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SiC MOSFET

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安森美1200V、80毫歐SiC MOSFET：NTHL080N120SC1A的技術(shù)剖析

安森美1200V、80毫歐SiC MOSFET：NTHL080N120SC1A的技術(shù)剖析在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，功率器件的性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠...

2026-05-07 標(biāo)簽：SiC MOSFET 電力電子應(yīng)用 NTHL080N120SC1A 146 0

onsemi NTT2016N065M3S SiC MOSFET：高效開關(guān)的理想之選

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2026-05-07 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換高效節(jié)能 SiC MOSFET 156 0

onsemi碳化硅MOSFET NVHL023N065M3S技術(shù)解析

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2026-05-07 標(biāo)簽：電子工程 SiC MOSFET NVHL023N065M3S 145 0

探索 onsemi 的 SiC MOSFET：NVBG060N090SC1 的卓越性能與應(yīng)用潛力

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2026-05-07 標(biāo)簽：汽車電子 SiC MOSFET NVBG060N090SC1 40 0

安森美SiC MOSFET NVH4L023N065M3S：高性能與可靠性的完美結(jié)合

安森美SiC MOSFET NVH4L023N065M3S：高性能與可靠性的完美結(jié)合在當(dāng)今電子設(shè)備不斷追求高效、小型化和高功率密度的時(shí)代，碳化硅（Si...

2026-05-07 標(biāo)簽：安森美汽車電子 SiC MOSFET 49 0

探索 onsemi NVH4L060N065SC1 SiC MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用

探索 onsemi NVH4L060N065SC1 SiC MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，而碳化...

2026-05-07 標(biāo)簽：汽車應(yīng)用電氣特性 SiC MOSFET 83 0

onsemi NVH4L095N065SC1 SiC MOSFET深度解析

onsemi NVH4L095N065SC1 SiC MOSFET深度解析在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET一直是電力轉(zhuǎn)換和控制的關(guān)鍵組件。今天，我們來...

2026-05-07 標(biāo)簽：汽車電子 SiC MOSFET 電力轉(zhuǎn)換 85 0

安森美SiC MOSFET NVHL080N120SC1A：高性能與可靠性的完美結(jié)合

安森美SiC MOSFET NVHL080N120SC1A：高性能與可靠性的完美結(jié)合在當(dāng)今電子設(shè)備不斷追求高性能和高可靠性的背景下，功率半導(dǎo)體器件的選...

2026-05-07 標(biāo)簽：安森美 SiC MOSFET 汽車工業(yè)應(yīng)用 99 0

安森美SiC MOSFET NVHL040N120SC1：高性能功率器件的技術(shù)解析

安森美SiC MOSFET NVHL040N120SC1：高性能功率器件的技術(shù)解析在電子工程領(lǐng)域，功率器件的性能對于整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要...

2026-05-07 標(biāo)簽：SiC MOSFET 汽車工業(yè)應(yīng)用 NVHL040N120SC1 99 0

onsemi NVHL060N065SC1 SiC MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合

onsemi NVHL060N065SC1 SiC MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET一直是電力轉(zhuǎn)換和控制的核心組...

2026-05-07 標(biāo)簽：汽車應(yīng)用電氣特性 SiC MOSFET 86 0

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麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動(dòng)態(tài)測試中的應(yīng)用

標(biāo)簽：SiC MOSFET 1262 0

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SiC MOSFET并聯(lián)均流及串?dāng)_抑制驅(qū)動(dòng)電路的研究立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2025-08-18 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路 SiC MOSFET 746 0

1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電子資料 2024-01-03 標(biāo)簽：Nexperia SiC MOSFET 481 0

NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標(biāo)簽：SiC MOSFET 470 0

NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標(biāo)簽：SiC MOSFET 385 0

用于直流變換器的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2023-11-30 標(biāo)簽：直流變換器驅(qū)動(dòng)電路 SiC MOSFET 657 0

基于SiC MOSFET的精確分析模型立即下載

類別：電源技術(shù) 2018-03-13 標(biāo)簽：SiC MOSFET 1.8k 0

SiC MOSFET與SiC SBD換流單元瞬態(tài)模型立即下載

類別：電工論文網(wǎng) 2018-02-01 標(biāo)簽：SiC MOSFET 1.1k 0

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基于SiC MOSFET的Z-Source斷路器在光伏匯流箱中的小型化設(shè)計(jì) 光伏直流配電系統(tǒng)的保護(hù)挑戰(zhàn)與固態(tài)斷路器的技術(shù)演進(jìn) 隨著全球能源結(jié)構(gòu)的深度轉(zhuǎn)型...

