模擬技術(shù)
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IGBT模塊的全銅工藝技術(shù)介紹
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Translator, IGBT）是電氣化軌道交通裝備中負(fù)責(zé)電能轉(zhuǎn)換的核心部件。高壓大容量IGBT 模塊長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性對(duì)牽引變流器的安全運(yùn)行至關(guān)重要。隨著軌道交通...
2023-09-07 標(biāo)簽：IGBT晶體管制造工藝功率模塊功率半導(dǎo)體 4207
PFS122 AD調(diào)試心得-小電流檢測(cè)方法分享
最近調(diào)試122檢測(cè)小電流，有一種遇到鬼打墻的狀態(tài)，就是看到寄存器的值在數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移時(shí)改動(dòng)了。...
2023-09-06 標(biāo)簽：寄存器輸入電壓AD轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)時(shí)鐘AD轉(zhuǎn)換器pfs寄存器系統(tǒng)時(shí)鐘輸入電壓 3698
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)全部測(cè)試
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。...
2023-09-06 標(biāo)簽：MOSFETled照明電源管理電壓調(diào)節(jié)器dcdc轉(zhuǎn)換器 1536
555定時(shí)器芯片是如何工作的？
說到振蕩器，不得不提555定時(shí)器芯片。它可以用于定時(shí)、觸發(fā)、脈沖產(chǎn)生和振蕩電路，所有和時(shí)鐘相關(guān)的領(lǐng)域都可以考慮采用。...
2023-09-06 標(biāo)簽：振蕩器DIP封裝晶體管RS觸發(fā)器555定時(shí)器 11598
高頻率高性能CCM同步整流芯片U7612介紹
同步整流芯片U7612是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。...
2023-09-06 標(biāo)簽：MOSFET整流二極管肖特基二極管CCMGaN技術(shù)CCMGaN技術(shù)MOSFET同步整流芯片整流二極管肖特基二極管 3069
晶體二極管的結(jié)構(gòu)和主要參數(shù)
二極管種類繁多，它們根據(jù)不同工藝結(jié)構(gòu)和用途是有大小之分的...
度亙斬獲2023維科杯·OFweek 2項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)
維科杯2023激光行業(yè)年度評(píng)選8月30日，維科杯·Ofweek2023激光行業(yè)年度評(píng)選頒獎(jiǎng)典禮于深圳福田會(huì)展中心隆重舉辦，度亙核芯斬獲兩項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)！度亙核芯副董事長(zhǎng)＆CTO楊國(guó)文博士榮獲2023年度“激...
有關(guān)高速PCB布局設(shè)計(jì)的避坑指南
上一講主要分析了高速電路板的疊層建議，當(dāng)決定好哪種分層方案，接下來將要考慮元件以及模塊的布局了，下面直接舉例分析說明。...
2023-09-06 標(biāo)簽：繼電器模擬電路開關(guān)電源PCB布局濾波電容器 1355
開關(guān)電源基準(zhǔn)電源器件的類型及其工作原理
基準(zhǔn)電源器件在開關(guān)電源中是一個(gè)重要的器件，它主要用于作為反饋的比較基準(zhǔn)。 開關(guān)電源的比較基準(zhǔn)一般有如下三種獲得方式： 1） 使用芯片內(nèi)部基準(zhǔn)電源。 2） 使用穩(wěn)壓管。 3） 使用基準(zhǔn)...
2023-09-06 標(biāo)簽：電源三極管開關(guān)電源穩(wěn)壓器電源電路三極管開關(guān)電源電壓基準(zhǔn)器件電源電源電路穩(wěn)壓器 1635
LDO線性穩(wěn)壓器電路圖講解
線性穩(wěn)壓器 Linear regulator，我們一般稱為 LDO。LDO 是英文 Low Drop Out 的首字母縮寫，其中的 Drop Out是指線性穩(wěn)壓器輸入端到輸出端之間的電壓差，前面加了一個(gè) Low 之后，其詞性就變成了一個(gè)形容...
2023-09-06 標(biāo)簽：負(fù)載電流ldo線性穩(wěn)壓器晶體管ldo晶體管線性穩(wěn)壓器調(diào)整管負(fù)載電流 11105
生物電測(cè)量芯片SC2945助力醫(yī)療設(shè)備兼顧高性能和低功耗
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代...
運(yùn)放的失調(diào)電壓分析
今天我們來分析下為什么在輕負(fù)載條件下，恒流精度有變化。上篇文章也提到過失調(diào)電壓，失調(diào)電壓是造成這個(gè)誤差的主要因素。首先，回顧下該電路，為方便計(jì)算，調(diào)整下反饋電阻參數(shù)，將比...
2023-09-06 標(biāo)簽：電路分析運(yùn)放電流源失調(diào)電壓 2204
數(shù)明半導(dǎo)體推出SiLM94112/SiLM94108半橋驅(qū)動(dòng)芯片
針對(duì)有刷直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)在各種應(yīng)用場(chǎng)景中的不同需求，SiLM94112/SiLM94108可支持獨(dú)立、順序或并行模式驅(qū)動(dòng)。為實(shí)現(xiàn)電機(jī)的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)、滑行和制動(dòng)控制，用戶可通過SiLM94112/SiLM94108的SPI通訊...
2023-09-06 標(biāo)簽：步進(jìn)電機(jī)無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片半橋驅(qū)動(dòng)芯片數(shù)明半導(dǎo)體 2107
意法半導(dǎo)體將為汽車T1廠博格華納供應(yīng)碳化硅器件
近日，意法半導(dǎo)體與知名汽車Tier 1制造商博格華納達(dá)成了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略合作協(xié)議。該協(xié)議旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件，以升級(jí)博格華納的車規(guī)功率模塊。...
2023-09-06 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET逆變器意法半導(dǎo)體碳化硅 649
碳化硅功率半導(dǎo)體工藝流程
首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長(zhǎng)SiC，通過物理氣相傳輸（PVT）制備單晶 第二，使用多線切割設(shè)備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過1毫米 第三，通過不同粒度的金剛石研磨液，將晶...
2023-09-06 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅光刻膠刻蝕工藝功率半導(dǎo)體碳化硅 2076
TVS的工作原理和選型要點(diǎn)
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個(gè) PN 結(jié)或多個(gè) PN 結(jié)集成的器件。TVS 有單向與雙向之分，單向 TVS 一般應(yīng)用于直流供電電...
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