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• 矽力杰高帶寬高精度電流檢測放大器性能優(yōu)勢介紹

  矽力杰新一代高精度電壓輸出型電流檢測放大器SA59131系列產(chǎn)品支持高邊或低邊雙向電流檢測，擁 那有?4V~80V的寬共模電壓范圍，可采集低于接地電壓的輸入信號。...

  1181次閱讀 · 0評論 開關(guān)電源PWM電流檢測放大器矽力杰
  

• IGBT模塊失效機理的兩大類分析

  變壓器結(jié)電容相對于電壓變化率過大，導(dǎo)致的耦合電流干擾問題。這個問題導(dǎo)致的后果是，輸出邏輯錯誤，控制電路被干擾，電路失效等。...

  1937次閱讀 · 0評論 變壓器智能電網(wǎng)IGBT驅(qū)動電路電流干擾

• ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報告

  半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。...

  4618次閱讀 · 0評論 晶體管功率器件氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體
  

• 碳化硅功率器件的電氣性能優(yōu)勢

  SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏電流比Si 器件減少了幾個數(shù)量級，從而可以減少功率器件的功率損耗。...

  1102次閱讀 · 0評論 二極管功率器件氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體
  

• 中國功率器件大市場分析報告

  國產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET（非車規(guī)）等，已初現(xiàn)“規(guī)模化效應(yīng)、國產(chǎn)化率相對較高”等特 點。...

  1786次閱讀 · 0評論 二極管MOSFET晶閘管晶體管功率半導(dǎo)體
  

• 隔離式柵極驅(qū)動器的演變（IGBT/SiC/GaN）

  報告內(nèi)容包含： 效率和功率密度推動變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能 驅(qū)動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管） 驅(qū)動器進化以支持 SiC（碳化硅）...

  1135次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBTSiCGaN柵極驅(qū)動器
  

• IGBT頭部公司紛紛擴產(chǎn) 中國有哪些優(yōu)秀的IGBT廠商

  隨著新能源的爆火，IGBT缺貨成了近年來的“家常便飯”。根據(jù)富昌電子的數(shù)據(jù)，目前英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等IGBT國際大廠的訂單整體處于相對飽滿的狀態(tài)，價格整體而言也比較穩(wěn)定，產(chǎn)品交期普遍在39周以上，尤其是風(fēng)光儲IGBT等部分緊缺料交期還在52周以上。...

  1970次閱讀 · 0評論 英飛凌新能源汽車二極管IGBT功率器件
  

• ADC架構(gòu)的無采樣保持(SHA-less)結(jié)構(gòu)分析

  這種結(jié)構(gòu)依然存在一些弊端， MDAC和子ADC的信號輸入路徑可能存在不匹配，也就是開關(guān)的RC時間常數(shù)的不匹配，導(dǎo)致在輸入頻率很高時，可能導(dǎo)致采樣的信號存在很大的差異(孔徑誤差)。...

  2328次閱讀 · 0評論 運放電路adc比較器開關(guān)電容
  

• 微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

  報告內(nèi)容包含： 微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長 GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)...

  1094次閱讀 · 0評論 微波GaNHEMT
  

• mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么？

  Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時間，MOS管24V時帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱。 總結(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)（此處從網(wǎng)上搜集）...

  1821次閱讀 · 0評論 電路設(shè)計限流電阻開關(guān)損耗NMOS管
  

• 碳化硅的優(yōu)勢和難處

  　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更高的效率。...

  5067次閱讀 · 0評論 功率器件SiC碳化硅
  

• MOSFET和IGBT設(shè)計高性能自舉式柵極驅(qū)動電路設(shè)計指南

  驅(qū)動電路和以兩個輸入電壓作為擺幅的偏置電路，都與器件的源極軌連。但是，驅(qū)動電路和它的浮動偏置可以通過低壓電路實現(xiàn)，因為輸入電壓不會作用到這些電路上。...

  2261次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBT驅(qū)動電路自舉電路柵極驅(qū)動
  

• 為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si？

  碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導(dǎo)體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。...

  2458次閱讀 · 0評論 半導(dǎo)體IGBTSiC雙極晶體管碳化硅
  

• 信號、系統(tǒng)和數(shù)字信號處理知識整理

  信號、系統(tǒng)和數(shù)字信號處理知識整理...

  1353次閱讀 · 0評論 信號處理模擬信號數(shù)字信號
  

• 什么是跨阻放大器 跨阻放大器和普通運放的區(qū)別

  交流信號TIA電路的增益主要取決于放大器反饋環(huán)路中的電阻和電容。公式1表示圖1的理想交流和直流信號傳遞函數(shù)。...

  13540次閱讀 · 0評論 放大器運算放大器光電二極管跨阻放大器反饋電阻器
  

• IGBT儲能應(yīng)用價值及優(yōu)勢分析

  儲能用更多的 IGBT 和 SiC，涉及到 DCDC 和 DCAC 兩個環(huán)節(jié)。兩種方案，光儲一體以及單獨儲能系統(tǒng)。獨立的儲能系統(tǒng)，功率半導(dǎo)體器件的用量是光伏的 1.5 倍左右。目前光儲一體可能占比超過 60-70%，單獨儲能系統(tǒng)占比 30%。...

  1581次閱讀 · 0評論 三極管MOSFET場效應(yīng)管光伏逆變器DCDC
  

• 基于模擬的SoC設(shè)計選擇

  隨著通道長度的縮短，電源電壓將從3.3V降到0.7V，并有望進一步下降。這為晶體管（數(shù)字和模擬）施加了更低的過驅(qū)動問題。在模擬設(shè)計中，通過定義初始條件的預(yù)充電節(jié)點的實現(xiàn)克服了這一問題，使設(shè)計在低過驅(qū)動下工作。...

  749次閱讀 · 0評論 模擬電路混合信號soc信號處理晶體管
  

• 模擬IC布局自動化設(shè)計方案

  單擊第一個自動生成的布局將顯示"動畫預(yù)覽"對話框，其中顯示以下窗口：層次結(jié)構(gòu)、原理圖、布局、結(jié)果和約束。"布局"窗口顯示九個生成的布局地形。...

  972次閱讀 · 0評論 集成電路原理圖MOSFET差分放大器
  

• 常見的汽車IGBT模塊封裝類型有哪些？

  IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。...

  6368次閱讀 · 0評論 動力電池新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體驅(qū)動電機
  

• 共模電感怎么測量電感值 共模電感的原理與作用

  共模電感的工作原理是通過電感的電磁感應(yīng)作用，抵消共模噪聲。當(dāng)共模噪聲出現(xiàn)時，它會在電路的兩個信號線上產(chǎn)生同樣大小和相位的電流信號。這些電流信號將在共模電感中誘導(dǎo)出一個磁場，進而產(chǎn)生一個抗拒共模噪聲的反向電動勢。...

  16892次閱讀 · 0評論 電容電路設(shè)計共模電感LCR差模電感
  
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