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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
與您相約第17屆全國(guó)壓電和聲波理論及器件應(yīng)用研討會(huì)!

與您相約第17屆全國(guó)壓電和聲波理論及器件應(yīng)用研討會(huì)!

安泰電子邀您參會(huì)!2023年11月10-12日第17屆全國(guó)壓電和聲波理論及器件應(yīng)用研討會(huì)將于四川省成都市隆重舉行。Aigtek安泰電子作為國(guó)內(nèi)專注于儀器儀表研發(fā)、生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè),將攜功率放大...

2023-10-27 標(biāo)簽:器件儀器儀器壓電器件 1479

ADC重要的信噪比公式是怎么來(lái)的?

ADC重要的信噪比公式是怎么來(lái)的?

▼關(guān)注公眾號(hào):工程師看海▼ ??大家好,我是工程師看海,原創(chuàng)文章歡迎 點(diǎn)贊分享 ! 做過數(shù)據(jù)采集或者模擬電路的同學(xué)很可能知道下面這個(gè)關(guān)于ADC信噪比的著名公式: 其中N是ADC的位數(shù),比...

2023-10-30 標(biāo)簽:adc信噪比 2707

基于SC2161(兼容AD2S1210)的高精度RDC電路設(shè)計(jì)

基于SC2161(兼容AD2S1210)的高精度RDC電路設(shè)計(jì)

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代...

2023-10-26 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)檢測(cè)RDC國(guó)芯思辰 1849

半導(dǎo)體二極管

半導(dǎo)體二極管

將PN結(jié)用外殼封裝起來(lái),并加上電極引線就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管,簡(jiǎn)稱二極管。由P區(qū)引出的電極為陽(yáng)極,由N區(qū)引出的電極為陰極。...

2023-10-26 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管發(fā)光二極管PN結(jié)限幅電路半導(dǎo)體二極管 1859

各種半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì)的原因

各種半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì)的原因

固體中電子的能量是不可以連續(xù)取值的,而是一些不連續(xù)的能帶,要導(dǎo)電就要有自由電子或者空穴存在,自由電子存在的能帶稱為導(dǎo)帶(能導(dǎo)電)。被束縛的電子要成為自由電子,就必須獲得足...

2023-10-26 標(biāo)簽:三極管二極管半導(dǎo)體材料NMOS管 2204

射頻PA的線性化技術(shù)

射頻PA的線性化技術(shù)

功率放大器是現(xiàn)代通信中一個(gè)重要的元件。現(xiàn)代通信系統(tǒng)趨向于使用線性調(diào)制方式,這就要求射頻系統(tǒng)具有很好的線性特性。因此,對(duì)功放的輸出進(jìn)行線性化成為現(xiàn)代通信中一個(gè)重要的課題。在...

2023-10-26 標(biāo)簽:放大器射頻線性化 1358

電力MOSFET的反向電阻工作區(qū)

電力MOSFET的反向電阻工作區(qū) 電力MOSFET在很多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用,例如電源、驅(qū)動(dòng)電路、LED控制等。MOSFET是一種基于場(chǎng)效應(yīng)管的晶體管,其主要功能是根據(jù)輸入電壓控制輸出電流。然而...

2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFETLED控制驅(qū)動(dòng)電路 1981

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的,這里不作贅述,只對(duì)...

2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFET電壓功率器件 1959

智芯公司高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組入選深圳企業(yè)創(chuàng)新紀(jì)錄

10月18日,智芯公司所屬深圳智芯“高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組”項(xiàng)目入選第二十二屆深圳企業(yè)創(chuàng)新紀(jì)錄,斬獲最高等級(jí)認(rèn)定。...

2023-10-26 標(biāo)簽:開關(guān)電源電力系統(tǒng)功率器件氮化鎵功率器件開關(guān)電源氮化鎵電力系統(tǒng)電源模組 1555

瞻芯電子:SiC功率器件國(guó)內(nèi)市場(chǎng)商用化之路

今年全球碳化硅的市場(chǎng)表現(xiàn)每季度都超越我們的預(yù)計(jì),一季度最初計(jì)劃是6億美元,最后達(dá)到了8億美元,二季度時(shí)候預(yù)計(jì)7億美元,最后是8億美元。我估計(jì)后面兩個(gè)季度還會(huì)進(jìn)一步上升。...

