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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。

如何避免晶體管損壞?

如何避免晶體管損壞? 晶體管是半導(dǎo)體器件的一種,應(yīng)用廣泛,可以在計(jì)算機(jī)、電視、手機(jī)等各種設(shè)備中使用。晶體管工作時(shí)非常穩(wěn)定,但是如果不注意使用、維護(hù),很容易損壞。下面為您介...

2023-10-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管 1683

DDS的使用—數(shù)字混頻實(shí)驗(yàn)

DDS的使用—數(shù)字混頻實(shí)驗(yàn)

混頻就是把兩個(gè)不同的頻率信號混合,得到第三個(gè)頻率。在模擬電路中經(jīng)常見到的就是把接收機(jī)接收到的高頻信號,經(jīng)過混頻變成中頻信號,再進(jìn)行中頻放大,以提高接收機(jī)的靈敏度。...

2023-10-31 標(biāo)簽:模擬電路接收機(jī)混頻器DDSDDS接收機(jī)數(shù)字混頻模擬電路模擬電路模擬電路混頻器 2474

MOS晶體管中各種類型的泄漏電流的原因

MOS晶體管中各種類型的泄漏電流的原因? MOS晶體管是一種廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子技術(shù)中的晶體管,它具有低功耗、小尺寸、高密度等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于集成電路中。然而,MOS晶體管中存在著多種...

2023-10-31 標(biāo)簽:MOS晶體管MOS晶體管泄漏電流 3770

模擬IC設(shè)計(jì)原理圖4:鎖相環(huán)(PLL)的工作原理

模擬IC設(shè)計(jì)原理圖4:鎖相環(huán)(PLL)的工作原理

鎖相環(huán)是一種反饋系統(tǒng),其中電壓控制振蕩器和相位比較器相互連接,使得振蕩器頻率(相位)可以準(zhǔn)確跟蹤施加的頻率或相位調(diào)制信號的頻率。...

2023-10-30 標(biāo)簽:鎖相環(huán)IC設(shè)計(jì)分頻器PLL電路IC設(shè)計(jì)PLL電路分頻器相位比較器鎖相環(huán) 6319

新能源汽車電容電感電阻被動(dòng)元器件的應(yīng)用解析

新能源汽車電容電感電阻被動(dòng)元器件的應(yīng)用解析

薄膜電容具有耐高壓、大電流、低雜散電感等優(yōu)點(diǎn),通常應(yīng)用在逆變器直流支撐(DC-Link)電路中。薄膜電容以其優(yōu)異的快速充放電性能為高速開關(guān)器件快速補(bǔ)能,并吸收直流支撐電路中的瞬時(shí)...

2023-10-30 標(biāo)簽:電阻電容電感薄膜電容被動(dòng)元器件 2869

模擬IC設(shè)計(jì)原理圖3:數(shù)字分頻器的原理和電路原理圖

模擬IC設(shè)計(jì)原理圖3:數(shù)字分頻器的原理和電路原理圖

學(xué)完了寄存器,我們就可以基于寄存器設(shè)計(jì)除存儲外具有實(shí)用功能的電路了。在這里我們來討論一下,數(shù)字分頻器。...

2023-10-30 標(biāo)簽:鎖相環(huán)IC設(shè)計(jì)分頻器觸發(fā)器狀態(tài)機(jī) 10249

模擬IC設(shè)計(jì)原理圖2:寄存器的原理和電路原理圖介紹

模擬IC設(shè)計(jì)原理圖2:寄存器的原理和電路原理圖介紹

寄存器分為鎖存器、觸發(fā)器;是數(shù)字和模擬電路中的核心之一。...

2023-10-30 標(biāo)簽:寄存器IC設(shè)計(jì)鎖存器觸發(fā)器CLK 5851

模擬IC設(shè)計(jì)原理圖1:邏輯電路是如何通過MOS管實(shí)現(xiàn)的

模擬IC設(shè)計(jì)原理圖1:邏輯電路是如何通過MOS管實(shí)現(xiàn)的

今天來聊聊我們常用的邏輯電路是如何通過MOS管實(shí)現(xiàn)的。...

2023-10-30 標(biāo)簽:邏輯電路IC設(shè)計(jì)MOS管反相器電源電壓 8230

ADC采集電路加上一個(gè)電壓跟隨器的原因

ADC采集電路加上一個(gè)電壓跟隨器的原因

大家都知道電壓跟隨器具有高輸入阻抗,低輸出阻抗的優(yōu)點(diǎn)。輸入阻抗很大時(shí),跟隨器相當(dāng)于和前級電路斷路,和自恢復(fù)保險(xiǎn)絲原理一樣,通過高阻抗斷開電源電路。電壓跟隨器輸出阻抗很低,...

