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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>三菱電機(jī)提供SiC功率半導(dǎo)體模塊樣

      三菱電機(jī)提供SiC功率半導(dǎo)體模塊樣

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      大容量功率模塊專為軌道交通車輛等大型工業(yè)設(shè)備設(shè)計(jì)，具有良好的抗?jié)裥裕兄谔岣咴诙鄻踊h(huán)境中運(yùn)行的大型工業(yè)設(shè)備變流器的效率和可靠性。三菱電機(jī)計(jì)劃將在2026年1月21日至23日在東京舉辦的第40屆日本國(guó)際電子科技博覽會(huì)，以及在北美、歐洲、中國(guó)、印度等其它地區(qū)舉辦的展會(huì)對(duì)模塊進(jìn)行展出。
      2025-12-02 11:30:351490

      三菱電機(jī)SiC MOSFET在工業(yè)電源中的應(yīng)用

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      2025-11-07 08:46:30961

      三菱電機(jī)榮獲海信集團(tuán)2025質(zhì)量卓越貢獻(xiàn)獎(jiǎng)

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      2025-11-04 14:55:021761

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      2025-11-04 10:02:20352

      傾佳電子全面分析在高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價(jià)值主張

      工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電
      2025-11-02 12:20:381346

      傾佳電子基于SiC模塊的120kW級(jí)聯(lián)SST固態(tài)變壓器功率模塊設(shè)計(jì)與拓?fù)浞治?/a>

      三菱伺服電機(jī)抖動(dòng)聲響的調(diào)整

      將系統(tǒng)分析三菱伺服電機(jī)抖動(dòng)和異響的常見(jiàn)原因，并提供詳細(xì)的調(diào)整解決方案，幫助技術(shù)人員快速定位和解決問(wèn)題。 一、機(jī)械因素導(dǎo)致的抖動(dòng)與異響 機(jī)械因素是伺服電機(jī)異常振動(dòng)和噪聲的首要排查方向。當(dāng)電機(jī)與負(fù)載機(jī)械連接存在
      2025-10-14 07:37:021053

      三菱電機(jī)創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)

      作為全球創(chuàng)新與技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，三菱電機(jī)在2025PCIM Asia展會(huì)上亮相，展示了多款前沿功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括面向中功率空調(diào)的Compact DIPIPMTM和SiC SLIMDIP模塊、面向新能源
      2025-10-11 14:38:56636

      傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命：基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊

      行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)
      2025-10-11 10:56:371137

      傾佳電子針對(duì)高性能電力變換的基本半導(dǎo)體34mm封裝SiC模塊平臺(tái)戰(zhàn)略分析

      和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自
      2025-10-10 21:45:59327

      三菱電機(jī)PCIM Asia Shanghai 2025圓滿收官

      時(shí)光見(jiàn)證創(chuàng)新，盛會(huì)圓滿收官。2025年9月26日，為期3天的PCIM Asia Shanghai 2025在上海新國(guó)際博覽中心落下帷幕，讓我們一起回顧三菱電機(jī)展臺(tái)不容錯(cuò)過(guò)的精彩內(nèi)容！
      2025-10-10 14:52:412600

      傾佳電子行業(yè)洞察：中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)與企業(yè)采購(gòu)策略深度解析

      和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電
      2025-10-09 18:31:031318

      傾佳電子大功率工業(yè)傳動(dòng)市場(chǎng)：駕SiC馭碳化硅功率模塊帶來(lái)的技術(shù)顛覆

      汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自
      2025-10-09 17:48:42598

      傾佳電子代理的BASiC基本半導(dǎo)體SiC功率器件產(chǎn)品線選型指南

      汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)
      2025-10-08 10:04:18589

      三菱電機(jī)推出新緊湊型DIPIPM功率半導(dǎo)體模塊

      菱電機(jī)集團(tuán)昨日（2025年9月11日）宣布，將于9月22日開始供應(yīng)針對(duì)家用及工業(yè)設(shè)備（如柜式空調(diào)、熱泵采暖及熱水系統(tǒng)）的新緊湊型DIPIPM功率半導(dǎo)體模塊。新的Compact DIPIPM系列產(chǎn)品
      2025-09-24 10:39:48916

      三菱電機(jī)亮相2025工博會(huì)：以“AI 創(chuàng)未來(lái)”共探智能制造新紀(jì)元

      9月24日，全球工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三菱電機(jī)攜全新主題“AI 創(chuàng)未來(lái)”重磅亮相2025中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)。此次參展全面展示了三菱電機(jī)在人工智能與工業(yè)深度融合方面的前沿探索與創(chuàng)新成果，聚焦智能制造
      2025-09-24 10:28:53407