2023-10-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET功率器件SiC碳化硅 1586

關(guān)于LDO線性穩(wěn)壓器并聯(lián)二極管的原因解析

關(guān)于LDO線性穩(wěn)壓器并聯(lián)二極管的原因解析

為什么需要這個(gè)二極管呢? 一般情況下,LDO不需要任何保護(hù)二極管。 但是,當(dāng)輸出電容器(C2)連接到穩(wěn)壓器,并且輸入端對(duì)地短路時(shí)。...

2023-10-26 標(biāo)簽:電容器二極管原理圖ldo線性穩(wěn)壓器 2117

麥肯錫:8英寸SiC晶圓市場(chǎng)滲透率即將和6英寸持平

麥肯錫:8英寸SiC晶圓市場(chǎng)滲透率即將和6英寸持平

電動(dòng)汽車采用率的不斷提高正在推動(dòng)對(duì)關(guān)鍵碳化硅電力電子元件的需求。半導(dǎo)體企業(yè)、汽車原始設(shè)備制造商和其他企業(yè)要如何在混亂中創(chuàng)造價(jià)值?...

2023-10-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體晶圓逆變器SiC 1658

國(guó)星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

國(guó)星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后...

2023-10-25 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管SiC碳化硅國(guó)星光電 1704

二極管的主要參數(shù) 常用二極管的類型

二極管的主要參數(shù) 常用二極管的類型

二極管通常是由PN結(jié)加上電極引線和外殼制成的, **基本特性是單向?qū)щ娦?* 。...

2023-10-25 標(biāo)簽:二極管SBD整流管齊納二極管瞬態(tài)抑制二極管 10850

北京鎵和首次發(fā)布4英寸面氧化鎵單晶襯底參數(shù)并實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)

近日,“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關(guān)材料與器件研討會(huì)”在濟(jì)南召開。大會(huì)技術(shù)委員會(huì)委員北京鎵和半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)、南京郵電大學(xué)唐為華教授率領(lǐng)鎵和半導(dǎo)體核心團(tuán)隊(duì)亮相...

2023-10-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體探測(cè)器氧化鎵 1869

同步buck電路的mos自舉驅(qū)動(dòng)可以降低mos的開關(guān)損耗嗎?

同步buck電路的mos自舉驅(qū)動(dòng)可以降低mos的開關(guān)損耗嗎? 同步buck電路的MOS自舉驅(qū)動(dòng)可以降低MOS的開關(guān)損耗 同步Buck電路是一種常見的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器,它具有高效、穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于...

2023-10-25 標(biāo)簽:MOS降壓轉(zhuǎn)換器buck電路 2047

一個(gè)簡(jiǎn)短的ADC不精確性指南

一個(gè)簡(jiǎn)短的ADC不精確性指南

ADC的不精確性 無(wú)論何種信號(hào)鏈,轉(zhuǎn)換器都是系統(tǒng)的基本要素。為設(shè)計(jì)選擇的任何ADC都會(huì)決定系統(tǒng)的總精度。換言之,系統(tǒng)精度不可能高于轉(zhuǎn)換器的最低有效位(LSB)大小。為了表明這一點(diǎn),讓...

2023-10-25 標(biāo)簽:傳感器adc測(cè)量系統(tǒng)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) 1072

怎樣才能消除模數(shù)轉(zhuǎn)換器時(shí)鐘線和控制線上的超調(diào)量和/或欠調(diào)量?

怎樣才能消除模數(shù)轉(zhuǎn)換器時(shí)鐘線和控制線上的超調(diào)量和/或欠調(diào)量? 模數(shù)轉(zhuǎn)換器是電子設(shè)備中常見的元器件,它可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。在實(shí)際應(yīng)用中,時(shí)鐘線和控制線的超調(diào)量和/或欠...

2023-10-25 標(biāo)簽:電磁干擾模數(shù)轉(zhuǎn)換器時(shí)鐘線模數(shù)轉(zhuǎn)換器電磁干擾 2938

復(fù)旦大學(xué)提出一種具有溫度傳感功能的低導(dǎo)通損耗雙極晶體管

復(fù)旦大學(xué)提出一種具有溫度傳感功能的低導(dǎo)通損耗雙極晶體管

針對(duì)未來(lái)智慧功率器件和模組中需要集成實(shí)時(shí)溫度傳感功能的需求,團(tuán)隊(duì)提出了一種具有空穴通道和溫度傳感功能的低導(dǎo)通損耗的新型載流子存儲(chǔ)溝槽柵雙極晶體管(HP-CSTBT)。...

2023-10-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器晶體管功率器件載流子 2040

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)分享

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)分享

和小功率MOSFET類似,功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。...

