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使用運(yùn)算放大器的精密全波整流器

從點(diǎn) P2 到點(diǎn) P3 為求和放大器，精密整流器的輸出通過電阻 R3 饋送到求和放大器。電阻 R3 的值是 R5 的一半，或者你可以說它是 R5/2，這就是我們?cè)O(shè)置運(yùn)算放大器 2 倍增益的方式。...

5173次閱讀 · 0評(píng)論放大器運(yùn)算放大器輸出電壓半波整流電路全波整流器
常見的整流電路有哪三種形式（整流電路原理）

單相半波整流電路是最簡單的整流電路形式。它使用一顆二極管將輸入交流信號(hào)的負(fù)半周去除，輸出為單向的脈動(dòng)直流信號(hào)。半波整流電路的成本低，但效率相對(duì)較低。...

8426次閱讀 · 0評(píng)論二極管晶閘管整流電路橋式整流器全波整流電路
最好最簡單的三極管知識(shí)講解

三極管的電流放大作用與其物理結(jié)構(gòu)有關(guān)，三極管內(nèi)部進(jìn)行的物理過程是十分復(fù)雜的，初學(xué)者暫時(shí)不必去深入探討。從應(yīng)用的角度來講，可以把三極管看作是一個(gè)電流分配器。...

5115次閱讀 · 0評(píng)論三極管電子元器件放大電路分配器光敏二極管
運(yùn)放電路最常用特性有哪些

虛短，虛短是指運(yùn)放同相輸入端和反相輸入端近似看作短路，但實(shí)際并沒有短接，所以稱為“虛短”， “虛短”即運(yùn)放正負(fù)輸入端的電壓（電位）相等。...

1722次閱讀 · 0評(píng)論運(yùn)放電路模擬電路運(yùn)算放大器差分放大電路同相放大器
SiC和GaN市場(chǎng)未來如何發(fā)展

氮化鎵融資方面，今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域，相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大，達(dá)12億人民幣，投資方主要是士蘭微、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和廈門火炬集團(tuán)。...

656次閱讀 · 0評(píng)論智能電網(wǎng)光伏SiCGaN碳化硅
晶閘管或可控硅整流器SCR電路設(shè)計(jì)

該電路的工作原理與直流可控硅電路的工作原理略有不同。當(dāng)開關(guān)打開時(shí)，電路需要等到有足夠的陽極電壓可用，因?yàn)榻涣鞑ㄐ窝仄渎肪€移動(dòng)。此外，SCR電路需要等到電路柵極部分內(nèi)的電壓能夠提供足夠的電流來觸發(fā)SCR。...

4765次閱讀 · 0評(píng)論繼電器晶閘管交流晶閘管柵極電阻功率控制
二極管整流電路基礎(chǔ)知識(shí)詳解

半導(dǎo)體器件采用多種封裝。它們可作為引線二極管使用，一些小信號(hào)二極管采用含鉛玻璃封裝，而另一些則采用塑料引線封裝。...

2540次閱讀 · 0評(píng)論二極管整流器整流電路射頻信號(hào)線性電源
功率達(dá)林頓晶體管電路設(shè)計(jì)特征參數(shù)

許多達(dá)林頓陣列也可用，其中多個(gè)達(dá)林頓晶體管對(duì)包含在同一個(gè)封裝中。通常，它們包含在 IC 封裝中，因?yàn)樗鼈兺ǔＳ糜隍?qū)動(dòng)顯示器等。這使得達(dá)林頓晶體管對(duì)非常易于使用，并可集成到新的電子電路設(shè)計(jì)中。...

2681次閱讀 · 0評(píng)論顯示器電路設(shè)計(jì)電子元件晶體管達(dá)林頓
碳化硅器件封裝與模塊化的關(guān)鍵技術(shù)

碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）器件封裝與模塊化是實(shí)現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。...

1645次閱讀 · 0評(píng)論射頻SiC碳化硅射頻器件晶圓制造
解讀bandgap中運(yùn)放chopper的原理

簡單的SC notch filter電路由T型結(jié)構(gòu)的開關(guān)電容組成，當(dāng)fs為高時(shí)，CS1采樣VI電壓，CS2保持輸出VG1；當(dāng)fs為低時(shí)，CS2采樣V1電壓，CS1保持輸出VG1...

