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用Proteus告訴你什么是數(shù)模轉(zhuǎn)換器？

數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）將數(shù)字（用于計(jì)算機(jī)，如微控制器）轉(zhuǎn)換為模擬電壓。它們與模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）相反。數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）有兩種主要類型：二進(jìn)制加權(quán)和R-2R...

2467次閱讀 · 0評論微控制器運(yùn)算放大器電源電壓數(shù)模轉(zhuǎn)換器PWM波
如何選擇穩(wěn)壓二極管挑選穩(wěn)壓二極管的注意事項(xiàng)

根據(jù)具體的穩(wěn)壓電路，合理選擇穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 UZ和最大工作電流IZM。例如，在圖5-21所示的簡單并聯(lián)穩(wěn)壓電路中，輸出電壓就是穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓。當(dāng)負(fù)載開路時(shí)，流過穩(wěn)壓管的電流達(dá)到最大，這個(gè)電流應(yīng)小于穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流 IZM，一般使穩(wěn)壓管的實(shí)際工作電流為0.5 IZM左右。例如制作一個(gè)晶體管收音機(jī)...

4650次閱讀 · 0評論二極管負(fù)載電流穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路
SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點(diǎn)比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征

我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。...

1434次閱讀 · 0評論變壓器SBDSiC快速恢復(fù)二極管肖特基勢壘二極管
解讀三極管的工作原理

集電結(jié)為何會發(fā)生反偏導(dǎo)通并產(chǎn)生Ic，這看起來與二極管原理強(qiáng)調(diào)的PN結(jié)單向?qū)щ娦韵嗝堋?..

838次閱讀 · 0評論三極管二極管PN結(jié)NPN
詳解TVS二極管選型攻略

TVS全稱是Transient Voltage Suppressor(瞬態(tài)電壓抑制器)。當(dāng)TVS兩端經(jīng)受瞬間的高壓時(shí)，它能以極高的速度(P秒級)使其迅速降低。在此過程中，TVS會流過一個(gè)大電流，并將其兩端的電壓鉗位在一個(gè)特定的數(shù)值上，以保護(hù)后面的器件免受高壓沖擊而損壞。...

13480次閱讀 · 0評論二極管半導(dǎo)體TVS抑制器穩(wěn)壓二級管
淺談信號完整性體系結(jié)構(gòu)

大多數(shù)用于傳播信號的波形是方波，可以理解為多個(gè)奇次諧波分量組成，諧波分量越多，波形越接近方波。...

707次閱讀 · 0評論示波器emi阻抗信號完整性遠(yuǎn)端串?dāng)_
最有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料——金剛石基GaN問世

美國國防部高級研究計(jì)劃局(DARPA)微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示，化合物半導(dǎo)體行業(yè)將很快進(jìn)入第三波材料技術(shù)浪潮。這個(gè)時(shí)代將看到由不同材料組合制造的器件。...

1126次閱讀 · 0評論 GaN金剛石寬禁帶半導(dǎo)體
源極接地放大電路應(yīng)用講解

下圖是使用N JFET和負(fù)電源（V1=-15V）搭建的放大電路?；倦娐芳軜?gòu)是一致的。和前面講到的正電源放大電路的主要區(qū)別是正電源變?yōu)镚ND，GND變?yōu)樨?fù)電源。外圍器件參數(shù)不變，放大倍數(shù)仍舊是3倍。...

2902次閱讀 · 0評論放大器放大電路JFET電解電容GND
源極接地放大電路參數(shù)講解(2)

仿真本電路的輸出頻率特性曲線。低頻頻率范圍從0.1Hz~100KHz。...

1020次閱讀 · 0評論濾波器放大電路噪聲仿真頻率特性
源極接地放大電路參數(shù)講解(1)

仿真或者測量輸入阻抗，需要在信號輸入端串聯(lián)一個(gè)電阻，如下圖R5。...

886次閱讀 · 0評論放大電路仿真FET輸入阻抗輸出阻抗
MSPM0L1306開發(fā)板教程之OPA

MSPM0L系列的OPA是一個(gè)軌到軌輸入輸出的可編程運(yùn)算放大器，最大為32x,可以軟件配置為零漂移斬波放大器以提高精度和漂移性能，有專門優(yōu)化的輸入管腳的型號可以達(dá)到10pA的輸入偏置電流，標(biāo)準(zhǔn)模式為6MHz帶寬，低功耗模式下帶寬為1MHz，電流100uA。...

