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標簽 > sk海力士
SK海力士(Hynix)是一家源自韓國的半導體芯片制造商,主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導體公司之一,也是全球DRAM市場的領導者之一。
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SK海力士預計今年 HBM 芯片出貨量 2030 年可達 1 億顆
11 月 14 日消息,SK 海力士副會長兼聯(lián)席 CEO 樸正浩透露,今年公司高帶寬內(nèi)存(HBM)出貨量大幅增加,預計到 2030 年將達到每年 1 億...
來源:今日芯聞 ? 編輯:感知芯視界 Link 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,SK海力士正在擴產(chǎn)其第5代1b DRAM,以應對HBM及DDR5 DRAM需求增加。SK...
三星和SK海力士的在華晶圓廠有可能在2023年10月以后不但無法繼續(xù)進口設備更新產(chǎn)線,也無法再生產(chǎn)更先進的存儲芯片,包括更先進制程和更高Layer的DR...
來源:Silicon Semiconductor 為下一代HBM建造先進封裝設施,同時與普渡大學合作研發(fā)。 SK海力士將在美國印第安納州西拉斐特投資約3...
受4月3日中國臺灣7.3級地震影響,美光公司曾短暫暫停DRAM芯片生產(chǎn),隨后宣布第二季度DRAM及SSD合約價格上調(diào)幅度超過25%。三星、SK海力士亦在...
DRAM產(chǎn)業(yè)屢創(chuàng)新高,擴產(chǎn)計劃指日可待
觀察各廠技術與產(chǎn)能布局,三星今年的目標除了專注于18nm制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進外,近幾季DRAM同業(yè)的高獲利,亦刺激三星開始思索可能的DRAM擴產(chǎn)計劃,一方面應...
NAND閃存售價下降,需求量猛增,SK海力士Q3創(chuàng)新高銷售額達到477億元
SK海力士預計第四季度D-RAM和NAND閃存需求不斷增長。公司計劃第四季度批量生產(chǎn)10納米級D-RAM和72層NAND閃存,明年業(yè)績?nèi)詫⑾蚝谩?/p>
明年存儲芯片恐缺貨 三星、SK海力士齊力能否扭轉(zhuǎn)乾坤
業(yè)界認為,三星雖維持資本支出計劃,但主要是強化DDR5等新世代高階存儲芯片生產(chǎn)。 隨著三星將焦點聚焦高階新世代產(chǎn)品,并釋出大幅減產(chǎn)信息,意味主流DDR4...
據(jù)外媒報道,韓國科技巨頭三星電子的季度營業(yè)利潤預計將出現(xiàn)兩年來的首次下滑,原因是中國經(jīng)濟增長放緩,削弱了對其產(chǎn)品的需求。中國是三星的關鍵市場。 這家全球...
韓國SK海力士公司發(fā)布了Q3季度財報,當季營收6.839萬億韓元,同比下滑40%,環(huán)比增長6%,凈利潤4950億韓元,環(huán)比下滑8%,同比暴跌89%。
DRAM開啟殺戮戰(zhàn),存儲廠商調(diào)漲DRAM合約價
調(diào)研機構(gòu)研究報告顯示,三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計劃,都為未來DRAM市場投下新變數(shù),明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%,但成長...
手機熱銷帶旺NAND價格走高 三星東芝擴產(chǎn)能應對
日經(jīng)新聞2016年10月29日報導,使用于智能手機、存儲卡的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)批發(fā)價格進一步走升,10月份指標性產(chǎn)品MLC...
SK海力士財報表現(xiàn)低預期 決定縮減DRAM資本支出
由于需求疲弱,繼三星、美光和南亞科后,韓國存儲器大廠SK海力士決定將今年資本支出大砍四成。
SK海力士攜AI存儲器產(chǎn)品亮相NVIDIA GTC 2026
韓國首爾,2026年3月17日——SK海力士(簡稱‘公司’,https://www.skhynix.com)17日宣布,將于3月16日至19日(當?shù)貢r間...
據(jù)相關媒體報道,韓國芯片智造名企SK海力士的M16工廠已于近期竣工,該工廠于2018年11月正式動工建造,共投入約3.5萬億韓元,耗時兩年有余才完成建設。
西部數(shù)據(jù)首次宣布減產(chǎn) NAND閃存晶圓產(chǎn)量將減少30%
據(jù)TrendForce集邦咨詢2022年11月23日研究顯示,西部數(shù)據(jù)在全球NAND閃存市場占有12.6%的份額,僅次于三星電子、鎧俠和SK Group...
2023-02-09 標簽:NANDSK海力士西部數(shù)據(jù) 758 0
受智能手機價格持續(xù)上揚帶動,第一季行動式內(nèi)存產(chǎn)值再度刷新歷史記錄
根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,去年下半年智能手機的新機發(fā)布并未如預期帶來換機效應,因此自去年第四季中開始,市場提早進入...
三星增產(chǎn)NAND,分析師預測明年內(nèi)存將供過于求
IHS Markit報告預估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預料供給將增39%至879...
加碼投 資,續(xù)力發(fā)展,SK海力士將建設未來型產(chǎn)業(yè)基地
位于無錫高新區(qū),由SK海力士與無錫市新發(fā)集團有限公司共同投 資,總投 資額20億元的無錫高新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)園即將于今年8月正式開工,建設未來型產(chǎn)業(yè)基地。...
2021-07-29 標簽:SK海力士 733 0
SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄 目標2026年投產(chǎn)HBM4
4 月 19 日消息,SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄(MOU),推進 HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術,目標在 2026 年投產(chǎn) HBM4。 根據(jù)...
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