6142次閱讀 · 0評(píng)論運(yùn)放電路低通濾波器時(shí)鐘電路bandgap
MOSFET常見的失效機(jī)理

SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。要想安全使用MOSFET，就需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET，超過這個(gè)范圍就有可能造成損壞。...

1199次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET晶體管柵極電阻開關(guān)器件電流波形
關(guān)于模電和數(shù)電的基本知識(shí)

對(duì)任意的有源一端口網(wǎng)絡(luò)，可使用一個(gè)等效電壓源來等效。 a、電壓源的電動(dòng)勢(shì)E為外部開路時(shí)的端口電壓; b、電壓源的內(nèi)阻R。為網(wǎng)路內(nèi)部電源為0（即電壓源短路，電流源開路）時(shí)的等效電阻。...

1395次閱讀 · 0評(píng)論模擬電路放大電路電壓源數(shù)字電路
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí)，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。...

902次閱讀 · 0評(píng)論功率器件SiC氮化鎵GaN碳化硅
深入分析差分信號(hào)回流路徑

雖然差分信號(hào)兩根信號(hào)都是參考地平面的，地平面浮動(dòng)時(shí)，兩根信號(hào)同時(shí)浮動(dòng)（理想情況下），兩根信號(hào)之間的差值幾乎不變，而接收端是識(shí)別兩個(gè)信號(hào)之間的差值。...

2817次閱讀 · 0評(píng)論 pcbemi寄生電感差分信號(hào)單端信號(hào)
基于BUCK的PWM調(diào)壓與模擬調(diào)壓方案

在電壓變換時(shí)，我們常常會(huì)用到調(diào)壓，其中以 PWM 或模擬調(diào)壓應(yīng)用最廣泛，本文給出一種簡單可行的 FB 點(diǎn)調(diào)壓方式。...

5067次閱讀 · 0評(píng)論 BUCKPWM模擬信號(hào)電壓變換
運(yùn)算放大器的選型及應(yīng)用

通用型運(yùn)放又分為低增益、中增益和高增益三類，也可稱為通用Ⅰ型、通用Ⅱ型和通用Ⅲ型集成運(yùn)放。...

735次閱讀 · 0評(píng)論放大電路運(yùn)算放大器晶體管輸出器電壓增益
這幾張關(guān)于碳化硅的圖值得研究

在新能源汽車方面的應(yīng)用主要有主驅(qū)逆變器、車載充電器OBC、DC/DC等；在充電基礎(chǔ)設(shè)施方面的應(yīng)用主要有快速直流充電、無線充電、工業(yè)充電器等。...

661次閱讀 · 0評(píng)論新能源汽車逆變器斷路器碳化硅傳動(dòng)系統(tǒng)
一文詳解PFC、BCM、CCM模式電路

交錯(cuò)式使用2組開關(guān)，因此開關(guān)損耗分散，每個(gè)開關(guān)上的負(fù)載減輕，使熱設(shè)計(jì)更容易。另外，紋波電流更小，有效頻率更高，從而有助于減小濾波器尺寸。這與DC/DC轉(zhuǎn)換器的雙相驅(qū)動(dòng)原理相同。...

17156次閱讀 · 0評(píng)論二極管晶體管PFCBCMCCM
未來SiC模塊封裝的演進(jìn)趨勢(shì)

ASMPT 太平洋科技有限公司是全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備及微電子封裝解決方案的最主要的供應(yīng)商，SilverSAM 銀燒結(jié)設(shè)備具備專利防氧化及均勻壓力控制技術(shù)，除確?；靖邚?qiáng)度燒結(jié)鍵合，對(duì)應(yīng)導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性的要求外，更能提高 IPM 芯片密度的設(shè)計(jì)，并配合未來銅燒結(jié)鍵合的方向，有效幫助 SiC 模塊...

1865次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET散熱器半導(dǎo)體封裝SiC
基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)

關(guān)鍵技術(shù)-SiC門驅(qū)動(dòng)回路/電容器通過SiC門驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感...

684次閱讀 · 0評(píng)論電容器逆變器SiC功率模塊寄生電感