2023-10-30 標(biāo)簽:芯片cpuadc電源電路電壓跟隨器 1798

【模擬電路設(shè)計(jì)】了解運(yùn)算放大器回轉(zhuǎn)率

【模擬電路設(shè)計(jì)】了解運(yùn)算放大器回轉(zhuǎn)率

轉(zhuǎn)換速率是大多數(shù)電子電路的關(guān)鍵。轉(zhuǎn)換速率決定了電路適應(yīng)快速輸出上升并減少失真。...

2023-10-30 標(biāo)簽:模擬電路運(yùn)算放大器傅立葉變換補(bǔ)償電容信號失真 3999

高精度運(yùn)算放大器哪家強(qiáng)?

高精度運(yùn)算放大器哪家強(qiáng)?

目前全球運(yùn)算放大器廠商包括,德州儀器、亞德諾、凌力爾特、美信、意法半導(dǎo)體、圣邦微電子、思瑞浦、潤石等等,看起來品牌眾多,每家的型號也都成千上百,今天我們主要以高精度這個(gè)維...

2023-10-30 標(biāo)簽:ADI運(yùn)算放大器德州儀器運(yùn)放 5434

聊一聊英飛凌DSC(雙面水冷)的車規(guī)模塊

聊一聊英飛凌DSC(雙面水冷)的車規(guī)模塊

新能源汽車向著高功率密度和高可靠性的方向發(fā)展,為了滿足這方面的需求,功率模塊無論從電氣性能(Si基和WBG材料的芯片)還是封裝(低雜散電感,先進(jìn)的互連技術(shù),優(yōu)異性能的封裝材料和...

2023-10-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車逆變器DSC雜散電感 2701

MHz高頻電感分布電容建模及優(yōu)化設(shè)計(jì)方案

MHz高頻電感分布電容建模及優(yōu)化設(shè)計(jì)方案

本成果針對高頻電感中的分布電容問題提出了建模及優(yōu)化設(shè)計(jì)方案。探究了磁芯內(nèi)部電場分布規(guī)律及建模方法;揭示了浮空磁芯電位的求解方法,推導(dǎo)了磁芯與繞組之間、繞組內(nèi)部分布電容的解...

2023-10-30 標(biāo)簽:電磁兼容電容濾波器電感電磁干擾 1785

二極管 VS MOS管,你的防反接保護(hù)電路選擇誰?

二極管 VS MOS管,你的防反接保護(hù)電路選擇誰? 在電路設(shè)計(jì)中,防反接保護(hù)電路是一個(gè)基本的安全措施。當(dāng)電源的正負(fù)極性接反時(shí),這種保護(hù)電路可以防止電路損壞或設(shè)備損壞。 在防反接保護(hù)電...

2023-10-30 標(biāo)簽:二極管MOS管MOS管二極管反接保護(hù)電路 2968

單個(gè)晶體管也可以實(shí)現(xiàn)放大,那為什么還要?jiǎng)?chuàng)造運(yùn)放呢?

單個(gè)晶體管也可以實(shí)現(xiàn)放大,那為什么還要?jiǎng)?chuàng)造運(yùn)放呢? 為了理解為什么需要?jiǎng)?chuàng)造運(yùn)放,我們需要先了解放大的基本概念。放大器是指一種電路,它可以放大電壓和電流的信號。在放大器電路...

2023-10-30 標(biāo)簽:放大器運(yùn)放晶體管 1465

功率MOS管為什么會(huì)燒?原因分析

功率MOS管為什么會(huì)燒?原因分析? 功率MOS管,作為半導(dǎo)體器件的一種,被廣泛應(yīng)用于電源、變頻器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。但在使用中,我們有時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)功率MOS管會(huì)出現(xiàn)燒毀的情況。那么,功率MO...

2023-10-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管驅(qū)動(dòng)電路 3985

諧波失真的五大類型

諧波失真的五大類型

正式發(fā)布2023年10月13日Cadence15年間最具影響力的版本更新之一AllegroX/OrCADX23.1本文要點(diǎn):“諧波失真”通常表示在時(shí)域中觀察到的波形失真。諧波失真可從功率譜或時(shí)域波形中觀察到,有多種表現(xiàn)...

