模擬技術(shù)
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PWM控制型IGBT的EMI工程估算與基本原理分析
PWM控制型IGBT工作在斬波模式，使得IGBT本身自帶干擾源屬性，自擾與互擾系統(tǒng)中的其他設(shè)備。...
2023-09-08 標(biāo)簽：驅(qū)動器IGBTPWM控制器共模電壓功率半導(dǎo)體 3348
PWM控制型IGBT的EMI機理與抑制優(yōu)化設(shè)計方法探討
驅(qū)動器類IGBT控制方式，特別是變頻器類，有無PG V/f 控制、帶PG V/f控制、無PG矢量控制、帶PG矢量控制等等不同的控制方式和術(shù)語描述...
2023-09-08 標(biāo)簽：驅(qū)動器變頻器IGBTPWM控制器EMI設(shè)計 4635
耦合去耦網(wǎng)絡(luò)CDN電感引起LC震蕩損壞樣機分析
在正常EMC測試中，耦合去耦網(wǎng)絡(luò)CDN應(yīng)用較多，特別是一些電源端口，但大家在應(yīng)用中會忽略CDN去耦電感與回路電容形成LC震蕩的影響...
2023-09-08 標(biāo)簽：去耦電容EMC設(shè)計TVS管電源芯片LC震蕩電路 2858
以MOS管逆變橋為例分析驅(qū)動器的干擾源特性
隨著工控行業(yè)對能效與控制精度的追求，及在寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用基礎(chǔ)上，電機控制器（驅(qū)動器）的開關(guān)速度與控制頻率越來越高，使得EMI問題成為了行業(yè)難題...
2023-09-08 標(biāo)簽：驅(qū)動器MOS管電機控制器共模電流EMI設(shè)計 2465
Sunic宣布開發(fā)出在玻璃基板實現(xiàn)2000 PPI的OLED設(shè)備
Sunic System開發(fā)了可以在玻璃基板上實現(xiàn)高分辨率有機發(fā)光二極管（OLED ）的顯示設(shè)備。...
2023-09-08 標(biāo)簽：OLEDlcd虛擬現(xiàn)實ESC有機發(fā)光二極管 1326
模擬電源IC的專業(yè)廠家特瑞仕將攜手多家知名企業(yè)亮相2023 electronica India
? ? 特瑞仕將于2023年9月13日（周三）～9月15日（周五），攜手GS Technology (S) Pte Ltd / Swift Electrocomp solutions (p) ltd、Le Champ (South East Asia) Pte Ltd，共同參加2023 electronica India。 ? 在此次展覽會中我們...
2023-09-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器TOREX特瑞仕DCDC 784
了解一下Melexis電流傳感器的技術(shù)分類
汽車電氣化的不斷創(chuàng)新，對于電流檢測的要求也日益提升。Melexis電流傳感器采用Hall效應(yīng)和專有的IMC技術(shù)，采用堅固耐用的設(shè)計，具有卓越的性能和穩(wěn)健的可靠性。...
2023-09-08 標(biāo)簽：逆變器電流傳感器dcdc轉(zhuǎn)換器sip封裝IMC 1056
可控硅與場效應(yīng)管區(qū)別工作原理
可控硅與場效應(yīng)管區(qū)別工作原理 可控硅（SCR）和場效應(yīng)管（FET）是電子領(lǐng)域中兩個常見的器件，它們在不同的應(yīng)用領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將重點介紹SCR和FET的工作原理及它們之間的區(qū)...
2023-09-08 標(biāo)簽：場效應(yīng)管可控硅SCRFET 3112
3D雷達(dá)技術(shù)的類型 3D雷達(dá)的未來趨勢
抗雜波功能 - 通過使用MTD或MTI處理，可以檢測沉浸在地形或天氣雜波中的飛機。低徑向速度的飛機也可以通過無雜波高仰波束或低仰角梁進(jìn)行檢測，后者基于雜波圖檢測技術(shù)提供超雜波能見度。...
2023-09-08 標(biāo)簽：功率放大器雷達(dá)系統(tǒng)波束成形3D雷達(dá)系統(tǒng) 2981
泰高技術(shù)攜手鎵宏半導(dǎo)體簽署GaN領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日，深圳市泰高技術(shù)與深圳鎵宏半導(dǎo)體有限公司達(dá)成了一項全面戰(zhàn)略合作協(xié)議，旨在增強企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展能力，提升產(chǎn)品競爭力。...