      三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)

      鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。
      2025-09-23 09:26:332066

      傾佳電子深度解析AI人工智能微電網(wǎng)解決方案：SiC碳化硅功率半導(dǎo)體如何重塑能源未來(lái)

      電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力
      2025-09-22 06:41:19771

      SiC碳化硅功率半導(dǎo)體：電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì)

      茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子
      2025-09-21 20:41:13419

      傾佳電子技術(shù)報(bào)告：基本半導(dǎo)體34mm碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)潛力評(píng)估

      服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取
      2025-09-21 11:00:061885

      BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET特點(diǎn)及設(shè)計(jì)要點(diǎn)

      電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和
      2025-09-19 17:34:561103

      傾佳電子SiC功率模塊：超大功率全橋LLC應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)深度分析報(bào)告

      電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
      2025-09-19 15:32:57661

      基本半導(dǎo)體SiC功率器件在固態(tài)配電與光儲(chǔ)微網(wǎng)中的應(yīng)用及固態(tài)直流斷路器技術(shù)深度分析

      電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電
      2025-09-19 09:46:521688

      傾佳電子新能源汽車主驅(qū)技術(shù)演進(jìn)與SiC碳化硅功率模塊的深度價(jià)值分析報(bào)告

      和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
      2025-09-16 13:55:37996

      傾佳電子功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)深度解析：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)挑戰(zhàn)與可靠性實(shí)現(xiàn)

      電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
      2025-09-14 22:59:12920

      傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因

      、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力
      2025-09-07 14:57:042117

      傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面替代

      、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行
      2025-09-05 08:36:442199

      基本半導(dǎo)體SiC功率模塊與驅(qū)動(dòng)板技術(shù)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用價(jià)值深度分析

      碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表，其物理特性，如寬禁帶、高臨界電場(chǎng)和高熱導(dǎo)率，從根本上超越了傳統(tǒng)硅（Si）基功率器件的性能極限。這些本征優(yōu)勢(shì)為電力電子系統(tǒng)的革新提供了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，尤其是在高壓、大功率和高頻應(yīng)用中。
      2025-08-30 10:03:114774

      基于62mm碳化硅（SiC）模塊的大功率雙向DC-DC隔離電源

      密度設(shè)計(jì)。 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。他們主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以
      2025-08-25 18:09:07883

      引領(lǐng)高效能新紀(jì)元：基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業(yè)應(yīng)用

      引領(lǐng)高效能新紀(jì)元：傾佳力推基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業(yè)應(yīng)用 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，對(duì)高效、高功率密度、高可靠性電源解決方案的需求日益迫切?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體（BASiC
      2025-08-25 18:07:22836

      三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用（2）

      隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護(hù)技術(shù)，本章節(jié)主要介紹三菱電機(jī)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，包括模塊及芯片。
      2025-08-08 16:14:213189

      三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用（1）

      隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車高效能的重要技術(shù)之一。本章節(jié)主要帶你探究三菱電機(jī)的SiC MOSFET模塊在電動(dòng)汽車主驅(qū)中的應(yīng)用。
      2025-08-08 16:11:443243

      深愛(ài)半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

      深愛(ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
      2025-07-23 14:36:03

      今日看點(diǎn)丨三菱汽車完全退出中國(guó)汽車生產(chǎn)業(yè)務(wù)、蜂巢能源今年四季度試生產(chǎn)半固態(tài)電池

      資料顯示，三菱汽車與中國(guó)航天汽車等企業(yè) 1997 年在沈陽(yáng)市成立了合資企業(yè)，為三菱汽車和中國(guó)本土廠商提供車輛發(fā)動(dòng)機(jī)。 ? 三菱汽車稱，鑒于中國(guó)汽車產(chǎn)業(yè)迅速轉(zhuǎn)向電動(dòng)汽車的影響，公司對(duì)該地區(qū)戰(zhàn)略進(jìn)行了重新評(píng)估，并決定終止其在
      2025-07-23 10:05:133441

      三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用（2）

      三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開發(fā)了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章節(jié)主要介紹全SiC和混合SiC的SLIMDIP產(chǎn)品。
      2025-07-19 09:18:005453

      三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用（1）

      三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開發(fā)了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章節(jié)主要介紹超小型全SiC DIPIPM。
      2025-07-19 09:15:003481

      功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

      本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。 書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
      2025-07-11 14:49:36

