模擬技術(shù)
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為什么晶圓是圓的？芯片是方的？
按理說，方型的die放在圓形的wafer里總會不可避免有空間浪費(fèi)，為什么不做成方型的更節(jié)省空間。...
2023-08-02 標(biāo)簽：多晶硅光伏發(fā)電芯片封裝Flip光電轉(zhuǎn)換器 4703
diode芯片是什么 diode在電路中是什么意思
Diode芯片是指集成了一個或多個二極管的微型芯片。二極管是一種基本的電子組件，它由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成，具有只允許電流單向流動的特性。Diode芯片使用固態(tài)材料和微電子加工技術(shù)，...
整流橋都有哪些 整流橋kbj和gbj的區(qū)別
極性：KB-J代表的是肖特基整流橋（Schottky Bridge），而GB-J代表的是普通整流橋（General Bridge）。 - 肖特基整流橋（KB-J）使用的是肖特基二極管（Schottky Diode），具有快速開關(guān)速度和低正向電壓降...
2023-08-02 標(biāo)簽：肖特基二極管快恢復(fù)二極管整流橋三相電源 12645
肖特基二極管怎么測量好壞 肖特基二極管的作用
肖特基二極管因其快速開關(guān)、低功耗、低電壓降和高效率等特點(diǎn)，在諸多電子電路中扮演著重要的角色，包括整流電路、開關(guān)電源、逆變器、放大器和高頻電路等。...
2023-08-02 標(biāo)簽：放大器二極管開關(guān)電源逆變器肖特基二極管 16130
基于741運(yùn)放的12W放大器電路圖
該放大器的功率為 12 瓦，使用雙對稱 ± 12 伏電源來運(yùn)行。 741 提供所需的增益，而揚(yáng)聲器單元由互補(bǔ)的達(dá)林頓 T1、T2 和 T3、T4 驅(qū)動。...
基于FET的100W功率音頻放大器電路圖
這是基于一對FET元件在最終放大過程中構(gòu)建的100W功率音頻放大器電路圖。 FET 元件使用一對 K134 和 J49，這些 FET 的替代品是 J162 和 K1058 的組合。 8歐姆揚(yáng)聲器的輸出功率約為100W。對于立體聲應(yīng)...
2023-08-02 標(biāo)簽：電路圖揚(yáng)聲器音頻放大器PCB設(shè)計FET 2870
整流二極管是什么二極管
整流二極管是什么二極管？查看資料可知，整流二極管是一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽?dǎo)體器件，可見整流二極管的作用重在“整流”。整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路，如需...
DCDC轉(zhuǎn)換器的類型 dcdc轉(zhuǎn)換器的主要功能
DC-DC轉(zhuǎn)換器可以將車輛電池（如汽車、電動車）或太陽能電池等不穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓，以滿足各種應(yīng)用的需求。...
2023-08-02 標(biāo)簽：太陽能電池DC-DCDC-DC轉(zhuǎn)換器DC降壓轉(zhuǎn)換器 7998
如何搭載一個負(fù)載開關(guān)電路load switch？
在很多電路中，一個電源可能對應(yīng)多個負(fù)載，有時候要切換負(fù)載的供電，有時候要對負(fù)載進(jìn)行限流，通常的方法可以用PMIC去操作不同的負(fù)載，也可以使用負(fù)載開關(guān)去操作。...
2023-08-02 標(biāo)簽：電容器仿真器自舉電路PMIC技術(shù)PMOS管 2700
去耦電容的有效使用方法有哪些
去耦電容的有效使用方法之一是用多個（而非1個）電容進(jìn)行去耦。使用多個電容時，使用相同容值的電容時和交織使用不同容值的電容時，效果是不同的。...