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運(yùn)放OP閉環(huán)電路小信號分析中常見的問題

這一篇文章我們主要看下OP閉環(huán)電路小信號分析中常見的問題。有時(shí)候我們發(fā)現(xiàn)stb分析（β=1）的bode圖和開環(huán)AC仿真的曲線相差很大，且兩者的零極點(diǎn)位置、裕度等可能大有不同。探究造成該問題的原因，很有可能是我們在AC開環(huán)分析時(shí)沒有計(jì)入反饋元件和輸入級寄生電容的影響。...

1501次閱讀 · 0評論放大電路運(yùn)放小信號寄生電容負(fù)反饋
全差分運(yùn)放CMFB負(fù)反饋環(huán)路穩(wěn)定性分析

我們都知道，全差分運(yùn)放一般都有共模反饋電路（CMFB）,它的目的是穩(wěn)定對稱兩點(diǎn)位置的共模電位。CMFB一般也是通過負(fù)反饋方式來穩(wěn)定共模點(diǎn)的，所以和主運(yùn)放追求環(huán)路穩(wěn)定性一樣，CMFB環(huán)路也要考慮環(huán)路的穩(wěn)定性。...

4720次閱讀 · 0評論運(yùn)放小信號負(fù)反饋環(huán)路穩(wěn)定性
運(yùn)放的失調(diào)電壓詳解一個(gè)簡單全差分OP輸入失調(diào)大小計(jì)算的例子

前段時(shí)間一直在負(fù)責(zé)某個(gè)項(xiàng)目的debug工作，其中一個(gè)問題的核心原因是接收電路的輸入失調(diào)電壓過大造成，該接收電路是以op為核心器件構(gòu)建的信號鏈電路，負(fù)責(zé)對信號進(jìn)行放大、均衡等。這次debug經(jīng)歷讓我對失調(diào)有更深入的理解之外，也讓我認(rèn)識到自己到失調(diào)知識的理解是碎片化的，因此這篇文章主要目的是梳理一下個(gè)人...

9399次閱讀 · 0評論模擬電路ldoadc運(yùn)放失調(diào)電壓
全橋PFC AC/DC變換器實(shí)驗(yàn)原理

單相全橋整流器的輸入是單相交流電源，輸出是直流電壓，采用雙閉環(huán)控制方式。外環(huán)為直流電壓的控制回路，用來控制輸出電壓的穩(wěn)定，內(nèi)環(huán)為電感電流回路，用來調(diào)整輸入電壓與輸入電流同相位，達(dá)到單位功率因數(shù)的效果。...

6308次閱讀 · 0評論逆變器電容充電電感電流電流控制器全橋整流器
柵極鉗位TVS二極管對IGBT雙脈沖開關(guān)特性的影響

階段1(0—t1)，在t=0時(shí)刻，開關(guān)S動作，lGBT開始關(guān)斷，柵極通過RG開始放電，VGE下降。這導(dǎo)致通過溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少，但是由于感性負(fù)載的存在，通過抽取N基區(qū)中多余的電子和空穴來抑制IC的減小。...

1454次閱讀 · 0評論二極管電感器TVS二極管IGBT續(xù)流二極管
IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響

階段2(tl—t2)：在t1時(shí)刻，VGE>Vth，溝道開啟，電子開始通過溝道注入到基區(qū)，同時(shí)背面的集電極開始向基區(qū)內(nèi)注入空穴，集電極開始產(chǎn)生電流IC，此時(shí)IC<IL，隨著溝道開啟程度的增加，IC逐漸增大。...

2848次閱讀 · 0評論 TVS二極管IGBT續(xù)流二極管寄生電感VDC
IGBT雙脈沖仿真—柵極電感的影響

階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開始對柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開啟。...

1694次閱讀 · 0評論電感器IGBT續(xù)流二極管VCE柵極電壓
SGT-MOS與DMOS雪崩耐量對比

屏蔽柵側(cè)壁氧化層厚度：0.7um屏蔽柵底部氧化層厚度：0.5um屏蔽柵隔離氧化層厚度：0.3um...

1463次閱讀 · 0評論 MOS管雪崩二極管DMOS雪崩光電管
dV/dt對MOSFET動態(tài)性能的影響有哪些？

①靜態(tài)dV/dt：會引起MOSFET柵極電壓變化，導(dǎo)致錯(cuò)誤開通。在柵源間并聯(lián)電阻，可防止誤開通。...

3065次閱讀 · 0評論二極管MOSFET電感器CGD柵極電壓