2023-10-28 標(biāo)簽:信號元件模擬信號諧波失真 7283

功率半導(dǎo)體器件知識匯總

功率半導(dǎo)體器件知識匯總

電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上)電子器件??梢苑譃榘肟匦推骷⑷匦推?..

2023-10-28 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1587

為何全球IGBT會(huì)出現(xiàn)短缺?

為何全球IGBT會(huì)出現(xiàn)短缺?

國內(nèi)供需不平衡局面可能會(huì)持續(xù)到2025年,因?yàn)槟壳暗男略霎a(chǎn)能仍無法滿足下游需求。但隨著國內(nèi)制造商的努力,這一情況預(yù)計(jì)將逐漸改善。盡管當(dāng)前供應(yīng)短缺問題依然嚴(yán)峻,但I(xiàn)GBT作為電力控制...

2023-10-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 1537

環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)

環(huán)球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯(cuò)估了客戶對8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè),預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進(jìn)...

2023-10-27 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1270

差分信號、時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)、信道均衡基礎(chǔ)知識

差分傳輸是一種信號傳輸?shù)募夹g(shù),區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號線一根地線的做法,差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號,這兩個(gè)信號的振幅相等,相位相反。在這兩根線上傳輸?shù)男盘柧褪遣罘中盘枴?..

2023-10-27 標(biāo)簽:差分放大器通信系統(tǒng)電磁干擾差分信號共模信號 802

碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢?

碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢?

中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特...

2023-10-27 標(biāo)簽:肖特基二極管功率器件SiC碳化硅射頻器件 7206

開關(guān)電源MOS設(shè)計(jì)選型的幾個(gè)基本原則

開關(guān)電源MOS設(shè)計(jì)選型的幾個(gè)基本原則

開啟過程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開啟時(shí)刻前之 VDS(off_end) 、開啟完成后的 IDS(on_beginning) 即圖示之 Ip1 ,以及 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 重疊時(shí)間...

2023-10-27 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管功率管直流電源 2326

如何在儲能電池管理系統(tǒng)中提高電池監(jiān)控精度和數(shù)據(jù)完整性?

如何在儲能電池管理系統(tǒng)中提高電池監(jiān)控精度和數(shù)據(jù)完整性?

并網(wǎng)電池陣列是可行的備用電源和便攜電源解決方案,專用測量IC可滿足獨(dú)特而復(fù)雜的要求,確保實(shí)現(xiàn)可靠的系統(tǒng)性能。使用大規(guī)模電池陣列作為備用和便攜儲能裝置正受到越來越多的關(guān)注,在...

2023-10-27 標(biāo)簽:電池管理逆變器儲能 1201

集電極電流Ic的形成原因 電子三極管的電流放大原理

集電極電流Ic的形成原因 電子三極管的電流放大原理

放大狀態(tài)下集電極電流Ic為什么會(huì)只受控于電流Ib而與電壓無關(guān);即:Ic與Ib之間為什么存在著一個(gè)固定的放大倍數(shù)關(guān)系。雖然基區(qū)較薄,但只要Ib為零,則Ic即為零。...

2023-10-27 標(biāo)簽:三極管二極管電流光敏二極管NPN 3496

功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,常用于高壓、高電流的...

2023-10-27 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率模塊IPM半導(dǎo)體器件 9470

幾種常見的低通濾波電路

幾種常見的低通濾波電路

RC低通濾波電路是一種簡單的低通濾波電路,由一個(gè)電阻和一個(gè)電容組成。它的原理是利用電容器的充放電特性,將高頻信號通過電容器的電容分布電阻濾除,只保留低頻信號。...

2023-10-27 標(biāo)簽:電容器電容濾波電路音頻放大器低通濾波電路濾波電路電容電容器音頻放大器 5109

車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法...

2023-10-27 標(biāo)簽:MOSFET封裝技術(shù)SiC功率模塊 2843

芯??萍级嗤ǖ?2位SAR ADCCS1795x特性及應(yīng)用框圖

芯??萍级嗤ǖ?2位SAR ADCCS1795x特性及應(yīng)用框圖

CS1795x的優(yōu)異性能和多特性,配合8/4通道,使其十分適合BMS安全檢測類應(yīng)用。同時(shí),CS1795x的微功耗和抗強(qiáng)ESD能力,能夠?qū)τ诠I(yè)自動(dòng)化和醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用提供有力支持,有效幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)可靠的...

2023-10-27 標(biāo)簽:電流adc芯??萍?/a>電源系統(tǒng) 738

國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點(diǎn)

在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個(gè)...

2023-10-27 標(biāo)簽:SiC襯底碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3969

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