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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

車規(guī)模塊系列：賽米控SKiN技術介紹

芯片互連技術包括兩大類，有綁定線和無綁定線兩大類。其中，有綁定線的，我們再熟悉不過了，也是技術最為成熟的一類

2023-10-10 標簽：散熱器 IGBT SiC 3.2k 0

Qorvo SiC FET在ZVS軟開關技術應用中的卓越表現(xiàn)

從石器時代到信息時代，人類對高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動汽車和可再生能源系統(tǒng)等前沿科技的蓬勃發(fā)展，電力電子設備面臨的挑戰(zhàn)與日俱增。開關...

2024-07-25 標簽：ZVS 軟開關 SiC 3.2k 0

如何測試SiC MOSFET柵氧可靠性

隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能，如高開關速度、低導通電阻和高工作溫度，逐漸成為高...

2025-03-24 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 3.2k 0

基于芯干線氮化鎵與碳化硅的100W電源適配器方案

半導體器件作為現(xiàn)代電子技術的核心元件，廣泛應用于集成電路、消費電子及工業(yè)設備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...

2025-06-05 標簽：半導體電源適配器 SiC 3.2k 0

如何在使用SiC MOSFET時最大限度地降低EMI和開關損耗

碳化硅（SiC） MOSFET 的快速開關速度、高額定電壓和低導通 RDS（on）使其對電源設計人員極具吸引力，這些設計人員不斷尋找提高效率和功率密...

2022-11-23 標簽：MOSFET emi SiC 3.2k 0

基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅逆變器即將大規(guī)模“上車”

在當今全球汽車工業(yè)駛向電動化的滾滾浪潮中，一項關鍵技術正以其顛覆性的性能改變著電動汽車整體市場競爭力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅逆變器。

2024-03-13 標簽：新能源汽車 MOSFET 逆變器 3.2k 0

基于SIC功率模塊的200kW車載逆變控制器介紹

在電動汽車驅動控制器中，逆變控制器是實現(xiàn)能量交直流轉化的關鍵部件，用于電機的驅動或制動時的能量回收或是提供交流電源。市場對于逆變控制器的能量傳輸效率、功...

2023-05-11 標簽：電動汽車控制器晶體管 3.2k 0

碳化硅SiC芯片封裝：銀燒結與銅燒結設備的技術探秘

隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領域的廣泛應用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢，封裝技術起著...

2025-03-05 標簽：芯片 SiC 碳化硅 3.2k 0

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

2023-11-28 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 3.1k 0

SiC MOSFET的短路特性和短路保護方法

在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應用領域中，由第三代半導體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。

2025-03-12 標簽：MOSFET 半導體 SiC 3.1k 0

Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。但是SIC MOS和Si IGBT的器件...

2025-01-21 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 3.1k 0

基于長線列紅外焦平面探測器冷箱組件開展焦面熱應力變形研究

隨著紅外焦平面探測器陣列規(guī)模的不斷擴大，由多層結構低溫熱失配形變導致的杜瓦可靠性問題愈發(fā)突出，對焦面低溫形變的定量化表征需求越來越迫切。

2023-10-13 標簽：CCD 仿真器 SiC 3.1k 0

安森美SiC Cascode JFET與SiC Combo JFET深度解析

碳化硅（SiC）憑借其優(yōu)異的材料特性，在服務器、工業(yè)電源等關鍵領域掀起技術變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，從碳化硅如何...

2026-04-10 標簽：半導體安森美 JFET 3.1k 0

解析適用于SiC柵極驅動的PCB布局方法

在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設計印刷電路板 (PCB) 布局時，柵極驅動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅動，更需認真關...

2023-05-20 標簽：MOSFET SiC PCB 3.1k 0

SiC MOSFET在電源轉換器設計中的優(yōu)化方案

作者：英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉換器的設計，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術是當今進行器件選擇時的現(xiàn)實考慮。65...

2021-03-25 標簽：MOSFET 電源轉換器 SiC 3.1k 0

三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析

1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應用于工業(yè)、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為...

2024-12-04 標簽：芯片 MOSFET 三菱電機 3.1k 0

電源設計筆記:適用于高性能應用的SiC JFET

本文檢查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——這篇文章純粹是指導性的;此組件不再可用。但是這種簡單的方法也可以應用于其他新組件。在接下...

2022-07-29 標簽：電源設計 JFET SiC 3.1k 0

碳化硅（SiC）相較于硅（Si）有哪些優(yōu)勢！

硅碳化物(SiC)技術已經(jīng)達到了臨界點，即無可否認的優(yōu)勢推動一項技術快速被采用的狀態(tài)。

2023-09-07 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 3.1k 0

解析可編程輸出隔離型DC/DC轉換器的優(yōu)勢

為應對 Si、SiC 和GaN 等不斷發(fā)展的技術，優(yōu)化功率驅動設計需要適應性強的柵極驅動解決方案。本文重點介紹了可編程輸出的隔離型 DC/DC 轉換器的...

2025-11-18 標簽：轉換器晶體管 SiC 3.1k 0

什么是IGBT的膝電壓？

轉眼2024年的第一個周末了，也許只有到了隆冬，我們才會知道，我們身上有著一個不可戰(zhàn)勝的夏天。之前在聊到特斯拉減少75% SiC用量的話題時，我們聊了H...

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