2023-10-25 標(biāo)簽:三極管MOSFETVDSGTR電流控制器 1383

國(guó)芯思辰| GAD7683可替代AD7683用于多通道溫度采集

國(guó)芯思辰| GAD7683可替代AD7683用于多通道溫度采集

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代...

2023-10-25 標(biāo)簽:adc國(guó)芯思辰adcADC國(guó)芯思辰 2058

車規(guī)級(jí)MCU芯片與普通芯片有何不同?

新能源汽車是功率器件增量需求的主要來(lái)源,其中增量較大的主要是IGBT模塊、SiC模塊、MOSFET和GaN產(chǎn)品。這些新增功率器件主要用于主驅(qū)逆變器、車載充電機(jī)(OBC)、直流-直流變換器(DC-DC)等...

2023-10-25 標(biāo)簽:芯片mcuMOSFETIGBT車規(guī)級(jí)芯片 3813

馬斯克的攪局 碳化硅陷入“失寵”的輿論漩渦

馬斯克的攪局 碳化硅陷入“失寵”的輿論漩渦

從去年至今,我國(guó)氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底,再到最新的8英寸外延片,我國(guó)氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)越來(lái)越成熟。...

2023-10-25 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 833

運(yùn)放開環(huán)增益曲線的秘密:直流閉環(huán),交流開環(huán)!

運(yùn)放開環(huán)增益曲線的秘密:直流閉環(huán),交流開環(huán)!

有同學(xué)就開始對(duì)開環(huán)增益曲線進(jìn)行仿真。圖1-46 是錯(cuò)誤的開環(huán)增益曲線仿真,仿真中的曲線和手冊(cè)中的曲線相比差了十萬(wàn)八千里。這是怎么回事呢? 圖1-46 錯(cuò)誤的開環(huán)增益曲線仿真 前面已經(jīng)說到...

2023-10-25 標(biāo)簽:運(yùn)放仿真開環(huán)增益偏置電流 3453

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè),今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性...

2023-10-24 標(biāo)簽:新能源汽車SiC碳化硅三安光電 2504

瑞能半導(dǎo)體:碳化硅助力加速新能源汽車行業(yè)發(fā)展

日前,瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體高管峰會(huì)(ISES,原CISES)。...

2023-10-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車逆變器碳化硅瑞能半導(dǎo)體 2225

碳化硅芯片國(guó)際發(fā)展的現(xiàn)狀與總體趨勢(shì)

碳化硅芯片國(guó)際發(fā)展的現(xiàn)狀與總體趨勢(shì)

現(xiàn)有車用控制器普遍采用硅芯片,經(jīng)過20多年的技術(shù)開發(fā)已經(jīng)十分成熟,在許多方面已逼近甚至達(dá)到了其材料的本征極限。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料因具有高熱導(dǎo)率、高硬度、耐化學(xué)...

2023-10-24 標(biāo)簽:新能源汽車電機(jī)控制器SiC充電樁 1042

淺談電動(dòng)汽車中逆變器技術(shù)和市場(chǎng)分析

淺談電動(dòng)汽車中逆變器技術(shù)和市場(chǎng)分析

逆變器在電動(dòng)汽車和混動(dòng)汽車中發(fā)揮著重要作用。其主要功能是將車載電池組提供的直流電轉(zhuǎn)換為三相交流電,用于汽車的電機(jī)。此外,在再生制動(dòng)期間,逆變器將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,為電池...

2023-10-24 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率模塊 3805

IGBT/FRD/MOSFET功率器件模塊材料介紹

IGBT/FRD/MOSFET功率器件模塊材料介紹

傳統(tǒng)的功率模塊基本結(jié)構(gòu)分層圖來(lái)說說其構(gòu)成:可見,我們前面聊的很多的半導(dǎo)體芯片,只是功率模塊中的一部分,除此之外還包括其他的成分。而這些成分的選擇和搭配,再結(jié)合半導(dǎo)體芯片的...

2023-10-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBT材料功率器件 15590

什么是ESD器件和TVS管?它們到底有什么作用?有何區(qū)別呢?

什么是ESD器件和TVS管?它們到底有什么作用?有何區(qū)別呢? ESD器件和TVS管都是電子保護(hù)器件,但它們的作用和應(yīng)用場(chǎng)景略有不同。ESD(Electrostatic Discharge)器件主要用于保護(hù)電路免受靜電放電的...

2023-10-24 標(biāo)簽:瞬態(tài)電壓TVS管ESD器件 4395

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