      基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

      傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC
      2025-06-24 17:26:28492

      選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊，賦能盤式電機(jī)驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元

      傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開關(guān)損耗和頻率瓶頸，而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢(shì)，成為理想選擇?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008MR12E2G3兩款SiC MOSFET模塊，憑借其高性能與高可靠性，為盤式電機(jī)驅(qū)動(dòng)器帶來(lái)革新突破。
      2025-06-19 16:59:06728

      三菱電機(jī)與GE Vernova簽署諒解備忘錄

      三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布與GE Vernova公司（美國(guó)馬薩諸塞州劍橋）簽署諒解備忘錄，強(qiáng)化雙方在高壓直流（HVDC）輸電系統(tǒng)用功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作。該協(xié)議源于日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。∕ETI）與GE
      2025-06-13 14:17:56900

      2025年度三菱電機(jī)投資者關(guān)系日回顧

      截至2025年3月31日的財(cái)年，半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)了2863億日元的營(yíng)收實(shí)績(jī)，占三菱電機(jī)全業(yè)務(wù)線的5.2%。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率連續(xù)兩年創(chuàng)歷史新高。由于新工廠（日本熊本縣）投產(chǎn)及匯率假設(shè)調(diào)整，ROIC實(shí)績(jī)及預(yù)期將暫時(shí)下降，計(jì)劃通過(guò)維持中期EBITDA利潤(rùn)率的上升趨勢(shì)來(lái)提高。
      2025-06-09 17:55:461663

      熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代：能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

      傳統(tǒng)IGBT，成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場(chǎng)變革不僅意味著能效的躍升，更將重塑產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局。 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)
      2025-06-09 07:07:17727

      基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

      進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單
      2025-06-08 11:13:471096

      國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

      SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
      2025-06-07 06:17:30911

      什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組？特性是什么？主要應(yīng)用哪里？

      MOSFET高輸入阻抗與BJT低導(dǎo)通壓降，形成四層半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)（PNPN排列），支持600V以上高壓場(chǎng)景 ? 功能特性 ?：兼具高頻開關(guān)與高電流承載能力，導(dǎo)通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC（碳化硅）功率器件 ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的代表： ? 材料優(yōu)勢(shì) ?：禁帶寬度達(dá)3.3eV（硅的3倍）
      2025-05-26 14:37:052284

      國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

      國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC
      2025-05-18 14:52:081323

      三菱電機(jī)與上海共繪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)宏圖

      量子科技、具身智能、6G等未來(lái)產(chǎn)業(yè)，都依賴半導(dǎo)體技術(shù)的支撐，頭部半導(dǎo)體企業(yè)擁有長(zhǎng)期高增長(zhǎng)前景。三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部部長(zhǎng)赤田智史在接受采訪時(shí)表示，上海為外資企業(yè)的投資與運(yùn)營(yíng)提供了
      2025-05-16 10:20:47943

      三菱CNC如何進(jìn)行數(shù)據(jù)采集并對(duì)接到ERP系統(tǒng)

      三菱CNC作為三菱電機(jī)推出的計(jì)算機(jī)數(shù)控系統(tǒng)，在性能、技術(shù)、市場(chǎng)口碑及售后服務(wù)方面均表現(xiàn)出色，尤其適合需要高速、高精度加工及良好售后支持的制造場(chǎng)景，如精密模具加工、航空航天零部件制造、汽車零配件生產(chǎn)等
      2025-05-14 11:16:101031

      新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊

      近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動(dòng)汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的又一次進(jìn)步
      2025-05-06 14:08:48714

      國(guó)產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學(xué)習(xí)

      Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。
      2025-05-05 12:01:57537

      基本半導(dǎo)體碳化硅（SiC）MOSFET低關(guān)斷損耗（Eoff）特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

      BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗（Eoff）特性，在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)： 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
      2025-05-04 09:42:31740

      電力電子新未來(lái)：珠聯(lián)璧合，基本半導(dǎo)體SiC模塊及SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊

      傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商
      2025-05-03 15:29:13627

      納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK功率模塊

      納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過(guò)嚴(yán)格設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境，重點(diǎn)確?？煽啃耘c耐高溫
      2025-04-22 17:06:39980

      三菱M5197P、FP開關(guān)調(diào)節(jié)器控制英文手冊(cè)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《三菱M5197P、FP開關(guān)調(diào)節(jié)器控制英文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
      2025-04-17 14:42:340

      三菱電機(jī)開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品

      三菱電機(jī)集團(tuán)今日宣布，將于4月22日開始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP
      2025-04-16 14:58:371109

