模擬技術(shù)
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IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及現(xiàn)狀分析
近年來(lái)，新型功率開(kāi)關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識(shí)，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件(圖2)，IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的...
2023-09-11 標(biāo)簽：三極管新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 5580
深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究
近年來(lái)，氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體受到世界各國(guó)科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化鎵（GaN）的3.39 eV。...
2023-09-11 標(biāo)簽：新能源汽車光電探測(cè)器碳化硅氧化鎵GaN技術(shù) 1574
什么是達(dá)林頓對(duì)管？達(dá)林頓對(duì)管的特性
早期的硅晶體管共發(fā)射極電流增益 β 值很低，而且不同樣品的 β 值變化很大。對(duì)于良好的硅生長(zhǎng)結(jié)晶體管樣品，β 的范圍可能在 5 到 15 之間。鑒于這些有源元件的缺點(diǎn)，電子電路工程師在設(shè)計(jì)...
基于51單片機(jī)的按鍵控制喇叭報(bào)警設(shè)計(jì)
51單片是一種低功耗、高性能CMOS-8位微控制器，具有8K可編程Flash存儲(chǔ)器，使得其為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。...
2023-09-11 標(biāo)簽：振蕩器51單片機(jī)EEPROM看門狗定時(shí)器按鍵控制 1523
Melexis電流傳感器的技術(shù)分類
汽車電氣化的不斷創(chuàng)新，對(duì)于電流檢測(cè)的要求也日益提升。Melexis電流傳感器采用霍爾（Hall）效應(yīng)和專有的IMC技術(shù)，采用堅(jiān)固耐用的設(shè)計(jì)，具有卓越的性能和穩(wěn)健的可靠性。...
2023-09-11 標(biāo)簽：逆變器霍爾傳感器電流傳感器dcdc轉(zhuǎn)換器sip封裝 1098
如何采用碳化硅設(shè)計(jì)高效可再生能源系統(tǒng)呢？
太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在促使能源網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代化，以提高其韌性，滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。...
2023-09-11 標(biāo)簽：二極管MOSFETPCB布局碳化硅太陽(yáng)能逆變器 576
運(yùn)算放大器和電壓比較器的基本原理
運(yùn)算放大器和電壓比較器在原理符號(hào)上確實(shí)是一樣的，都有5個(gè)引腳，其中兩個(gè)引腳為電源+和電源-，還有兩個(gè)引腳為同相輸入端（+）和反向輸入端（-），最后一個(gè)引腳是輸出端。...
2023-09-11 標(biāo)簽：原理圖運(yùn)算放大器電壓比較器引腳 1792
黑金AN9238模塊參數(shù)概述
黑金高速AD模塊AN9238為2路65MSPS，12位的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)數(shù)字信號(hào)模塊。模塊的AD轉(zhuǎn)換采用了ADI公司的AD9238芯片，該芯片支持雙路的AD輸入轉(zhuǎn)換。下面是該模塊的一些主要參數(shù)： AN9238模塊圖 （1）1片A...
2023-09-11 標(biāo)簽：FPGA模擬信號(hào)SMAAD轉(zhuǎn)換ADCadcADCAD轉(zhuǎn)換FPGAMSPSSMA模擬信號(hào) 4370
差分放大器和運(yùn)算放大器的區(qū)別
差分放大器和運(yùn)算放大器都是常見(jiàn)的電子元件，它們?cè)陔娐分邪缪葜煌慕巧１疚膶⒔榻B差分放大器和運(yùn)算放大器的區(qū)別。...
2023-09-09 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器電子元件差分放大器差分放大器電子元件輸入端口運(yùn)算放大器 7214
晶閘管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理及應(yīng)用
晶閘管（Thyristor）是一種具有四層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，也被稱為可控硅。它由兩個(gè)PN結(jié)、一個(gè)門極和一個(gè)控制極組成，具有四層結(jié)構(gòu)。晶閘管的工作原理是利用門極信號(hào)對(duì)控制極施加不同的電壓...
2023-09-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體可控硅晶閘管電動(dòng)機(jī)PN結(jié) 8953
二極管和三極管的區(qū)別
二極管和三極管是兩種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娮与娐分卸加兄鴱V泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于半導(dǎo)體器件，但它們之間存在著一些顯著的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹二極管和三極管的區(qū)別。...
可控硅和場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別
可控硅（Thyristor，縮寫為SCR）和場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，縮寫為FET）是兩種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娮与娐分杏兄鴱V泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于半導(dǎo)體器件，但它們之間存在著一些顯...
2023-09-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管可控硅FET 5836
兼容ADS1258，16通道24位SC1642用于醫(yī)療生化檢測(cè)系統(tǒng)
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代...