2023-08-02 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻電容陶瓷電容去耦電容 1040
不同類型的晶體管及其功能
晶體管是一種有源元件，遍布電子電路。它們用作放大器和開關(guān)設(shè)備。作為放大器，它們用于高電平和低電平、頻率級、振蕩器、調(diào)制器、檢測器以及任何需要執(zhí)行功能的電路中。在數(shù)字電路中...
什么是數(shù)模轉(zhuǎn)化器？
數(shù)模轉(zhuǎn)換器，又稱D/A轉(zhuǎn)換器，簡稱DAC，它是把數(shù)字量轉(zhuǎn)變成模擬的器件。D/A轉(zhuǎn)換器基本上由4個部分組成，即權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)、運(yùn)算放大器、基準(zhǔn)電源和模擬開關(guān)。模數(shù)轉(zhuǎn)換器中一般都要用到數(shù)模轉(zhuǎn)...
羅姆的氮化鎵解決方案優(yōu)勢及路線圖
氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動性、高電場強(qiáng)度和優(yōu)秀的熱導(dǎo)...
新型激光技術(shù)讓金剛石半導(dǎo)體又近了一步
金剛石對于半導(dǎo)體行業(yè)來說是一種很有前景的材料，但將其切成薄片具有挑戰(zhàn)性。...
2023-08-02 標(biāo)簽：電動汽車激光器半導(dǎo)體芯片電力轉(zhuǎn)換器激光脈沖 2382
用于Chiplet 3D系統(tǒng)的硅光Interposer工藝架構(gòu)介紹
這篇文章簡要介紹CEA-Leti發(fā)布用于Chiplet 3D系統(tǒng)的硅光Interposer工藝架構(gòu)，包括硅光前端工藝 (FEOL)、TSV middle工藝、后端工藝 (BEOL) 和背面工藝。...
2023-08-02 標(biāo)簽：耦合器光刻機(jī)硅光子技術(shù)TSV封裝chiplet 8837
英飛凌的SiC MOS需要負(fù)壓嗎
IPAC|2023年度英飛凌碳化硅直播季第一場直播于5月23日順利結(jié)束。直播中英飛凌的三位工程師孫輝波、趙佳、郝欣與大家探討了CoolSiC溝槽柵MOSFET的設(shè)計理念、高性能封裝互聯(lián)方案.XT、冷切割技術(shù)...
熱烈祝賀薩科微銷售業(yè)績達(dá)到2023年第一階段目標(biāo)
2022年年底，深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司制定了2023年的全年階段銷售目標(biāo)，經(jīng)過薩科微全體員工的共同努力，2023年5月薩科微成功達(dá)到了第一階段的銷售目標(biāo)，這是在薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)和薩...
藍(lán)箭電子用于半導(dǎo)體封裝測試擴(kuò)建
近日，封裝測試領(lǐng)先企業(yè)藍(lán)箭電子開啟申購！藍(lán)箭電子本次募集資金擬投資6.01億元，其中5.43億元將用于半導(dǎo)體封裝測試擴(kuò)建項目，5765.62萬元將用于研發(fā)中心建設(shè)項目。...
2023-08-02 標(biāo)簽：鋰電池三極管驅(qū)動IC半導(dǎo)體封裝工業(yè)控制器 1157
ADC分辨率與精度的區(qū)別
簡單點(diǎn)說，“精度”是用來描述物理量的準(zhǔn)確程度的，而“分辨率”是 用來描述刻度劃分的。從定義上看，這兩個量應(yīng)該是風(fēng)馬牛不相及的。（是不是有朋友感到愕然^_^）。很多賣傳感器的 ...
選擇電容器的基準(zhǔn)是什么 輸入電容器的各種電容器的比較分析
在電容器的兩端加上電壓后電荷被儲存。相反，將儲存有電荷的電容器兩端短路后，成放電狀態(tài)。 電荷的量與電壓成正比。（若是電感器、電流通過產(chǎn)生磁通。磁通量與電流成正比。）...
2023-08-02 標(biāo)簽：電容器電容IC等效電路串聯(lián)電路 912
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