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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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1400V碳化硅SiC功率模塊在三相四線制工商業(yè)儲能PCS中的應用潛力
BASiC-BMF004MR14E2B3碳化硅1400V功率模塊在三相四線制工商業(yè)儲能PCS中的應用潛力研究報告 1. 產(chǎn)業(yè)技術(shù)演進與工商業(yè)儲能PCS的...
構(gòu)網(wǎng)型儲能元年:SiC 高頻特性賦能電網(wǎng)“秒級頻率主動支撐”
傾佳楊茜-儲能硬件-2026 構(gòu)網(wǎng)型儲能元年:SiC 高頻特性賦能電網(wǎng)“秒級頻率主動支撐”的技術(shù)必然 1. 宏觀背景與產(chǎn)業(yè)躍遷:2026年全球新型電力系...
瞻芯電子獲評第三批上海市創(chuàng)新型企業(yè)總部授牌
近日,上海市委副書記、市長龔正出席第三批上海市創(chuàng)新型企業(yè)總部授牌儀式,向包括上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)在內(nèi)的44家創(chuàng)新型企業(yè)總部授...
2026年SiC碳化硅模塊清洗工藝深度解析與最優(yōu)方案選擇
隨著電動汽車、新能源及工業(yè)驅(qū)動技術(shù)的飛速發(fā)展,以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體功率模塊已成為提升系統(tǒng)效率與功率密度的核心元件。相較于傳統(tǒng)硅基器件,...
電源工程師選型指南:GaN vs SiC 決策框架與芯茂微SiC方案落地
本文從電源工程師實戰(zhàn)視角,拆解GaN與SiC核心差異:SiC耐壓1200V+、熱導率為GaN3.8倍、門限高抗干擾、短路耐受強,適配≥650V、<...
安森美CEO Hassane El-Khoury亮相2026北京車展
在2026年北京車展上,超高壓架構(gòu)、艙駕融合及車載 AI Agent的技術(shù)浪潮正在重塑行業(yè)邊界。
方正微電子在北京汽車展發(fā)布:車規(guī)主驅(qū)SiC MOSFET累計出貨量超3000萬顆暨G3平臺新產(chǎn)品重磅發(fā)布
中國.北京,2026年4月26日?– 在2026北京國際汽車展覽會期間,深圳方正微電子有限公司聯(lián)合中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟,隆重舉辦“方正微電子車規(guī)...
36W小體積電源痛點破解!芯茂微LP3798ESM內(nèi)置750V SiC PSR芯片深度解析
芯茂微LP3798ESM是面向10~36W場景的內(nèi)置750V SiC原邊反饋(PSR)電源芯片,為LP3798系列頂配型號,主打小體積高功率密度,解決工...
30-120W 快充 / 適配器專用|LP8841SC 寬壓 SiC 反激控制器,EMI 優(yōu)化 + 外圍極簡
快充與電源適配器開發(fā)過程中,硬件工程師常面臨多項技術(shù)難題:寬壓輸入場景下供電適配范圍不足、輕載工況能效表現(xiàn)不佳、EMI 傳導認證整改周期長、保護電路外圍...
五電平 ANPC 拓撲:SiC 助力兆瓦級風電變流器輸出濾波器體積削減 45%
五電平 ANPC 拓撲:SiC 助力兆瓦級風電變流器輸出濾波器體積削減 45% 的演進路徑 兆瓦級風電變流器的技術(shù)演進與多電平拓撲的物理機制 在全球能源...
如何應用英飛凌新一代G2 CoolSiC? MOSFET 提升系統(tǒng)效率
CoolSiCMOSFETG21200V系列產(chǎn)品是英飛凌最新推出的SiCMOSFET產(chǎn)品,均采用了擴散焊工藝(.XT)來降低結(jié)殼熱阻。TO247封裝器件...
晶豐明源推出大功率內(nèi)置碳化硅產(chǎn)品BP3532GC
當前第三代半導體產(chǎn)業(yè)迎來廣闊發(fā)展機遇,碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)憑借高頻、高功率、低損耗等優(yōu)異特性,已成為車載快充、數(shù)據(jù)中心及能源領域能效升級的...
合科泰SiC碳化硅產(chǎn)品在充電樁與光伏中的應用選型
隨著新能源行業(yè)的快速發(fā)展,SiC碳化硅功率器件在充電樁、光伏逆變器等領域的應用日益廣泛。對于工程師和采購人員而言,如何在眾多型號中快速匹配到適合的產(chǎn)品,...
量產(chǎn)實戰(zhàn)|極簡BOM+SiC高頻加持,芯茂微LP8841SD 65W PD快充全套工程方案
本文分享芯茂微LP8841SD原生SiC專用QR反激主控65W PD快充量產(chǎn)方案,解決傳統(tǒng)QR搭SiC的柵極振鈴、EMI整改難、輕載嘯叫等痛點。方案采用...
碳化硅(SiC)模塊開關(guān)特性對ANPC總諧波失真(THD)的影響
碳化硅(SiC)模塊開關(guān)特性對有源中點鉗位(ANPC)儲能變流器死區(qū)時間與輸出總諧波失真(THD)的深層影響分析 引言與新型儲能變流器的技術(shù)背景 在現(xiàn)代...
近日,芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司(簡稱“芯聯(lián)集成”)與浙江翠展微電子有限公司(簡稱“翠展微電子”)正式簽署車規(guī)級碳化硅(SiC)功率模塊封測代工戰(zhàn)略合...
2026-04-27 標簽:SiC翠展微電子芯聯(lián)集成 555 0
使用PW8001高端功率分析儀對SiC逆變器實際測量結(jié)果的比較
近年來,采用可實現(xiàn)高速開關(guān)功率半導體Sic及GaN的高效逆變器研發(fā)不斷推進。通過采用這些功率半導體,可實現(xiàn)逆變器 開關(guān)速度的高速化,扼流線圈和電容器等元...
硅來半導體SiC晶錠激光切割效率躍升50%:重構(gòu)寬禁帶半導體制造新范式
硅來半導體近日宣布其新一代SiC晶錠激光切割設備實現(xiàn)重大技術(shù)突破——單片切割時間從15分鐘壓縮至10分鐘,效率提升50%,標志著碳化硅材料加工環(huán)節(jié)正式進...
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布,開發(fā)出新一代EcoSiC——“第5代SiC MOSFET”,該產(chǎn)品非常適用于xEV(電動汽車)用...
全球電氣化、人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心、能源轉(zhuǎn)型和關(guān)鍵基礎設施正推動著前所未有的電力需求 — 而處于這一轉(zhuǎn)變核心的負載是動態(tài)的、雙向的,并且日益集中在...
2026-04-27 標簽:電力系統(tǒng)SiC碳化硅 481 0
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