qū)⒚媾R相當(dāng)大的挑戰(zhàn)

經(jīng)過兩年多的漲價潮，DRAM的風(fēng)光不再，10月份調(diào)研報告顯示DRAM內(nèi)存現(xiàn)貨價格跌了10%。今年第四季DRAM價格正式反轉(zhuǎn)向下，11月合約價甚至出現(xiàn)二次...

2018-12-30 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲器 3.4k 0

美日韓對決96層3D NAND 全球DRAM仍處于寡占狀態(tài)

這些新技術(shù)的推進(jìn)，打破原先的產(chǎn)業(yè)格局，每家廠商都想搶得先機(jī)，鴨子劃水般的投資暗暗給全球半導(dǎo)體業(yè)帶來重大的改變。不僅原本的存儲器大廠虎視眈眈，臺灣地區(qū)的晶...

2018-12-25 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 2k 0

內(nèi)存、閃存價格回歸理智 三星、SK海力士、美光合計2019年減產(chǎn)

這兩年，DRAM芯片和內(nèi)存條價格經(jīng)歷了一波瘋漲，如今已經(jīng)慢慢回歸理智，而在另一方面，NAND閃存產(chǎn)能一直很充裕，SSD固態(tài)硬盤的價格也是持續(xù)走低，性價比...

2018-12-23 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 5.6k 0

紫光宏茂微電子宣布成功實現(xiàn)大容量企業(yè)級3DNAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)

1月7日，紫光集團(tuán)官方微信公眾號發(fā)文，宣布旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司宣布成功實現(xiàn)大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產(chǎn)。

2019-01-09 標(biāo)簽：芯片NAND紫光 8.1k 0

美光計劃削減12.5億美元的資本支出，減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示，為了適應(yīng)當(dāng)前市場的狀況，美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的...

2018-12-21 標(biāo)簽：NAND閃存芯片美光 4.5k 0

預(yù)估明年第一季NAND Flash合約價將再跌10%

展望2019年上半年，盡管原廠對擴(kuò)充產(chǎn)能態(tài)度保守，甚至開始抑制擴(kuò)產(chǎn)，但由于淡季影響，加上市場庫存水位仍高，供過于求的情況只會更加顯著，預(yù)估第一季NAND...

2018-12-20 標(biāo)簽：NANDFlash 3.3k 0

帶你認(rèn)識eMMC閃存和UFS閃存 規(guī)格不是萬能的

一部完整的手機(jī)是由許多零部件組成的，但是用戶往往只關(guān)注運算處理器、運行內(nèi)存、圖形處理器等核心硬件，卻忽略了另外一個直接影響手機(jī)性能和讀取速度的硬件模塊：...

2018-12-18 標(biāo)簽：閃存NAND 1.4萬 0

賽普拉斯把一個營收一億八千六百萬美元的業(yè)務(wù)剝離出去，為什么在這個時候做這個決定？

Hassane表示，賽普拉斯重奪USB芯片出貨量頭名，靠得也是專注與變革。“賽普拉斯曾經(jīng)是USB市場第一名，但因為不夠?qū)Ｗⅲ允チ诉@個位置?！盚as...

2018-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND賽普拉斯 4.5k 0

關(guān)于不同NAND閃存的種類對比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC...

2018-12-17 標(biāo)簽：閃存NAND 2.7k 0

SLC NAND Flash是旺宏今年營運主要成長動力之一

旺宏電子（2337）2018年4月合并營收29.02億元，較3月之32.53億元減少10.8%，較2017年同期20.48億元，則增加41.7%。

2018-12-14 標(biāo)簽：NAND旺宏 8.6k 0

3D NAND flash大戰(zhàn)開打 三星獨霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也...

2018-12-13 標(biāo)簽：NAND三星電子美光 1.4k 0

英特爾與傲騰聯(lián)手 重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)

今日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)...

2018-12-13 標(biāo)簽：英特爾NAND存儲 943 0

DRAM連漲之后持續(xù)下跌 各大廠商已做好準(zhǔn)備

全球DRAM市場上，三星一家獨大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95％左右，而華亞科被美光全資收購之后，Nanya南亞科技...

2018-12-10 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 8k 0

分拆內(nèi)存業(yè)務(wù) 助力提高東芝/威騰陣營的NAND Flash產(chǎn)能及產(chǎn)品開發(fā)

最新調(diào)查顯示，日本大廠東芝（Toshiba）為提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)競爭力，已正式宣布將在今年3月31日前完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù)，預(yù)期分拆后的新公司將有更多經(jīng)營彈性及...

2018-12-10 標(biāo)簽：東芝NAND內(nèi)存 1.5k 0

64層/72層3D NAND開始出貨 SSD市場將迎來新的局面

6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)...

2018-12-10 標(biāo)簽：NAND三星電子SSD 1.6k 0