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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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存儲(chǔ)器芯片價(jià)格上揚(yáng) 中國(guó)強(qiáng)“芯”補(bǔ)短板芯片
存儲(chǔ)器芯片是智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等各種智能終端產(chǎn)品所不可或缺的關(guān)鍵器件,主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù),并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過程中高速、自動(dòng)地完成程...
存儲(chǔ)器芯片拉動(dòng)IC市場(chǎng)增長(zhǎng) 微露曙光
IBS塬本預(yù)測(cè)今年芯片產(chǎn)業(yè)將衰煺1.5%,現(xiàn)在認(rèn)為2016年芯片產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率為0.2%。又有一家市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)調(diào)升了對(duì)2016與2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率的...
2016-11-10 標(biāo)簽:dramnand存儲(chǔ)器芯片 911 0
2015年主要原廠NAND Flash的市場(chǎng)份額
在IC設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試多個(gè)領(lǐng)域齊頭并進(jìn)的時(shí)候,中國(guó)半導(dǎo)體將觸角伸向了存儲(chǔ)領(lǐng)域,相信這是引致這次韓國(guó)成立半導(dǎo)體基金的主要誘因。
2016-11-03 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)技術(shù)武漢新芯 2.8k 0
手機(jī)熱銷帶旺NAND價(jià)格走高 三星東芝擴(kuò)產(chǎn)能應(yīng)對(duì)
日經(jīng)新聞2016年10月29日?qǐng)?bào)導(dǎo),使用于智能手機(jī)、存儲(chǔ)卡的NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)批發(fā)價(jià)格進(jìn)一步走升,10月份指標(biāo)性產(chǎn)品MLC...
NAND價(jià)格兩年來首次突破3美元 三星產(chǎn)能全開追不上需求
報(bào)導(dǎo)指出,三星電子停產(chǎn)停售 Note 7,讓借此加強(qiáng)攻勢(shì)、擴(kuò)大市占率的中國(guó)智能手機(jī)廠需求急增,而各家內(nèi)存廠商雖已增產(chǎn)順應(yīng)、但仍追不上需求增加速度。日本三...
DRAM表現(xiàn)強(qiáng)勁 2016年IC市場(chǎng)營(yíng)收將增長(zhǎng)1%
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告將對(duì)2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收的成長(zhǎng)率預(yù)測(cè),由原先的-2%提升為1%;此外該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),2016年全球IC出...
2016-10-25 標(biāo)簽:DRAMNAND快閃存儲(chǔ)器 1.3k 0
美光3D XPoint固態(tài)硬盤首次現(xiàn)身 Facebook對(duì)商用興趣濃厚
近日,在美國(guó)加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,美光科技(Micron)揭示了基于3D XPoint(相變存儲(chǔ))技術(shù)...
為確保行業(yè)優(yōu)勢(shì) 三星今年內(nèi)量產(chǎn)64層NAND
上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
三星電廠爆炸,對(duì)存儲(chǔ)芯片供應(yīng)有何影響?
一般半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)設(shè)備都配有UPS(Uninterruptible Power Supply),即不間斷電源。供電的閃斷對(duì)機(jī)器影響不大,最多也只會(huì)造成部...
NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)將再次上漲6%
市場(chǎng)主流的eMMC/eMCP和SSD產(chǎn)品,本周(6月7日)eMMC/eMCP價(jià)格維持平穩(wěn)走勢(shì),240GB/480GB TLC SSD價(jià)格有所下滑。
2016-06-11 標(biāo)簽:閃存NAND半導(dǎo)體芯片 1k 0
紅色供應(yīng)鏈來勢(shì)洶洶,外界原本認(rèn)為,陸廠要到四五年后才能在存儲(chǔ)器搶下一席之地,不過有分析師預(yù)測(cè),陸廠研發(fā)腳步迅速,可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。
根據(jù)科技新報(bào)取得的消息,武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠,而非市場(chǎng)謠傳的 DRAM 廠。
2016-03-22 標(biāo)簽:NAND半導(dǎo)體芯片武漢新芯 3.8k 0
東芝或?qū)⒉脝T數(shù)千名 分拆NAND存儲(chǔ)器事業(yè)部
被東芝(Toshiba)視為營(yíng)運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光,據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Me...
東芝傳分拆 NAND Flash 事業(yè),以便上市籌資、代工強(qiáng)化收益
被東芝(Toshiba)視為營(yíng)運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光,據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND 型快閃記憶體(Flash M...
全球半導(dǎo)體龍頭英特爾宣布,旗下位于大陸大連的12寸晶圓廠將由原本生產(chǎn)電腦晶片組,轉(zhuǎn)為制造儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash),總投資金額達(dá)55億美元...
四強(qiáng)投資動(dòng)作暗潮洶涌 欲爭(zhēng)奪3D NAND市場(chǎng)
包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產(chǎn)3D NAND Flash,紛投資建廠或以既有...
2015-10-09 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器半導(dǎo)體行業(yè) 1k 0
聯(lián)發(fā)科2710萬美元收購(gòu)存儲(chǔ)器商常憶科技
聯(lián)發(fā)科技表示,收購(gòu)常憶科技主要木器是要強(qiáng)化存儲(chǔ)相關(guān)專利(IP)人才,并不會(huì)介入存儲(chǔ)市場(chǎng),未來將是DRAM或NAND Flash存儲(chǔ)廠商合作。
2015-08-17 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科DRAMNAND 1.1k 0
速度是NAND千倍!新型非揮發(fā)性存的儲(chǔ)器已量產(chǎn)
英特爾(Intel)與美光科技(Micron)日前發(fā)表新型非揮發(fā)性記憶體技術(shù)──3D XPoint,該種記憶體號(hào)稱是自1989年NAND快閃晶片推出以來...
慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級(jí)單封裝SSD解決方案
在設(shè)計(jì)及推廣用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporatio...
東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨
東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布,即日起開始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式...
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