      功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

      IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
      2025-04-16 08:06:431298

      三菱PLC PLSV(可變速脈沖輸出指令）在軟件中如何使用？

      請(qǐng)問(wèn)下 三菱PLC PLSV(可變速脈沖輸出指令）在軟件中如何使用？軟件版本和指令格式如下圖： 三菱PLC 型號(hào) FX2N-32MT 請(qǐng)高手指點(diǎn)一下
      2025-04-10 18:40:19

      三菱電機(jī)發(fā)布新型XB系列HVIGBT模塊

      三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將于5月1日開始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率半導(dǎo)體，專為軌道交通車輛等大型工業(yè)設(shè)備設(shè)計(jì)。
      2025-04-10 11:34:571069

      三菱電機(jī)再度榮獲海爾智家“質(zhì)量引領(lǐng)獎(jiǎng)”

      近日，在“智慧新生態(tài)，共贏新時(shí)代”2025海爾智家全球供應(yīng)商合作伙伴大會(huì)上，三菱電機(jī)憑借為其變頻空調(diào)和變頻洗衣機(jī)提供品質(zhì)卓越的SLIMDIP、超小型DIPIPM、小型DIPIPM和大型DIPIPM
      2025-04-02 11:24:531006

      東升西降：從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

      Wolfspeed作為全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè)，其股價(jià)暴跌（單日跌幅超50%）、財(cái)務(wù)困境與德國(guó)30億歐元項(xiàng)目擱淺危機(jī)，折射出歐美與中國(guó)在SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)中
      2025-03-31 18:03:08982

      三菱伺服電機(jī)怎么設(shè)定無(wú)編碼器

      要將三菱伺服電機(jī)設(shè)置為無(wú)編碼器模式（也稱為開環(huán)控制模式），需要遵循一定的步驟和注意事項(xiàng)。以下是一個(gè)詳細(xì)的指南： 一、了解無(wú)編碼器模式 無(wú)編碼器模式是指伺服電機(jī)在沒(méi)有編碼器反饋信號(hào)的情況下，根據(jù)輸入
      2025-03-20 07:41:441327

      CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE

      CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級(jí)全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
      2025-03-17 09:59:21

      全球功率半導(dǎo)體變革：SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

      SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
      2025-03-13 00:27:37767

      華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)

      近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)，共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
      2025-02-28 17:33:531172

      三菱電機(jī)高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

      SiC芯片可以高溫工作，與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn)，本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
      2025-02-12 11:26:411207

      三菱PLC與變頻器通訊案例

      方案的首選。本文將詳細(xì)介紹三菱PLC與變頻器通訊的一種高效實(shí)現(xiàn)方式，涵蓋系統(tǒng)配置、硬件安裝、參數(shù)設(shè)置、PLC編程等關(guān)鍵步驟，旨在為技術(shù)人員提供一個(gè)全面、實(shí)用的技術(shù)參考。
      2025-02-02 14:45:001927

      使用 SiC 功率半導(dǎo)體提升高性能開關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率

      作者： Jens Wallmann 盡管硅 (Si) 器件相對(duì)成熟，但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低產(chǎn)品成本并提高效率。然而，有些設(shè)計(jì)人員可能仍然認(rèn)為 SiC 半導(dǎo)體相當(dāng)昂貴且難以控制
      2025-01-26 22:10:001252

      三菱電機(jī)工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊解析

      三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
      2025-01-22 10:58:423052

      三菱電機(jī)開始提供工業(yè)用第8代IGBT模塊樣品

      三菱電機(jī)株式會(huì)社近日宣布，將于2月15日起開始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品，適用于太陽(yáng)能和其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片，有助于降低太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)、儲(chǔ)能電池等電源系統(tǒng)中逆變器的功率損耗，提高逆變器的輸出功率。
      2025-01-17 09:36:431115

      第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用

      本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動(dòng)汽車的核心部件中，車用功率模塊（當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT）占據(jù)著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵性能，還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
      2025-01-15 10:55:571150

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

      /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
      2025-01-13 17:36:111819

      三菱電機(jī)超小型全SiC DIPIPM解析

      在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢(shì)。
      2025-01-08 13:48:552318

      電裝與富士電機(jī)合作強(qiáng)化SiC功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈

      ，旨在通過(guò)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的技術(shù)升級(jí)和生產(chǎn)能力提升，進(jìn)一步加強(qiáng)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，以更好地滿足市場(chǎng)需求。
      2025-01-06 17:09:051342

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

      /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
      2025-01-06 17:05:481328

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