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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand資訊

2013年全球半導(dǎo)體較2012年成長4.5%

Gartner發(fā)布預(yù)測，2013年全球半導(dǎo)體營收預(yù)估達(dá)3，110億美元，較2012年成長4.5%。Gartner上季塬預(yù)測明年半導(dǎo)體營收將達(dá)3，300億...

2012-12-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 1.2k 0

熱能的應(yīng)用大幅度延長閃存壽命周期

現(xiàn)在已經(jīng)有了一種新方法使得 NAND 閃存的壽命時(shí)間比現(xiàn)在更長。延長 NAND 閃存壽命的關(guān)鍵是熱能的應(yīng)用。

2012-12-03 標(biāo)簽：閃存 NAND 熱能 1.1k 0

今年全球晶圓設(shè)備支出衰退13.3% 估2014年恢復(fù)成長

研究暨顧問機(jī)構(gòu)發(fā)布最新預(yù)測，預(yù)估今年全球晶圓設(shè)備（WFE）支出金額總計(jì)達(dá)314億美元，較2011年362億美元下滑13.3%，預(yù)期2014年才可重回正成長。

2012-10-16 標(biāo)簽：NAND 晶圓晶圓制造 960 0

IC Insights:2012年電信類IC成長奪冠

ICInsights指出，雖然2012年整體IC市場成長率預(yù)計(jì)將下降1%，但仍有九大產(chǎn)類別預(yù)計(jì)將出現(xiàn)正成長，其中前三名均與電信產(chǎn)業(yè)相關(guān)。

2012-10-15 標(biāo)簽：IC NAND 有線通信 1.1k 0

三星打破行業(yè)極限推出128GB NAND存儲芯片

云端的存儲解決方案并不是適用于所有的移動平臺用戶。最近，三星打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。

2012-09-21 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 三星電子 1.4k 0

全球半導(dǎo)體市場未來5年復(fù)合年增長率或達(dá)8%

市場研究公司IC Insights的最新報(bào)告顯示，在經(jīng)歷了一段時(shí)間的低迷后，全球半導(dǎo)體行業(yè)2011至2016年的復(fù)合年增長率將達(dá)到8.0%，遠(yuǎn)高于200...

2012-08-15 標(biāo)簽：NAND 半導(dǎo)體市場 1k 0

東芝計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存芯片30%

東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。

2012-07-24 標(biāo)簽：東芝 NAND 閃存芯片 1.1k 0

東芝“照亮”2012首季度NAND排行榜僅次三星電子

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：日本半導(dǎo)體廠商——東芝公司2012年首季度NAND閃存芯片銷售達(dá)到17.1億美元，較之2011年第四季度增長了19%，在全球所有NAND...

2012-06-14 標(biāo)簽：東芝 NAND 三星電子 902 0

全球NAND市場觀察：NAND下旬合約價(jià)續(xù)跌6－9％

　　5月下旬NANDFlash價(jià)格仍未見止跌跡象，根據(jù)DRAMeXchange的調(diào)查，5月下旬合約價(jià)仍下跌6％至9％，由于總體經(jīng)濟(jì)仍舊是最大變數(shù)，加上云...

2012-06-05 標(biāo)簽：NAND NANDFlash NAND市場 1k 0

4月下旬主流NAND Flash合約均價(jià)下跌2~9%

　　根據(jù) TrendForce 旗下研究部門 DRAMeXchange 調(diào)查顯示，由于 4月下旬中國勞動節(jié)庫存回補(bǔ)需求不如預(yù)期，2012年第二季除少數(shù)平...

2012-05-08 標(biāo)簽：NAND Flash 720 0

今年NAND閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)增長8%

今年全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)增長8%，從2011年的212億美元上升到229億美元。按照今年的營業(yè)收入預(yù)期，全球出貨量相當(dāng)于28823個(gè)1GB器件，...

2012-04-24 標(biāo)簽：nand 閃存芯片 nand閃存 767 0

全球IC版圖再生變數(shù)：三星投資70億美元在西安建NAND廠

　　有報(bào)道引用監(jiān)管機(jī)構(gòu)申請文件稱韓國電子巨頭三星電子宣布將在西安投資70億美元建一座NAND晶圓廠。

2012-04-09 標(biāo)簽：NAND 三星電子 1.2k 1

十六die NAND閃存誕生:單顆容量64GB

MOSAID Technologies今天宣布，他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片，讓他們和諧地運(yùn)行在了一個(gè)高性能通道內(nèi)。

2012-04-06 標(biāo)簽：閃存 NAND 半導(dǎo)體芯片 1.8k 0

Spansion與SK海力士宣布NAND戰(zhàn)略合作

　　2012年4月5日，中國上海 –Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）與SK海力士公司近日宣布結(jié)成戰(zhàn)略同盟，并針對嵌入式應(yīng)用市場發(fā)布4x、...

2012-04-06 標(biāo)簽：NAND Spansion SK海力士 1.2k 0

東芝將新建NAND閃存芯片工廠

據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。

2012-04-04 標(biāo)簽：東芝 NAND 閃存芯片 921 0

TDK開發(fā)出eSSD系列 NAND型閃存和閃存控制器一體化

TDK株式會社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)（MCP）、把TDK SSD控制...

2012-03-23 標(biāo)簽：NAND TDK 閃存控制器 1.4k 0

日本電子產(chǎn)業(yè)“震化論”：半導(dǎo)體各產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

　　2011年，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到地震與海嘯的嚴(yán)重破壞。在日本311地震一周年之際，IHS iSuppli的分析師針對日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀撰寫了系列分析...

2012-03-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND MEMS 2.2k 0

行業(yè)觀察：NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是...

2012-03-19 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 日本地震 1.2k 0

蘋果iPad消耗全球八成閃存：NAND密度遠(yuǎn)超對手

市場研究機(jī)構(gòu)IHS iSuppli估計(jì)，在全球平板電腦應(yīng)用的NAND閃存市場貢獻(xiàn)近八成的蘋果，將在2015年以前繼續(xù)穩(wěn)坐平板電腦NAND采購大戶寶座。

2012-03-18 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 2.8k 0

英特爾將向美光出售合資NAND閃存廠股份

北京時(shí)間2月29日凌晨消息，英特爾同意與美光科技擴(kuò)大就閃存芯片領(lǐng)域的合資企業(yè)合作，提高雙方關(guān)系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達(dá)成的協(xié)議，美光將為英特爾供貨NA...

2012-02-29 標(biāo)簽：英特爾 NAND 美光 449 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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3D NAND Flash

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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長鑫存儲

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