2026-04-23 標(biāo)簽：斷路器光伏匯流箱 SiC MOSFET 692 0

國產(chǎn)SiC MOSFET功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)邏輯匹配與系統(tǒng)優(yōu)化

國產(chǎn)SiC MOSFET功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)邏輯匹配與系統(tǒng)優(yōu)化研究報(bào)告引言與產(chǎn)業(yè)演進(jìn)背景在全球能源結(jié)構(gòu)向深度電氣化轉(zhuǎn)型的宏觀背景下，高...

2026-04-13 標(biāo)簽：IGBT 功率模塊 SiC MOSFET 2.5k 0

多管并聯(lián) SiC MOSFET 的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)均流控制方法研究報(bào)告

多管并聯(lián) SiC MOSFET 的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)均流控制方法研究報(bào)告引言與多管并聯(lián)的工程背景在當(dāng)今的高功率電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，包括交通電氣化（如電動(dòng)汽車...

2026-04-13 標(biāo)簽：電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)SiC MOSFET 187 0

基于 SiC MOSFET 的高性能雙向 DAB 變換器全負(fù)載范圍 ZVS 實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化

基于 SiC MOSFET 的高性能雙向 DAB 變換器全負(fù)載范圍 ZVS 實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化指南 1. 緒論在現(xiàn)代分布式能源架構(gòu)、大規(guī)模儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、...

2026-04-07 標(biāo)簽：變換器 ZVS DAB 736 0

納秒級響應(yīng)：基于SiC MOSFET電流斜率 (di/dt) 的超快短路保護(hù)算法研究

納秒級響應(yīng)：基于SiC MOSFET電流斜率 (di/dt) 的超快短路保護(hù)算法研究 1. 引言與研究背景在現(xiàn)代電力電子技術(shù)向著高頻化、高效率和高功率...

2026-04-06 標(biāo)簽：SiC MOSFET 138 0

基于非線性電容特性的 SiC MOSFET 開關(guān)損耗解析模型建立

基于非線性電容特性的 SiC MOSFET 開關(guān)損耗解析模型建立碳化硅功率器件技術(shù)背景與非線性建模的必要性在現(xiàn)代電力電子變換器系統(tǒng)的演進(jìn)過程中，對更...

2026-04-06 標(biāo)簽：開關(guān)損耗 SiC MOSFET 195 0

13.56MHz 射頻電源拓?fù)渑c 1200V SiC MOSFET 集成：非線性電容補(bǔ)償

13.56MHz 射頻電源拓?fù)渑c 1200V SiC MOSFET 集成：非線性電容補(bǔ)償與半導(dǎo)體刻蝕能量穩(wěn)定性深度研究報(bào)告引言：半導(dǎo)體制造進(jìn)入埃米時(shí)代...

2026-04-06 標(biāo)簽：電容補(bǔ)償射頻電源 SiC MOSFET 177 0

固態(tài) BDU 革命：EV 電池管理中 SiC MOSFET 對直流接觸器的全面替代

固態(tài) BDU 革命：EV 電池管理中 SiC MOSFET 對直流接觸器的全面替代電動(dòng)汽車動(dòng)力分配架構(gòu)的歷史演進(jìn)與技術(shù)瓶頸在全球汽車工業(yè)向高壓電氣化...

2026-04-04 標(biāo)簽：電池管理直流接觸器 SiC MOSFET 314 0

SiC MOSFET芯片短路失效機(jī)理：基于 Sentaurus TCAD 的電-熱-力多物理場耦合仿真

SiC MOSFET芯片短路失效機(jī)理：基于 Sentaurus TCAD 的電-熱-力多物理場耦合仿真 1. 緒論：碳化硅功率器件在極端工況下的可靠性挑...

2026-04-03 標(biāo)簽：芯片 SiC MOSFET sentaurus 290 0

國產(chǎn)SiC MOSFET平替國際大廠產(chǎn)品的關(guān)鍵參數(shù)對標(biāo)：基于Qg與Coss的驅(qū)動(dòng)無感替換評估指南

國產(chǎn)SiC MOSFET平替國際大廠產(chǎn)品的關(guān)鍵參數(shù)對標(biāo)：基于Qg與Coss的驅(qū)動(dòng)無感替換評估指南碳化硅功率器件國產(chǎn)化替代的產(chǎn)業(yè)背景與工程挑戰(zhàn) 在當(dāng)前全...

2026-03-30 標(biāo)簽：SiC MOSFET 基本半導(dǎo)體 619 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
UCD3138

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