2023-09-09 標(biāo)簽：檢測(cè)系統(tǒng)模數(shù)轉(zhuǎn)換器國(guó)芯思辰 1730
熱釋電紅外探測(cè)模塊構(gòu)成和工作原理
熱釋電紅外探測(cè)模塊主要由熱釋電紅外探測(cè)器、濾波放大器、電壓比較器和后續(xù)信號(hào)處理電路幾大部分組成。熱釋電紅外探測(cè)器是熱釋電紅外探測(cè)模塊的核心部分，它負(fù)責(zé)探測(cè)人體發(fā)出的紅外信...
ChatGPT變聰明了嗎？如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj
ChatGPT變聰明了嗎？如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj...
中科億海微應(yīng)邀到訪西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院進(jìn)行校企合作交流
8月31日，中科億海微電子科技（蘇州）有限公司（簡(jiǎn)稱中科億海微）總裁魏育成博士帶隊(duì)一行十余人應(yīng)邀到訪西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院進(jìn)行校企合作交流。上午，原校黨委副書(shū)記楊銀堂代表...
什么是信號(hào)調(diào)制？
通常情況下，標(biāo)準(zhǔn)的信號(hào)發(fā)生器并不會(huì)進(jìn)行信號(hào)調(diào)制，功能僅僅只有產(chǎn)生特定頻率、波形、幅度和相位的基本信號(hào)，如正弦波、方波、脈沖等。然而，一些專用信號(hào)發(fā)生器具備調(diào)幅（AM）、調(diào)頻...
2023-09-09 標(biāo)簽：發(fā)生器信號(hào)信號(hào)調(diào)制 3901
運(yùn)放震蕩問(wèn)題求解
這是我的一個(gè)采樣電路，用示波器測(cè)R46電阻的前端（運(yùn)放u18a的1腳）發(fā)現(xiàn)波形有震蕩頻率約20MHZ且震蕩較大，不知道是什么原因造成的希望大家能給看看。我嘗試過(guò)將opa4350ua換成opa4340發(fā)現(xiàn)依然會(huì)...
Nexperia(安世半導(dǎo)體)：如何選擇符合應(yīng)用散熱要求的半導(dǎo)體封裝
為了滿足應(yīng)用的散熱要求，設(shè)計(jì)人員需要比較不同半導(dǎo)體封裝類型的熱特性。在本文中，Nexperia(安世半導(dǎo)體)討論了其焊線封裝和夾片粘合封裝的散熱通道，以便設(shè)計(jì)人員選擇更合適的封裝。一...
使用微逆變器、功率優(yōu)化器提高光伏系統(tǒng)發(fā)電效率可行嗎？
太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)依賴太陽(yáng)能電池板進(jìn)行發(fā)電，然而逆變器就是將此直流電能轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢允褂玫慕涣麟?。傳統(tǒng)的發(fā)電方式是將太陽(yáng)能板直接串聯(lián)起來(lái)，然后接在組串逆變器上，接入電網(wǎng)供其他設(shè)備...
2023-09-08 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池光伏光伏系統(tǒng)模擬器電源優(yōu)化器微逆變器 2392
搞定EMC這三大規(guī)律
在新產(chǎn)品研發(fā)階段就進(jìn)行EMC設(shè)計(jì)，比等到產(chǎn)品EMC測(cè)試不合格再進(jìn)行改進(jìn)，費(fèi)用可以大大的節(jié)省，效率可以大大提高；反之，效率就會(huì)大大降低，費(fèi)用就會(huì)大大增加。...
2023-09-08 標(biāo)簽：二極管頻譜分析儀電磁波串聯(lián)電感EMC設(shè)計(jì) 2368
單片機(jī)時(shí)鐘電路由什么組成 單片機(jī)時(shí)鐘電路有何用途？
晶體振蕩器（Crystal Oscillator）或陶瓷諧振器（Ceramic Resonator）：晶體振蕩器或陶瓷諧振器是時(shí)鐘電路的核心部件，用于產(chǎn)生精確的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)。它通常由一個(gè)晶體振蕩器或陶瓷諧振器和相關(guān)的...
2023-09-08 標(biāo)簽：單片機(jī)振蕩器晶體振蕩器時(shí)鐘電路時(shí)鐘信號(hào) 6148
dcdc升壓和降壓哪個(gè)效率高 dc-dc降壓缺點(diǎn)是什么
實(shí)際的能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中，DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器會(huì)引入一定的能耗和能量損失，導(dǎo)致整體的能效降低。這主要是由于內(nèi)部元器件的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程中存在的電阻、電感和開(kāi)關(guān)等元件的損耗引起的。...
2023-09-08 標(biāo)簽：電阻升壓轉(zhuǎn)換器電感DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器 15093
Flyback拓?fù)潆娫摧椛涓蓴_的預(yù)測(cè)方法
開(kāi)關(guān)電源中功率開(kāi)關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生的瞬變電壓和瞬變電流是形成電磁干擾的根本源頭。...
2023-09-08 標(biāo)簽：MOSFET開(kāi)關(guān)電源電磁干擾功率開(kāi)關(guān)管PCB走線 2371
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