2023-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵射頻芯片碳化硅GaN技術(shù) 1994
運放參數(shù)的詳細(xì)解釋
在精密電路設(shè)計中，偏置電壓是一個關(guān)鍵因素。對于那些經(jīng)常被忽視的參數(shù)，諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等，也必須測定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電...
科達(dá)嘉車規(guī)級一體成型電感VSHB-T系列如何實現(xiàn)低損耗、高可靠性？
電感是汽車電子DC/DC轉(zhuǎn)換器的核心元器件之一， 如何開發(fā)高可靠性、高品質(zhì)、能滿足汽車部件需求的一體成型電感是當(dāng)前業(yè)界關(guān)心的熱點話題。...
2023-09-08 標(biāo)簽：電感器汽車電子電源轉(zhuǎn)換器電磁干擾DCR 1442
堆疊式DRAM存儲節(jié)點相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)分析
在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲節(jié)點相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲節(jié)點接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。...
2023-09-08 標(biāo)簽：電容DRAM存儲器晶體管ICT技術(shù) 4795
LGD最快明年加碼投資OLEDoS產(chǎn)線研究開發(fā)
LG Display OLEDoS投資預(yù)計最快將在明年進(jìn)行。從LG Display的角度來看，今年也將像以往一樣致力于OLEDoS研究開發(fā)（R&D）。...
背減薄工藝的原理是什么？背減薄工藝過程介紹
紅外探測器可將不可見的紅外輻射轉(zhuǎn)換為可測量的電信號。作為中波紅外探測的主流，銻化銦紅外探測器具有穩(wěn)定的器件性能以及高可靠性，占據(jù)了大量的市場份額。...
2023-09-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器紅外探測器CMP電信號 3680
為什么Ctrl-C會導(dǎo)致當(dāng)前運行程序退出呢？
下面是用rust寫的一段測試程序，邏輯非常簡單，就是讀取用戶輸入，然后將其輸出。...
2023-09-08 標(biāo)簽：觸發(fā)器模擬器LINUX內(nèi)核Shellrust語言 3071
差分信號是什么意思?使用差分信號的好處有哪些？通俗易懂解讀差分信號
差分線是 PCB 設(shè)計中非常重要的一部分信號線，因此我們對差分信號的處理要求相當(dāng)嚴(yán)謹(jǐn)。 （差分信號原理圖示） 差分信號與單端信號的區(qū)別 單端信號指的是用一個線傳輸?shù)男盘枺瑓⒖键c為大...
2023-09-12 標(biāo)簽：emiPCB設(shè)計信號線差分信號差分線 8403
如何實現(xiàn)高頻濾波 穿心電容濾波原理
由于普通的電容不是理想電容，不能有效地濾除高頻噪聲，這是由于：①電容引線電感造成電容諧振，對高頻信號呈現(xiàn)較大的阻抗，削弱了對高頻信號的旁路作用；②導(dǎo)線之間的寄生電容使高頻...
生產(chǎn)肖特基二極管的原廠廠家
DSS220-Q是什么二極管？貴司有生產(chǎn)嗎？ 肖特基二極管DSS220-Q符合汽車級AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)嗎？ DSS220-Q貼片肖特基二極管參數(shù)是什么封裝？正向電流和反向電壓是多大？ DSS220-Q肖特基二極管需要100KK，有現(xiàn)...
mos管并聯(lián)后電流增加多少
mos管并聯(lián)后電流增加多少? 如何計算MOS管并聯(lián)后電流的增加？ 在電路中，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）被廣泛應(yīng)用于各種各樣的電子設(shè)備中。當(dāng)多個MOSFET并聯(lián)時，總電流會增加，但...
2023-09-07 標(biāo)簽：電阻器MOS管場效應(yīng)晶體管輸出電阻 3412
碳化硅（SiC）相較于硅（Si）有哪些優(yōu)勢！
硅碳化物(SiC)技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了臨界點，即無可否認(rèn)的優(yōu)勢推動一項技術(shù)快速被采用的狀態(tài)。...
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